【課題】キャビティモードを崩すことなくＱスイッチでのレーザ発振が可能となるナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザを提供する。
【解決手段】ナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザであって、
前記キャビティは、所定周期で形成された孔を備えた二つのミラー領域と、該二つのミラー領域で挟まれたキャビティ領域と、を有し、
前記キャビティ領域は、電源からのキャリアが注入される活性層と、発振周波数の光子エネルギーよりも広いバンドギャップをもつワイドギャップ半導体と、を備えると共に、
前記ワイドギャップ半導体に、キャリア分布を発生させるキャリア分布発生手段を備え、
前記キャリア分布発生手段によるキャリア分布の発生により、キャビティモードを崩すことなく、キャビティの損失を制御する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法を提供する。
【解決手段】能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。 （もっと読む）

【課題】短波長かつ大出力のレーザ素子を利用した光学モジュールにおいて、気密封止されない光学部品の汚染を防止する。
【解決手段】光学部品（１０、２０、３０、４０、５０）は、波長４６０ｎｍ以下のレーザ光αを出射もしくは透過させるものであって、その表面上には少なくとも一部に誘電体膜からなる第１のコーティングＡが施されており、第１のコーティングＡ上には、貴金属もしくは白金族元素を含有した誘電体膜からなる第２のコーティングＢが施されている。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、ディスク状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたディスク状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともディスク外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはディスク外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体バーＢＡＲ１及び基板生産物ＳＰ１は、それぞれ、単一のへき開動作により生成されたへき開面ＣＬ１、ＣＬ２を有する。へき開面ＣＬ１には転写マース及び残留マークが現れる。転写マース及び残留マークがしっかりと案内して、このへき開面が形成される。へき開により、残留マーク３５ａは第１窪み５１ａ及び第２窪み５３ａに分離され、残留マーク３５ｂは第１窪み５１ｂ及び第２窪み５３ｂに分離される。転写マーク３７ａは第１窪み５５ａ及び第２窪み５７ａに分離され、転写マークは３７ｂ第１窪み５５ｂ及び第２窪み５７ｂに分離される。半導体バーＢＡＲ１のへき開面ＣＬ１は、残留マークからの第１窪み５１ａ、５１ｂ及び転写マークからの第１窪み５５ａ、５５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスなどに起因して初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制し、発振特性などの特性の向上や安定化を実現することができる導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層に接し且つ２つの導体層の間に配置され半導体部１０１を含むコア層１０２を有する。少なくとも第一の導体層１０３は、面内方向に広がった特定の凹凸構造１０９、１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザであって、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザの共振器構造が、その両端面に関する対称軸を有する。そして、半導体レーザからの第１及び第２の光出力を半導体基板の単一の端面から取り出すため、共振器構造の第１の端面に第１の出力導波路、第２の端面に第２の出力導波路を接続する。第１及び第２の出力導波路からの第１及び第２の光出力を等しくするために、半導体レーザと第１及び第２の出力導波路の方位を９０度傾ける。半導体レーザとしてλ/４位相シフトを中央に設けたＤＦＢレーザを用いることができる。また、図６のような構成も考えられる。出力導波路を設けず、共振器構造を構成する導波路自体を曲げることで、共振器構造の両端面からの第１及び第２の光出力を同一方向から出射させる。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、共振器端面２ａにおける反射率を制御するＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４と、ＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４の合計厚みよりも大きい厚みを有するＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）