【課題】ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいＩＩＩ／Ｖ半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層Ａ、およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体Ｄを備え、組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１である。 （もっと読む）

【課題】一般に市場に出回っている安価なＳＯＩウェハを用いて直接遷移化して発光するゲルマニウム発光素子、あるいはゲルマニウム単結晶に大きな伸長歪みを印加することなく、良好な発光特性を有するゲルマニウム発光素子、あるいはレーザ発振のためのしきい値電流を低減することが出来るゲルマニウム発光素子を提供する。
【解決手段】（１００）面、もしくは（１１０）面、またはそれらと結晶学的に等価な面方位を表面に持つゲルマニウム層が絶縁体上に設けられた薄膜レーザ・ダイオード、あるいは、発光部として基板方向に垂直に形成された薄膜状のゲルマニウム・フィンを備え、該発光部は（１００）面または（１１０）面、もしくはそれと結晶学的に等価な面方位をを表面に持ち、一つまたは複数の発光層を有するゲルマニウム・レーザ・ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光の回折効率とキャリアの注入効率が高く、且つ、光の吸収を抑えることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、活性層１０４と、該活性層の近傍に設けられ面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶層１０５と、を含む複数の半導体層が積層されたフォトニック結晶面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶層１０５は、前記基板の面内方向に、低屈折率媒質１０５ｂと該低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質１０５ａとが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材１０５ｃが配置されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の遠視野像を狭くすること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられたｎ型の下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２上に設けられ、複数の量子ドット３８が形成された量子ドット層３０と複数の量子ドットを覆うバリア層３２とが交互に複数積層された量子ドット活性層１４と、量子ドット活性層上に設けられたｐ型の上部クラッド層１６と、を備え、量子ドット活性層は、複数のバリア層のうち最も高い屈折率を有するバリア層よりも下部クラッド層側及び上部クラッド層側にあるバリア層の少なくとも一方で、バリア層の屈折率が、最も高い屈折率を有するバリア層から下部クラッド層又は上部クラッド層に最も近いバリア層に向かって低下する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】光子発生装置が発光する光の単色性が低い。
【解決手段】本発明の光子発生装置は、半導体材料からなる第１のナノ構造体と、半導体材料からなり、第１のナノ構造体の隣にギャップを挟んで配置された第２のナノ構造体と、ギャップに配置され、第１のナノ構造体と第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットとを有し、第１のナノ構造体と前記第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットは１つのみである。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を容易にすると共に容易な製造を可能にする構造を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム支持基体１３の主面１３ａにおいて第３の面１３ｅは第１の面１３ｃと第２の面１３ｄとの間に設けられる。第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄは第３の面１３ｅに対して裏面１３ｂの方向に傾斜する。第３の面１３ｅは窒化ガリウム支持基体１３の＜０００−１＞軸の方向に向く。第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、半導体領域１５におけるIII族窒化物半導体積層１５ｃ、１５ｄ上に位置し、III族窒化物積層１５ｃ、１５ｄは、それぞれ、第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄ上に形成される。半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。角度ＡＬＰＨＡ１、ＡＬＰＨＡ２は＋５６度以上＋８０度未満の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む活性層を備えるＧａＮ系半導体発光素子において、注入電流が大きい場合における量子効率の低下を軽減することができるＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子１１ａは、ＧａＮ系半導体からなりｃ面からｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角αで傾斜した主面１３ａを有する基板１３と、ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５と、活性層１７と、電子ブロック層２７と、コンタクト層２９とを備える。活性層１７はＩｎを含むＧａＮ系半導体からなり、基板１３の転位密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。 （もっと読む）