半導体レーザ素子及びその製造方法
【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法、特に、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、化合物半導体レーザを高い光出力で動作させた場合に、出射端面（レーザの端面）に光学的損傷（Catastrophic Optical Damage ：ＣＯＤ）を生じ、レーザが破壊されることが知られている。これは、レーザ端面の活性層のバンドギャップが発熱により小さくなり、より光を吸収し、さらに発熱するということが繰り返されることによって生じる。
【０００３】
この問題に対する技術としては、例えば下記の特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された化合物半導体レーザは、静電気などから生ずるＣＯＤを防止するため、レーザ端面に設けられた光反射するミラーの内側に、窓構造と呼ばれる拡散による無秩序化領域を設けて、光吸収によるダメージを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−０２９６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、化合物半導体レーザとしては、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子が知られている。このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、共振器として凸状のエアリッジ構造を設けることによって放熱効率を高め、耐熱性を高めている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された化合物半導体レーザは、無秩序化された窓構造内ではＺｎの熱拡散により、エッチングストッパ層であるＭＱＢ（multi-quantum barriers：多重量子障壁）層も無秩序化されて、薬液に対するエッチング耐性が低下する。これにより、上述のエアリッジ構造を作成するときに、活性層に隣接するクラッド層にまでエッチングが達する場合がある。このように、化合物半導体レーザ素子によって製造バラツキが生じ、化合物半導体レーザによって横方向のレーザ光放射角にバラツキが生まれる。このため、発光特性の揃った化合物半導体レーザ素子を安定して生産できない問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決する第１の発明に係る半導体レーザ素子は、一対の共振器面を有する半導体レーザ素子であって、前記一対の共振器面に接する第１導電型の第１クラッド層（３）と、前記第１クラッド層（３）上に形成され、前記一対の共振器面に接する活性層（４）と、前記活性層（４）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型の第２クラッド層（５）と、前記第２クラッド層（５）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のエッチングストッパ層（６）と、前記エッチングストッパ層（６）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のリッジ部（２０）と、を備え、前記一対の共振器面それぞれにおいて、前記リッジ部（２０）及びその直下の第１クラッド層（３）の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域（３０）とされて構成されていることを特徴とする。
【０００９】
上記の課題を解決する第２の発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、一対の共振器面を有する半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の製造方法であって、第１導電型の半導体基板（２）上に第１導電型の第１クラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型の第２クラッド層（５）、第２導電型のエッチングストッパ層（６）、第２導電型の第３クラッド層（９）、及び第２導電型のキャップ層（１１）を順次成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後に、前記一対の共振器面に対応する所定の領域における前記キャップ層（１１）をエッチングして前記キャップ層（１１）に段差部（３１）を形成する段差部形成工程と、前記段差部形成工程の後に、前記段差部（３１）に前記活性層（４）を無秩序化するための拡散材料を含む拡散部（１２ａ、３２）を形成する拡散部形成工程と、
前記拡散部形成工程の後に、前記キャップ層（１１）上に前記一対の共振器面を連結するように短冊状のエッチングマスク（１４）を形成し、前記エッチングマスク（１４）が形成されていない領域の前記拡散部（１２ａ、３２）、前記キャップ層（１１）、及び前記第３クラッド層（９）をエッチングしてリッジ部（２０）を形成するリッジ部形成工程と、前記リッジ部形成工程の後に、前記拡散部（１２ａ、３２）中の前記拡散材料を前記リッジ部（２０）及び前記リッジ部（２０）の直下の前記第１クラッド層（３）の途中に至るまでの領域に拡散させて前記拡散材料が拡散した領域を無秩序化する無秩序化工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、リッジ部の直下の領域のみを無秩序化しているので、無秩序化領域を設けた構造であっても素子毎の特性のばらつきが低減され、安定した発光特性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｎ型基板上、ｎ型クラッド層、ＭＱＷ活性層、第１ｐ型クラッド層、ｐ型ＭＱＢ層、第２ｐ型クラッド層、ｐ型障壁緩和層、ｐ型キャップ層を成膜した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｐ型キャップ層のエッチング部分のみのＺｎＯ膜を残した状態を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｐ型キャップ層のエッチング部分のみのＺｎＯ膜を残した状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エアリッジ構造部となる幅方向部分のみに、ＳｉＯ２膜及びレジストを形成した状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、窓構造部となる部分以外のＺｎＯ膜を除去した状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、前端部に段差を有する残りのｐ型キャップ層を除去した状態を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エッチング部となるべき部分におけるｐ型障壁緩和層及び第２ｐ型クラッド層を除去した状態を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、上面の全体に、ＳｉＯ２膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＺｎＯ膜からリッジ部の直下部分にのみ、無秩序化領域を拡散させた状態を示す斜視図である。
【図１１】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＳｉＯ２膜及びＺｎＯ膜を除去した状態を示す斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＳｉＯ２膜及びエッチング部に相当する箇所の第２ｐ型クラッド層上に残存させていた第２ｐ型クラッド層を除去した状態を示す斜視図である。
【図１３】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エアリッジ構造部となる相当する一部分及びエッチング部となる箇所に、ＳｉＮ膜を形成した状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明を適用した、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、例えば図１に示すように構成される。エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、ｎ型基板２の裏面にｎ側電極１が形成され、ｎ型基板２上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ（multi-quantum well：多重量子井戸）活性層４、第１ｐ型クラッド層５、及び、ｐ型ＭＱＢ（multi-quantum barriers：多重量子障壁）層６が順次積層されている。
【００１４】
ｐ型ＭＱＢ層６上には、第２ｐ型クラッド層９、ｐ型障壁緩和層１０、及び、後述するｐ型キャップ層１１が順次積層されたリッジ部２０が形成されている。リッジ部２０は図１における紙面右奥方向に向かって延在する略直方体形状を有している。
【００１５】
ｐ型ＭＱＢ層６の上面及びリッジ部２０の側面はＳｉＮ膜７で覆われている。
【００１６】
ＳｉＮ膜７におけるリッジ部２０の上面には開口部が形成されており、リッジ部２０上に形成されているｐ側電極８は上記開口部を介してリッジ部２０のｐ型キャップ層１１とオーミックコンタクトしている。
【００１７】
各層は例えばＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属気相成長法）によって形成することができる。
【００１８】
図１に示すエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、紙面手前側の面が一方の共振器面であり、紙面奥側の面（図示せず）が他方の共振器面である。ＭＱＷ活性層４で発生したレーザ光は一対の共振器面間で反射を繰り返すことによって波長が整えられて閾値以上の電流がこの半導体レーザ素子に流されたときに、少なくとも一方の共振器面（例えば図１における手前側の共振器面）からコヒーレント光であるレーザ光が出射される。
【００１９】
このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、図１の網掛け部で示すように、各共振器面におけるリッジ部２０及びその直下の領域のみに窓構造部３０が形成されている（図１では紙面手前側の窓構造部３０のみを表示している）。そのため、ｐ型ＭＱＢ層６は、リッジ部２０及びその直下の領域のみ無秩序化されており、それ以外の領域であるエッチング部２１は無秩序化されていないので、エッチングストッパ層として機能する。
【００２０】
ｎ型基板２は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板である。ｎ型基板２上には、ｎ型クラッド層３（第１クラッド層）が形成されている。ｎ型クラッド層３は、ｎ型（第１導電型）半導体である。ｎ型クラッド層３は、ｎ型基板２上にＧａＡｓのバッファ層を形成し、ＡｌＧａＩｎＰ層にＳｉドーピングして形成される。このｎ型クラッド層３は、一対の共振器面に接している。このｎ型クラッド層３は、例えば２８００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２１】
ｎ型クラッド層３上には、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４が形成されている。ＭＱＷ活性層４は、ＡｌＧａＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層とを交互に多層に形成されてなる。このＭＱＷ活性層４は、例えばトータルで１００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２２】
ＭＱＷ活性層４上には、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５（第２クラッド層）が形成されている。第１ｐ型クラッド層５は、ｐ型（第２導電型）半導体である。第１ｐ型クラッド層５は、ＡｌＧａＩｎＰ層にＭｇやＺｎをドーピングして形成される。第１ｐ型クラッド層５は、例えば１７０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２３】
第１ｐ型クラッド層５上には、一対の共振器面に接しエッチングストッパ層としてのｐ型ＭＱＢ層６が形成される。ｐ型ＭＱＢ層６は、エッチング部２１を形成するに際して、エッチング深度が第１ｐ型クラッド層５にまで及ばないようエッチングストッパ層として機能する。ｐ型ＭＱＢ層６は、ＧａＩｎＰ層とＡｌＧａＩｎＰ層とを交互に多層に形成されており、ＭｇやＺｎをドーピングして形成される。ｐ型ＭＱＢ層６は、例えばトータルで３４ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２４】
リッジ部２０においては、ｐ型ＭＱＢ層６上に一対の共振器面に接する第２ｐ型クラッド層９（第３クラッド層）が形成されている。第２ｐ型クラッド層９は、ｐ型（第２導電型）半導体である。第２ｐ型クラッド層９は、ＡｌＧａＩｎＰ層にＭｇやＺｎをドーピングして形成される。第２ｐ型クラッド層９は、例えば１２５０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２５】
第２ｐ型クラッド層９上には、ｐ型障壁緩和層１０が形成されている。ｐ型障壁緩和層１０は、ＧａＩｎＰ層にＺｎをドーピングして形成される。ｐ型障壁緩和層１０は、例えば４０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２６】
エッチング部２１におけるｐ型ＭＱＢ層６の上面及びリッジ部２０の側面には、ＳｉＮ膜７が形成されている。
【００２７】
リッジ部２０上には、ＳｉＮ膜７の開口部を介してｐ型キャップ層１１にオーミックコンタクトするｐ側電極８が形成されている。
【００２８】
この半導体レーザ素子は、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域とされて構成されている。
【００２９】
つぎに、上述したエアリッジ構造を有し一対の共振器面を有する半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【００３０】
先ず、図２に示すように、ｎ型基板２上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１ｐ型クラッド層５、ｐ型ＭＱＢ層６、第２ｐ型クラッド層９、ｐ型障壁緩和層１０、ｐ型キャップ層１１の順で成膜する（成膜工程）。
【００３１】
次に、図３に示すように、ｐ型キャップ層１１上に、図中前面（後面も同様）におけるｐ型キャップ層１１の前端部に相当する領域（後端部に相当する領域も同様）を残してレジスト１３を形成する。その後、レジスト１３で覆われていない領域のｐ型キャップ層１１を所定の深さまでエッチングして、段差部３１を形成する（段差部形成工程）。
【００３２】
さらに、ｐ型キャップ層１１上及びレジスト１３上にＺｎＯを成膜する。ＺｎＯはレジスト１３の段差によってｐ型キャップ層１１の段差部３１（エッチング領域）に形成されたＺｎＯ膜１２ａと、レジスト１３上に形成されたＺｎＯ膜１２ｂと、に分断されて成膜される。このＺｎＯ膜は、上述の窓構造部３０を形成するための拡散材料である。このＺｎＯ膜１２ａは、例えば５５ｎｍの膜厚で形成される。
【００３３】
次に、図４に示すように、ＺｎＯ膜１２ｂをレジスト１３と共に剥離（リフトオフ）する。これによって、ｐ型キャップ層１１の段差部３１（エッチング領域）のみのＺｎＯ膜１２ａ（拡散部３２）が残る（拡散部形成工程）。
【００３４】
次に、図５及び図６に示すように、ｐ型キャップ層１１上及びＺｎＯ膜１２ａ上にＳｉＯ２膜１４を成膜する。さらに、ＳｉＯ２膜１４上におけるリッジ部２０に相当する領域にレジスト１５を形成する。その後、レジスト１５をエッチングマスクとして露出した領域のＳｉＯ２膜１４及びＺｎＯ膜１２ａを一度にエッチングして除去する。これにより、窓構造部３０に対応する領域のみにＺｎＯ膜１２ａが残る。
【００３５】
次に、図７に示すように、レジスト１５を除去した後には、ＳｉＯ２膜１４は、ｐ型キャップ層１１上に形成され、一対の共振器面を連結する短冊状のエッチングマスクとなり、このようなストライプパターン形状を有するＳｉＯ２膜１４をエッチングマスクとして、露出した領域のｐ型キャップ層１１をエッチングして除去する。ｐ型キャップ層１１をエッチングする際、ｐ型障壁緩和層１０に対するエッチング速度よりもｐ型キャップ層１１に対するエッチング速度が極めて速いエッチャントを用いることにより、ｐ型障壁緩和層１０がエッチングストッパ層と機能するため、ｐ型キャップ層１１内における段差の影響を吸収することができるので、ｐ型キャップ層１１の部分的なエッチング残りの発生をなくすことができる。
【００３６】
次に、図８に示すように、上記ＳｉＯ２膜１４をエッチングマスクとして、ドライエッチングによってｐ型障壁緩和層１０を除去すると共に、第２ｐ型クラッド層９を所定の厚さだけ残して除去する（リッジ部形成工程）。例えば、ｐ型ＭＱＢ層６上における第２ｐ型クラッド層９ａの残り厚は１００ｎｍである。
【００３７】
次に、図９に示すように、上面の全体に、ＳｉＯ２膜１６を形成する。
【００３８】
次に、図１０に示すように、加熱温度及び加熱時間を制御して、ＺｎＯ膜１２ａ中のＺｎをリッジ部２０及びその直下の領域（ｎ型クラッド層３の途中までの領域）に拡散させ、リッジ部２０直下の領域のＭＱＷ活性層４を無秩序化させる。Ｚｎが拡散した無秩序化領域１７は前述の窓構造部３０となる（無秩序化工程）。
【００３９】
次に、図１１に示すように、ＳｉＯ２膜１６、ＳｉＯ２膜１４及びＺｎＯ膜１２ａを除去する。
【００４０】
次に、図１２に示すように、ｐ型キャップ層１１をエッチングマスクとしてｐ型ＭＱＢ層６上に残存している第２ｐ型クラッド層９ａを除去する。第２ｐ型クラッド層９ａをエッチングする際、ｐ型キャップ層１１に対するエッチング速度よりも第２ｐ型クラッド層９ａに対するエッチング速度が極めて速いエッチャントを用いることにより、ｐ型キャップ層１１がエッチングマスクとして機能するため、第２ｐ型クラッド層９ａのみを選択的に除去することができる。
【００４１】
次に、図１３に示すように、リッジ部２０を覆うようにｐ型ＭＱＢ層６上にＳｉＮ膜７を形成する。さらに、ＳｉＮ膜７に、リッジ部２０のｐ型キャップ層１１において無秩序化されていない領域を露出させる開口部をエッチングにて形成する。
【００４２】
なお、図１３は、図１２に示した状態で共振器面（各図における手前）に接する無秩序化されたｐ型キャップ層１１がエッチングにより除去され、共振器面から奥の無秩序化されていないｐ型キャップ層１１が残存した状態で、ＳｉＮ膜７を形成し、開口部を設けた後の状態を示している。そのため、図１３には、ｐ型キャップ層１１が現れていない。
【００４３】
その後、リッジ部２０上及びＳｉＮ膜７上にｐ型キャップ層１１と接触するｐ側電極８を形成し、ｎ型基板２の下面にｎ側電極１を形成する。即ち、ｐ型キャップ層１１は、無秩序化された領域がＳｉＮ膜７で覆われており、無秩序化されていない領域が上記開口部を介してｐ側電極８と接触している。
【００４４】
さらに所定の熱処理を行うことによってｐ側電極８とリッジ部２０のｐ型キャップ層１１とがオーミックコンタクトし、ｎ側電極１とｎ型基板２とがオーミックコンタクトする。
【００４５】
上述したエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子の製造方法によれば、リッジ部２０及びその直下の領域のみが無秩序化領域である窓構造部３０とされて構成することができる。
【００４６】
すなわち、このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子によれば、ｐ型キャップ層１１を第２ｐ型クラッド層９に至る途中まで除去し、拡散材料としてのＺｎＯ膜１２を埋め込む。その後、エアリッジ構造部２０となる部分のＺｎＯ膜１２を残し、エッチング部２１となる部分のＺｎＯ膜１２を除去した後に、ＺｎＯ膜１２中のＺｎを拡散させる。これによって、Ｚｎをリッジ部２０及びその直下の領域のみ拡散させ、エッチング部２１に相当する部分の直下には拡散させない。したがって、ｐ型ＭＱＢ層６を無秩序化させることなく、薬液に対してエッチング選択比が低下することがない。したがって、その後にウェットエッチングによって第２ｐ型クラッド層９を取り除いても、ＭＱＷ活性層４に隣接する第１ｐ型クラッド層５にまでエッチングが達することを防止し、製造バラツキが生じることがない。
【００４７】
以上より、このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子によれば、無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性を実現できる。
【００４８】
以上、図１〜図１３を用いて一方の共振器面（各図における手前の面）について説明してきたが、他方の共振器面（各図における奥側の面：図示せず）についても同様である。
【００４９】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００５０】
１ ｎ側電極
２ ｎ型基板
３ ｎ型クラッド層
４ ＭＱＷ活性層
５ 第１ｐ型クラッド層
６ ｐ型ＭＱＢ層
７ ＳｉＮ膜
８ ｐ側電極
９ 第２ｐ型クラッド層
１０ ｐ型障壁緩和層
１１ ｐ型キャップ層
１２ ＺｎＯ膜
１３ レジスト
１４ ＳｉＯ２膜
１５ レジスト
１６ ＳｉＯ２膜
１７ 無秩序化領域
２０ リッジ部
２１ エッチング部
３０ 窓構造部
３１ 段差部
３２ 拡散部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法、特に、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、化合物半導体レーザを高い光出力で動作させた場合に、出射端面（レーザの端面）に光学的損傷（Catastrophic Optical Damage ：ＣＯＤ）を生じ、レーザが破壊されることが知られている。これは、レーザ端面の活性層のバンドギャップが発熱により小さくなり、より光を吸収し、さらに発熱するということが繰り返されることによって生じる。
【０００３】
この問題に対する技術としては、例えば下記の特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された化合物半導体レーザは、静電気などから生ずるＣＯＤを防止するため、レーザ端面に設けられた光反射するミラーの内側に、窓構造と呼ばれる拡散による無秩序化領域を設けて、光吸収によるダメージを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−０２９６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、化合物半導体レーザとしては、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子が知られている。このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、共振器として凸状のエアリッジ構造を設けることによって放熱効率を高め、耐熱性を高めている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された化合物半導体レーザは、無秩序化された窓構造内ではＺｎの熱拡散により、エッチングストッパ層であるＭＱＢ（multi-quantum barriers：多重量子障壁）層も無秩序化されて、薬液に対するエッチング耐性が低下する。これにより、上述のエアリッジ構造を作成するときに、活性層に隣接するクラッド層にまでエッチングが達する場合がある。このように、化合物半導体レーザ素子によって製造バラツキが生じ、化合物半導体レーザによって横方向のレーザ光放射角にバラツキが生まれる。このため、発光特性の揃った化合物半導体レーザ素子を安定して生産できない問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決する第１の発明に係る半導体レーザ素子は、一対の共振器面を有する半導体レーザ素子であって、前記一対の共振器面に接する第１導電型の第１クラッド層（３）と、前記第１クラッド層（３）上に形成され、前記一対の共振器面に接する活性層（４）と、前記活性層（４）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型の第２クラッド層（５）と、前記第２クラッド層（５）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のエッチングストッパ層（６）と、前記エッチングストッパ層（６）上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のリッジ部（２０）と、を備え、前記一対の共振器面それぞれにおいて、前記リッジ部（２０）及びその直下の第１クラッド層（３）の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域（３０）とされて構成されていることを特徴とする。
【０００９】
上記の課題を解決する第２の発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、一対の共振器面を有する半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の製造方法であって、第１導電型の半導体基板（２）上に第１導電型の第１クラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型の第２クラッド層（５）、第２導電型のエッチングストッパ層（６）、第２導電型の第３クラッド層（９）、及び第２導電型のキャップ層（１１）を順次成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後に、前記一対の共振器面に対応する所定の領域における前記キャップ層（１１）をエッチングして前記キャップ層（１１）に段差部（３１）を形成する段差部形成工程と、前記段差部形成工程の後に、前記段差部（３１）に前記活性層（４）を無秩序化するための拡散材料を含む拡散部（１２ａ、３２）を形成する拡散部形成工程と、
前記拡散部形成工程の後に、前記キャップ層（１１）上に前記一対の共振器面を連結するように短冊状のエッチングマスク（１４）を形成し、前記エッチングマスク（１４）が形成されていない領域の前記拡散部（１２ａ、３２）、前記キャップ層（１１）、及び前記第３クラッド層（９）をエッチングしてリッジ部（２０）を形成するリッジ部形成工程と、前記リッジ部形成工程の後に、前記拡散部（１２ａ、３２）中の前記拡散材料を前記リッジ部（２０）及び前記リッジ部（２０）の直下の前記第１クラッド層（３）の途中に至るまでの領域に拡散させて前記拡散材料が拡散した領域を無秩序化する無秩序化工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、リッジ部の直下の領域のみを無秩序化しているので、無秩序化領域を設けた構造であっても素子毎の特性のばらつきが低減され、安定した発光特性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｎ型基板上、ｎ型クラッド層、ＭＱＷ活性層、第１ｐ型クラッド層、ｐ型ＭＱＢ層、第２ｐ型クラッド層、ｐ型障壁緩和層、ｐ型キャップ層を成膜した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｐ型キャップ層のエッチング部分のみのＺｎＯ膜を残した状態を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ｐ型キャップ層のエッチング部分のみのＺｎＯ膜を残した状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エアリッジ構造部となる幅方向部分のみに、ＳｉＯ２膜及びレジストを形成した状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、窓構造部となる部分以外のＺｎＯ膜を除去した状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、前端部に段差を有する残りのｐ型キャップ層を除去した状態を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エッチング部となるべき部分におけるｐ型障壁緩和層及び第２ｐ型クラッド層を除去した状態を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、上面の全体に、ＳｉＯ２膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＺｎＯ膜からリッジ部の直下部分にのみ、無秩序化領域を拡散させた状態を示す斜視図である。
【図１１】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＳｉＯ２膜及びＺｎＯ膜を除去した状態を示す斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、ＳｉＯ２膜及びエッチング部に相当する箇所の第２ｐ型クラッド層上に残存させていた第２ｐ型クラッド層を除去した状態を示す斜視図である。
【図１３】本発明の一実施形態として示すエアリッジ型半導体レーザ素子の製造工程において、エアリッジ構造部となる相当する一部分及びエッチング部となる箇所に、ＳｉＮ膜を形成した状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明を適用した、エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、例えば図１に示すように構成される。エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、ｎ型基板２の裏面にｎ側電極１が形成され、ｎ型基板２上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ（multi-quantum well：多重量子井戸）活性層４、第１ｐ型クラッド層５、及び、ｐ型ＭＱＢ（multi-quantum barriers：多重量子障壁）層６が順次積層されている。
【００１４】
ｐ型ＭＱＢ層６上には、第２ｐ型クラッド層９、ｐ型障壁緩和層１０、及び、後述するｐ型キャップ層１１が順次積層されたリッジ部２０が形成されている。リッジ部２０は図１における紙面右奥方向に向かって延在する略直方体形状を有している。
【００１５】
ｐ型ＭＱＢ層６の上面及びリッジ部２０の側面はＳｉＮ膜７で覆われている。
【００１６】
ＳｉＮ膜７におけるリッジ部２０の上面には開口部が形成されており、リッジ部２０上に形成されているｐ側電極８は上記開口部を介してリッジ部２０のｐ型キャップ層１１とオーミックコンタクトしている。
【００１７】
各層は例えばＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属気相成長法）によって形成することができる。
【００１８】
図１に示すエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、紙面手前側の面が一方の共振器面であり、紙面奥側の面（図示せず）が他方の共振器面である。ＭＱＷ活性層４で発生したレーザ光は一対の共振器面間で反射を繰り返すことによって波長が整えられて閾値以上の電流がこの半導体レーザ素子に流されたときに、少なくとも一方の共振器面（例えば図１における手前側の共振器面）からコヒーレント光であるレーザ光が出射される。
【００１９】
このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子は、図１の網掛け部で示すように、各共振器面におけるリッジ部２０及びその直下の領域のみに窓構造部３０が形成されている（図１では紙面手前側の窓構造部３０のみを表示している）。そのため、ｐ型ＭＱＢ層６は、リッジ部２０及びその直下の領域のみ無秩序化されており、それ以外の領域であるエッチング部２１は無秩序化されていないので、エッチングストッパ層として機能する。
【００２０】
ｎ型基板２は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板である。ｎ型基板２上には、ｎ型クラッド層３（第１クラッド層）が形成されている。ｎ型クラッド層３は、ｎ型（第１導電型）半導体である。ｎ型クラッド層３は、ｎ型基板２上にＧａＡｓのバッファ層を形成し、ＡｌＧａＩｎＰ層にＳｉドーピングして形成される。このｎ型クラッド層３は、一対の共振器面に接している。このｎ型クラッド層３は、例えば２８００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２１】
ｎ型クラッド層３上には、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４が形成されている。ＭＱＷ活性層４は、ＡｌＧａＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層とを交互に多層に形成されてなる。このＭＱＷ活性層４は、例えばトータルで１００ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２２】
ＭＱＷ活性層４上には、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５（第２クラッド層）が形成されている。第１ｐ型クラッド層５は、ｐ型（第２導電型）半導体である。第１ｐ型クラッド層５は、ＡｌＧａＩｎＰ層にＭｇやＺｎをドーピングして形成される。第１ｐ型クラッド層５は、例えば１７０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２３】
第１ｐ型クラッド層５上には、一対の共振器面に接しエッチングストッパ層としてのｐ型ＭＱＢ層６が形成される。ｐ型ＭＱＢ層６は、エッチング部２１を形成するに際して、エッチング深度が第１ｐ型クラッド層５にまで及ばないようエッチングストッパ層として機能する。ｐ型ＭＱＢ層６は、ＧａＩｎＰ層とＡｌＧａＩｎＰ層とを交互に多層に形成されており、ＭｇやＺｎをドーピングして形成される。ｐ型ＭＱＢ層６は、例えばトータルで３４ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２４】
リッジ部２０においては、ｐ型ＭＱＢ層６上に一対の共振器面に接する第２ｐ型クラッド層９（第３クラッド層）が形成されている。第２ｐ型クラッド層９は、ｐ型（第２導電型）半導体である。第２ｐ型クラッド層９は、ＡｌＧａＩｎＰ層にＭｇやＺｎをドーピングして形成される。第２ｐ型クラッド層９は、例えば１２５０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２５】
第２ｐ型クラッド層９上には、ｐ型障壁緩和層１０が形成されている。ｐ型障壁緩和層１０は、ＧａＩｎＰ層にＺｎをドーピングして形成される。ｐ型障壁緩和層１０は、例えば４０ｎｍの膜厚で形成されている。
【００２６】
エッチング部２１におけるｐ型ＭＱＢ層６の上面及びリッジ部２０の側面には、ＳｉＮ膜７が形成されている。
【００２７】
リッジ部２０上には、ＳｉＮ膜７の開口部を介してｐ型キャップ層１１にオーミックコンタクトするｐ側電極８が形成されている。
【００２８】
この半導体レーザ素子は、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域とされて構成されている。
【００２９】
つぎに、上述したエアリッジ構造を有し一対の共振器面を有する半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【００３０】
先ず、図２に示すように、ｎ型基板２上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１ｐ型クラッド層５、ｐ型ＭＱＢ層６、第２ｐ型クラッド層９、ｐ型障壁緩和層１０、ｐ型キャップ層１１の順で成膜する（成膜工程）。
【００３１】
次に、図３に示すように、ｐ型キャップ層１１上に、図中前面（後面も同様）におけるｐ型キャップ層１１の前端部に相当する領域（後端部に相当する領域も同様）を残してレジスト１３を形成する。その後、レジスト１３で覆われていない領域のｐ型キャップ層１１を所定の深さまでエッチングして、段差部３１を形成する（段差部形成工程）。
【００３２】
さらに、ｐ型キャップ層１１上及びレジスト１３上にＺｎＯを成膜する。ＺｎＯはレジスト１３の段差によってｐ型キャップ層１１の段差部３１（エッチング領域）に形成されたＺｎＯ膜１２ａと、レジスト１３上に形成されたＺｎＯ膜１２ｂと、に分断されて成膜される。このＺｎＯ膜は、上述の窓構造部３０を形成するための拡散材料である。このＺｎＯ膜１２ａは、例えば５５ｎｍの膜厚で形成される。
【００３３】
次に、図４に示すように、ＺｎＯ膜１２ｂをレジスト１３と共に剥離（リフトオフ）する。これによって、ｐ型キャップ層１１の段差部３１（エッチング領域）のみのＺｎＯ膜１２ａ（拡散部３２）が残る（拡散部形成工程）。
【００３４】
次に、図５及び図６に示すように、ｐ型キャップ層１１上及びＺｎＯ膜１２ａ上にＳｉＯ２膜１４を成膜する。さらに、ＳｉＯ２膜１４上におけるリッジ部２０に相当する領域にレジスト１５を形成する。その後、レジスト１５をエッチングマスクとして露出した領域のＳｉＯ２膜１４及びＺｎＯ膜１２ａを一度にエッチングして除去する。これにより、窓構造部３０に対応する領域のみにＺｎＯ膜１２ａが残る。
【００３５】
次に、図７に示すように、レジスト１５を除去した後には、ＳｉＯ２膜１４は、ｐ型キャップ層１１上に形成され、一対の共振器面を連結する短冊状のエッチングマスクとなり、このようなストライプパターン形状を有するＳｉＯ２膜１４をエッチングマスクとして、露出した領域のｐ型キャップ層１１をエッチングして除去する。ｐ型キャップ層１１をエッチングする際、ｐ型障壁緩和層１０に対するエッチング速度よりもｐ型キャップ層１１に対するエッチング速度が極めて速いエッチャントを用いることにより、ｐ型障壁緩和層１０がエッチングストッパ層と機能するため、ｐ型キャップ層１１内における段差の影響を吸収することができるので、ｐ型キャップ層１１の部分的なエッチング残りの発生をなくすことができる。
【００３６】
次に、図８に示すように、上記ＳｉＯ２膜１４をエッチングマスクとして、ドライエッチングによってｐ型障壁緩和層１０を除去すると共に、第２ｐ型クラッド層９を所定の厚さだけ残して除去する（リッジ部形成工程）。例えば、ｐ型ＭＱＢ層６上における第２ｐ型クラッド層９ａの残り厚は１００ｎｍである。
【００３７】
次に、図９に示すように、上面の全体に、ＳｉＯ２膜１６を形成する。
【００３８】
次に、図１０に示すように、加熱温度及び加熱時間を制御して、ＺｎＯ膜１２ａ中のＺｎをリッジ部２０及びその直下の領域（ｎ型クラッド層３の途中までの領域）に拡散させ、リッジ部２０直下の領域のＭＱＷ活性層４を無秩序化させる。Ｚｎが拡散した無秩序化領域１７は前述の窓構造部３０となる（無秩序化工程）。
【００３９】
次に、図１１に示すように、ＳｉＯ２膜１６、ＳｉＯ２膜１４及びＺｎＯ膜１２ａを除去する。
【００４０】
次に、図１２に示すように、ｐ型キャップ層１１をエッチングマスクとしてｐ型ＭＱＢ層６上に残存している第２ｐ型クラッド層９ａを除去する。第２ｐ型クラッド層９ａをエッチングする際、ｐ型キャップ層１１に対するエッチング速度よりも第２ｐ型クラッド層９ａに対するエッチング速度が極めて速いエッチャントを用いることにより、ｐ型キャップ層１１がエッチングマスクとして機能するため、第２ｐ型クラッド層９ａのみを選択的に除去することができる。
【００４１】
次に、図１３に示すように、リッジ部２０を覆うようにｐ型ＭＱＢ層６上にＳｉＮ膜７を形成する。さらに、ＳｉＮ膜７に、リッジ部２０のｐ型キャップ層１１において無秩序化されていない領域を露出させる開口部をエッチングにて形成する。
【００４２】
なお、図１３は、図１２に示した状態で共振器面（各図における手前）に接する無秩序化されたｐ型キャップ層１１がエッチングにより除去され、共振器面から奥の無秩序化されていないｐ型キャップ層１１が残存した状態で、ＳｉＮ膜７を形成し、開口部を設けた後の状態を示している。そのため、図１３には、ｐ型キャップ層１１が現れていない。
【００４３】
その後、リッジ部２０上及びＳｉＮ膜７上にｐ型キャップ層１１と接触するｐ側電極８を形成し、ｎ型基板２の下面にｎ側電極１を形成する。即ち、ｐ型キャップ層１１は、無秩序化された領域がＳｉＮ膜７で覆われており、無秩序化されていない領域が上記開口部を介してｐ側電極８と接触している。
【００４４】
さらに所定の熱処理を行うことによってｐ側電極８とリッジ部２０のｐ型キャップ層１１とがオーミックコンタクトし、ｎ側電極１とｎ型基板２とがオーミックコンタクトする。
【００４５】
上述したエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子の製造方法によれば、リッジ部２０及びその直下の領域のみが無秩序化領域である窓構造部３０とされて構成することができる。
【００４６】
すなわち、このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子によれば、ｐ型キャップ層１１を第２ｐ型クラッド層９に至る途中まで除去し、拡散材料としてのＺｎＯ膜１２を埋め込む。その後、エアリッジ構造部２０となる部分のＺｎＯ膜１２を残し、エッチング部２１となる部分のＺｎＯ膜１２を除去した後に、ＺｎＯ膜１２中のＺｎを拡散させる。これによって、Ｚｎをリッジ部２０及びその直下の領域のみ拡散させ、エッチング部２１に相当する部分の直下には拡散させない。したがって、ｐ型ＭＱＢ層６を無秩序化させることなく、薬液に対してエッチング選択比が低下することがない。したがって、その後にウェットエッチングによって第２ｐ型クラッド層９を取り除いても、ＭＱＷ活性層４に隣接する第１ｐ型クラッド層５にまでエッチングが達することを防止し、製造バラツキが生じることがない。
【００４７】
以上より、このエアリッジ構造を有する半導体レーザ素子によれば、無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性を実現できる。
【００４８】
以上、図１〜図１３を用いて一方の共振器面（各図における手前の面）について説明してきたが、他方の共振器面（各図における奥側の面：図示せず）についても同様である。
【００４９】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００５０】
１ ｎ側電極
２ ｎ型基板
３ ｎ型クラッド層
４ ＭＱＷ活性層
５ 第１ｐ型クラッド層
６ ｐ型ＭＱＢ層
７ ＳｉＮ膜
８ ｐ側電極
９ 第２ｐ型クラッド層
１０ ｐ型障壁緩和層
１１ ｐ型キャップ層
１２ ＺｎＯ膜
１３ レジスト
１４ ＳｉＯ２膜
１５ レジスト
１６ ＳｉＯ２膜
１７ 無秩序化領域
２０ リッジ部
２１ エッチング部
３０ 窓構造部
３１ 段差部
３２ 拡散部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の共振器面を有する半導体レーザ素子であって、
前記一対の共振器面に接する第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成され、前記一対の共振器面に接する活性層と、
前記活性層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のエッチングストッパ層と、
前記エッチングストッパ層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のリッジ部と、
を備え、
前記一対の共振器面それぞれにおいて、前記リッジ部及びその直下の第１クラッド層の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域とされて構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
一対の共振器面を有する半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の製造方法であって、
第１導電型の半導体基板上に第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層、第２導電型のエッチングストッパ層、第２導電型の第３クラッド層、及び第２導電型のキャップ層を順次成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後に、前記一対の共振器面に対応する所定の領域における前記キャップ層をエッチングして前記キャップ層に段差部を形成する段差部形成工程と、
前記段差部形成工程の後に、前記段差部に前記活性層を無秩序化するための拡散材料を含む拡散部を形成する拡散部形成工程と、
前記拡散部形成工程の後に、前記キャップ層上に前記一対の共振器面を連結するように短冊状のエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクが形成されていない領域の前記拡散部、前記キャップ層、及び前記第３クラッド層をエッチングしてリッジ部を形成するリッジ部形成工程と、
前記リッジ部形成工程の後に、前記拡散部中の前記拡散材料を前記リッジ部及び前記リッジ部の直下の前記第１クラッド層の途中に至るまでの領域に拡散させて前記拡散材料が拡散した領域を無秩序化する無秩序化工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１】
一対の共振器面を有する半導体レーザ素子であって、
前記一対の共振器面に接する第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成され、前記一対の共振器面に接する活性層と、
前記活性層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のエッチングストッパ層と、
前記エッチングストッパ層上に形成され、前記一対の共振器面に接する第２導電型のリッジ部と、
を備え、
前記一対の共振器面それぞれにおいて、前記リッジ部及びその直下の第１クラッド層の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域とされて構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
一対の共振器面を有する半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の製造方法であって、
第１導電型の半導体基板上に第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層、第２導電型のエッチングストッパ層、第２導電型の第３クラッド層、及び第２導電型のキャップ層を順次成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後に、前記一対の共振器面に対応する所定の領域における前記キャップ層をエッチングして前記キャップ層に段差部を形成する段差部形成工程と、
前記段差部形成工程の後に、前記段差部に前記活性層を無秩序化するための拡散材料を含む拡散部を形成する拡散部形成工程と、
前記拡散部形成工程の後に、前記キャップ層上に前記一対の共振器面を連結するように短冊状のエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクが形成されていない領域の前記拡散部、前記キャップ層、及び前記第３クラッド層をエッチングしてリッジ部を形成するリッジ部形成工程と、
前記リッジ部形成工程の後に、前記拡散部中の前記拡散材料を前記リッジ部及び前記リッジ部の直下の前記第１クラッド層の途中に至るまでの領域に拡散させて前記拡散材料が拡散した領域を無秩序化する無秩序化工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−２２２０３７（Ｐ２０１２−２２２０３７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８３６９３（Ｐ２０１１−８３６９３）
【出願日】平成２３年４月５日（２０１１．４．５）
【出願人】（３０８０３６４０２）株式会社ＪＶＣケンウッド (1,152)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月５日（２０１１．４．５）
【出願人】（３０８０３６４０２）株式会社ＪＶＣケンウッド (1,152)
【Ｆターム（参考）】
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