【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ重畳をかけることなく戻り光雑音を抑制することができるシングルモード半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層には、誘導放出を行うアクティブ領域以外に、光出射端面から一定の距離内に誘導放出を行わないパッシブ領域が設けられ、パッシブ領域の屈折率をｎ_Ｐ、活性層のうち、メサストライプ領域の屈折率をｎ_Ｓ、アクティブ領域のうち、メサストライプ領域中心部の屈折率をｎ_Ｃ、としたときに、誘導放出を行う動作時の屈折率がｎ_Ｐ＜ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｃである。誘導放出されたレーザ光は、パッシブ領域によりスポットサイズが広げられ、光出射端面から出力する。 （もっと読む）

【課題】より高い光出力を実現できる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、第１導電型半導体層領域と、前記第１導電型半導体層領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型半導体層領域と、前記活性層に注入する電流経路を狭窄するための電流狭窄領域を有する電流狭窄構造と、を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体層領域と前記第２導電型半導体層領域とから前記活性層に電流を注入するための２つの電極と、を備え、前記半導体層積層構造は、光出射方向に垂直な幅方向において前記電流狭窄領域とは幅中心が許容範囲内で一致するように形成された非窓領域と、前記非窓領域を囲むように形成され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記非窓領域よりも大きい窓領域とを有し、前記電流狭窄領域の幅をＷ１、前記非窓領域の幅をＷ２とすると、３μｍ≦Ｗ２−Ｗ１が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】低い閾値で高温状態においても高出力が可能な面発光型レーザ等に用いられるｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ｐ型不純物元素としてＭｇまたはＺｎを含む、III−Ｖ族の化合物半導体材料により形成される低屈折率層と高屈折率層とが積層されたｐ型半導体ＤＢＲ構造体において、前記低屈折率層には、一部に不純物拡散防止層が設けられており、前記不純物拡散防止層におけるＡｌ組成比は、前記低屈折率層における不純物拡散防止層以外の領域におけるＡｌ組成比よりも高いことを特徴するｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、高出力化のためのＣＯＤ抑制とキンク抑制とを両立する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００において、第１導電型半導体基板１０１上に、第１導電型クラッド層１０２と、量子井戸構造の活性層１０３と、第１の第２導電型クラッド層１０４と、第２導電型エッチングストップ層１０５と、リッジストライプ形状の第２の第２導電型クラッド層１０６と、第２導電型コンタクト層１０７とが順次積層されている。前端面１４０及び後端面１４１を有する共振器の一対の共振器端面部において、第２の第２導電型クラッド層１０６から活性層１０３までＺｎが拡散された端面窓領域１２０及び１２１が形成されている。後端面の端面窓領域１２１における活性層１０３の発光波長は、前端面の端面窓領域１３０における活性層１０３の発光波長よりも長波長である （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。同層５の上に不純物供給源としてＳｉＯ₂膜１５を形成し、保護膜１６で全面を被覆する。約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。両膜１５，１６の除去後、積層されたガイド層５上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｍｇをドーパントとし且つアンモニア及びヒトラジン誘電体を窒素供給源として、ｐ型層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層とｐ型電極との接触抵抗を従来よりも低減化し、動作電圧の低い窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を有し、前記ｐ型コンタクト層がｐ型電極１１側から順にｐ型第一コンタクト層１０とｐ型第二コンタクト層９によって構成される窒化物半導体素子１において、前記第一コンタクト層１０がｐ型不純物を１．０×１０²⁰ｃｍ^-3以上２．０×１０²⁰ｃｍ^-3以下含有したＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．２）からなり、前記ｐ型第二コンタクト層９はｐ型不純物を前記ｐ型第一コンタクト層より低濃度で含有し、Ｉｎ組成比が前記ｐ型第一コンタクト層１０より低いＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜０．２）からなるものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルを高めるために量子井戸活性層の無秩序化を強化すると共に、格子欠陥の発生と無効電流の発生を抑制し、高出力動作状態における発光効率の飽和が回避され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】同一基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるバッファ層と、拡散防止層と、第一クラッド層と、量子井戸活性層と、第二クラッド層とを有する第１の半導体レーザと第２の半導体レーザとを備え、端面近傍における第二クラッド層、量子井戸活性層および第一クラッド層に不純物が拡散されて無秩序化された窓領域が形成され、窓領域における第一クラッド層と拡散防止層との間にｐｎ接合が形成され、第１、第２の半導体レーザの量子井戸活性層の禁制帯幅をＥ１、Ｅ２、第１、第２の半導体レーザのｐｎ接合の立ち上がり電圧をＶ１、Ｖ２とすると、Ｅ１＜ｅ×Ｖ１、Ｅ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】 単一モードの発振光を得やすく、低いしきい値電流で発振し、活性層の歪みによる波長シフトと素子の劣化を低減させることの可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 この面発光レーザ素子は、駆動基体と、面発光レーザ下部基体とを有し、駆動基体は、第１のミラー層１と、第１のミラー層１が配置されているたわみ膜２と、たわみ膜２の第１のミラー層１とは反対の側に第１の空隙３を介して配置されている支持基板４と、たわみ量を制御するために、たわみ膜２と支持基板４とに設けられている一対の変位制御電極５ａ，５ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの製造における窓部への酸化亜鉛拡散処理後、確認が難しい不要な酸化亜鉛の残存状態未確認のまま、後工程の熱処理を含むプロセスに入ってしまうと残存した酸化亜鉛があった場合、必要以上に窓部に亜鉛が拡散し、半導体レーザの特性を悪化させるという不具合を防止した半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの窓構造形成工程（Ｓ２）後の第１の酸化亜鉛除去工程（Ｓ４）終了後において酸化亜鉛への紫外線照射を含む酸化亜鉛の残存量測定工程（Ｓ５）を配置し、この酸化亜鉛の残存量測定工程（Ｓ５）において熱拡散した後の酸素欠陥が生じている酸化亜鉛の前記酸素欠陥に電子がトラップされ色中心が紫外線領域となり黒色に変色する現象に基づき酸化亜鉛の残存量を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を選択的に制御させることができる方法を提供する。
【解決手段】不純物としてＬｉを８７ｐｐｍ含有するＧａＮ単結晶（未処理）４と、ＧａＣｌ3を含むＫＣｌ溶液５とＧａ金属６とを、石英アンプル管１に真空封入して横型炉にセットし、石英ガラス反応管２を加熱し９００℃で２００時間保持した後、石英ガラス反応管２を取り出し、空気中で急冷する。石英アンプル管１の内部から固体状となった試料を取り出して１００℃の温水処理を間施し、次いで、塩酸を用いて酸処理を行い、内容物を溶解することにより溶液中にＧａＮ単結晶が沈殿して残る。これを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、処理前に比較して不純物元素であるＬｉ含有量の低いＧａＮ単結晶が得られる。逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６Ａ、ストップ層１７、上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９を備える。上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９がリッジ部２０を構成し、リッジ部２０の両端に前端面Ｓ１，後端面Ｓ２を有する。前端面Ｓ１，後端面Ｓ２のうち少なくとも一方の端面およびその近傍に、活性層１４の発光波長に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する不純物拡散領域３０を有し、少なくともリッジ部２０の幅方向の両端部との対向領域に、リッジ部２０の上面から少なくとも活性層１４にまで達する峰３１を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置を構成する半導体層を形成してから、狭い範囲に窓部を形成することを可能にする。
【解決手段】半導体発光装置が形成されるもので第１クラッド層１３と第２クラッド層１７，１９との間に活性層１５を有する半導体層２１を形成するときに第２クラッド層１７，１９の中間層としてエッチングストッパ層１８を形成しておき、半導体層２１で形成される半導体発光装置の発光端面が形成される領域上に、エッチングストッパ層１８に達する第１溝２２を形成し、該第１溝２２底部に形成した拡散物質を含む膜（図示せず）中の拡散物質を第１溝２２底部から拡散させて、第１クラッド層１３に達する拡散領域２５を形成した後、拡散物質を含む膜を除去してから第１溝２２底部の拡散領域２５に第２溝２６を形成して、第２溝２６側面に活性層１５の端面を露出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力光の利用効率の高い半導体発光チップを提供する。
【解決手段】反射鏡４８を備えた点光源ＬＥＤチップ（半導体発光チップ）１０は、点光源ＬＥＤチップ１０の一面上に固着され、光透過面４２を底面に光学的に露出させる凹穴４６を有する支持層１４と、その凹穴４６の内周面に形成されて光透過面４２から出力される光のうちのその内周面に入射する光を反射する反射鏡４８とを、含むことから、光軸Ａに対して所定角度以上の斜めの光であっても反射鏡４８により反射されて利用可能とされる。たとえば光ファイバ１２の端面５６に入射させられて、出力光の利用効率の高い点光源ＬＥＤチップ１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層に残留する水素を低減することにより、高出力で且つ長寿命の窒化物半導体装置を得る。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上または上方に形成され、窒化物半導体からなり、第１の不純物を含むｐ型半導体層と、ｐ型半導体層に接し、水素を捕獲する第２の不純物を含む不純物領域２３を有する絶縁膜２０とを備えている。ｐ型半導体層内に残留する水素を不純物領域２３が捕獲するため、不純物領域２３の水素濃度は絶縁膜２０のうち不純物領域２３を除く部分よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体基板１上に形成されたｎ型クラッド層２と、前記ｎ型クラッド層２の上に量子井戸構造からなる活性層３と、前記活性層３の上にリッジ部１６と当該リッジ部１６の両側にストライプ溝部１５とを有するｐ型クラッド層４ａ、４ｂとを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａ内にｎ型半導体領域７を有し、前記ｎ型半導体領域７の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａの積層方向の厚さの５０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

量子井戸無秩序化(ＱＷＩ)の方法の実施形態は、それぞれがバリア層を有する上層エピタキシャル層(１３)及び下層エピタキシャル層(１０)並びに上層エピタキシャル層(１３)と下層エピタキシャル層(１０)の間に配された量子井戸層(１１)を有するウエハ(１)を提供する工程、上層エピタキシャル層に重ねて少なくとも１つの犠牲層(２１)を施す工程、及び犠牲層の一部に重ねてＱＷＩ強化層(３１)を施すことによってＱＷＩ強化領域及びＱＷＩ抑制領域を形成する工程を含み、ＱＷＩ強化層(３１)の下になる領域がＱＷＩ強化領域であり、他の領域はＱＷＩ抑制領域である。この方法はさらに、ＱＷＩ強化領域及びＱＷＩ抑制領域に重ねてＱＷＩ抑制層(４１)を施す工程、及び量子井戸層(１１)と上層エピタキシャル層(１３)及び下層エピタキシャル層(１０)のバリア層の間で原子の相互拡散をおこさせるに十分な温度でアニールする工程を含む。
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【課題】高出力で且つ低コストなモノリシック型の二波長又はそれ以上の多波長レーザ装置レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子１２及び第２の半導体レーザ素子１３を備えている。第１の半導体レーザ素子１２は、端面の近傍に形成された第１の不純物を含む領域である第１の端面窓構造４１を有し、第２の半導体レーザ素子は、端面の近傍に形成された第２の不純物を含む領域である第２の端面窓構造４２を有し、第１の活性層２３の下端から第１の端面窓構造４１の下端までの距離は、第２の活性層３３の下端から第２の端面窓構造４２の下端までの距離よりも短い。 （もっと読む）