【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成の際の熱処理によりエピタキシャル成長膜が劣化するのを抑制し、電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を劣化させること無く、レーザの基本特性を維持した上で窓構造を形成する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。そして、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ＺｎＯ膜８から活性層４を含む領域に不純物原子を選択的に拡散させることにより、結晶性を保ったまま活性層４のバンドギャップを選択的に拡大し、共振器端面部に光学的非吸収窓領域１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９によって、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域４８の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成の際の熱処理によりエピタキシャル成長膜が劣化するのを抑制し、電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を劣化させること無く、レーザの基本特性を維持した上で窓構造を形成する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の所定領域に固相拡散源８を選択的に形成した後、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、固相拡散源８から、活性層４を含む領域に不純物原子を拡散させて光学的非吸収窓領域１４を形成することにより、窓領域１４形成時の拡散処理温度を従来よりも低温で行うことができるため、結晶表面や結晶内が必要以上に窓形成による熱的ダメージを免れることができ、ｐ側電極１２とｐ型ＧａＮコンタクト層７と間のコンタクト特性を劣化させること無く窓領域を共振器端面に形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の困難な半導体による材料系においても、屈折率に分布をつけずに導電性分布を形成することが可能となる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、
ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を一部除去することによって、前記半導体層上に凹凸構造を形成する工程と、
前記凹凸構造が形成された半導体層を、該半導体層を構成する材料がマストランスポートを起こす温度で熱処理し、
前記凹凸構造の凹部の空孔を前記半導体層を構成する材料で埋設することにより、前記半導体層中に前記凹凸構造を反映した導電性分布を形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを実現できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窓領域を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、ｐ−コンタクト層１８表面のうち非窓領域に対応する領域に第１の誘電体膜を形成する第１の誘電体膜形成工程と、ｐ−コンタクト層１８表面のうち窓領域に対応する領域に、熱処理が行なわれた場合に直下の半導体層内部の不純物を拡散させる作用を有する第２の誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、第２の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物を第１の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物よりも多く拡散させて、第２の誘電体膜下部の半導体層の少なくとも一部領域が混晶化した窓領域を形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、必要最小限の不純物量で不純物拡散を制御し、プロセスコストを低減することが可能な半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法、および不純物拡散方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体レーザ装置は、半導体基板８０１上に形成されたダブルへテロ構造を有し、ダブルへテロ構造は、半導体基板８０１上に形成された第一導電型クラッド層８０２と、第一導電型クラッド層８０２上に形成された、ウェル層とバリア層との積層を含む活性層８０３と、活性層８０３上に形成された第二導電型クラッド層８０４とを備え、活性層８０３の光の出射端面の近傍に不純物拡散領域８０９を形成し、不純物拡散領域８０９の半導体基板８０１側の輪郭形状は、複数の山を有する波形形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。同層５の上に不純物供給源としてＳｉＯ₂膜１５を形成し、保護膜１６で全面を被覆する。約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。両膜１５，１６の除去後、積層されたガイド層５上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｍｇをドーパントとし且つアンモニア及びヒトラジン誘電体を窒素供給源として、ｐ型層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射放射角の精度を改善できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板１上に、少なくとも第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層８、第２導電型コンタクト層１０、エッチングストップ層１１、及び不純物を含む拡散源層１２を順次積層する。拡散源層１２を所定の領域を残し他の領域を除去する。拡散源層１２中の不純物を所定の領域に拡散させてその領域の活性層５を無秩序化させる。拡散源層１２、エッチングストップ層１１を順次除去する。コンタクト層１０を部分的にエッチングしてリッジ１５を形成する。エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】光学破壊による端面劣化を抑制できるとともに低閾値電流な半導体レーザを歩留良く生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザにおいては、一方の端面から共振器方向の距離が２μｍ以内の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλｗ（ｎｍ）とし、共振器長をＬとして、一方の端面から共振器方向の距離が（３／１０）Ｌ以上、（７／１０）Ｌ以下の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλａ(ｎｍ)とし、共振器方向において、光の波長がλｗ＋２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置から、光の波長がλａ−２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置との間を遷移領域とし、遷移領域の長さをＬｔとしたとき、λａ−λｗ＞１５ｎｍであり、Ｌｔが２５μｍ未満となるものである。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】劈開時に生じた段差に起因する歩留まりの低下やレーザ特性の劣化を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。段差閉じ込め層１９は、半導体基板１２に対して１％以上の圧縮歪み量を有する。キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】横方向に光閉じ込め増加により、発振閾値電流が小さい、放射光のアスベクト比は低い半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の上に量子井戸構造を含む活性層と、前記活性層の上にストライプ溝を有する第２導電型半導体層とを備え、前記ストライプ溝部下の活性層の一部を無秩序化させて、前記無秩序化される領域とリッジ部間の第２導電型半導体層の中に活性層まで領域の一部が不純物を熱拡散法によって第1導電型半導体に変更されるものを持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無極性面の主面を有する窒化物系半導体結晶基板を含む窒化物系半導体発光素子の動作特性を改善する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体結晶の基板とこの基板の一主面上に形成された窒化物系半導体結晶の半導体積層構造とを含み、この半導体積層構造はｎ型層とｐ型層とに挟まれた発光層を含み、基板の主面は窒化物系半導体結晶の｛１０−１０｝面を基準として＜０００１＞軸の周りに−０．５°以上−０．０５°以下または＋０．０５°以上＋０．５°以下の角度だけ回転させられた傾斜面を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】１０Ｇｂｐｓ以上の高速変調が可能な半導体レーザを得る。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（ｐ型クラッド層）、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層１４（活性層）及びｎ型ＩｎＰクラッド層１６（ｎ型クラッド層）が積層されたリッジ構造１８が形成されている。リッジ構造１８の両側は埋込層２０で埋め込まれている。埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】キンクレベル、動作電圧、温度特性及び水平広がり角が最適化された２波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１発光部１及びそれより発光波長の長い第２発光部２を有する。第１発光部１及び第２発光部２は各々キャリア注入に用いるストライプ状リッジ構造を有する。第１発光部１のリッジ構造４０は、幅Ｗｆ１で前端面５から長さＬ３の第１前端領域４０ｃ、幅Ｗｒ１で後端面６から長さＬ１の第１後端領域４０ａ及びこれらの間の長さＬ２の第１テーパ領域４０ｂを備え、Ｗｆ１＞Ｗｒ１である。第２発光部２のリッジ構造４１は、幅Ｗｆ２で前端面５から長さＬ６の第２前端領域４１ｃ、幅Ｗｒ２で後端面６から長さＬ４の第２後端領域４１ａ及びこれらの間の長さＬ５の第２テーパ領域４１ｂを備え、Ｗｆ２＞Ｗｒ２である。更にＬ１＋Ｌ２＋Ｌ３＝Ｌ４＋Ｌ５＋Ｌ６、Ｗｆ１＜Ｗｆ２及びＬ１＞Ｌ４である。 （もっと読む）