【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、化合物半導体から成る活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備えており、積層構造体２０は、少なくとも第２化合物半導体層２２の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１化合物半導体層２１は０．６μｍを超える厚さを有し、第１発光素子層２１内には、第１化合物半導体層２１を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温特性を向上させる。
【解決手段】活性層３の上部には、光を活性層３に閉じ込めるための光ガイド層４が形成されており、光ガイド層４の上部には、ＭｇやＺｎをドーパントとして含むｐ型クラッド層５が形成されている。光ガイド層４は、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第１光ガイド層４ａと、ＳｉドープＡｌＧａＩｎＰからなるＳｉドープ層４ｂと、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第２光ガイド層４ｃとをこの順に積層した３層構造で構成されている。Ｓｉドープ層４ｂは、ｐ型クラッド層５内のｐ型ドーパント（Ｍｇ、Ｚｎ）が活性層３に拡散するのを抑える拡散防止層であり、その膜厚は２ｎｍ〜２０ｎｍ、Ｓｉ濃度は２×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）

【課題】Ｌ−Ｉ特性のキンクレベルが向上し、水平横モードの安定した高出力を得ることのできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。基板１１と活性層１５との間のｎ型層のうち、活性層１５側に最も近い層（ｎ型ガイド層１３）の不純物濃度は、活性層１５から遠いｎ型クラッド層１２の不純物濃度よりも高く（３×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１０²¹ｃｍ^-3以下）、高濃度領域となっている。 （もっと読む）

【課題】 低い動作電流または動作電圧で動作可能な窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法および電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体発光素子は、
非極性面を主面とする基板１０１の前記主面上に、ｎ型層１、ｐ型層２および活性層１０５が積層され、活性層１０５は、ｎ型層１とｐ型層２とに挟まれており、
活性層１０５は、Ｎ＋１層の障壁層と、前記各障壁層に挟まれたＮ層の量子井戸層とからなり、Ｎは２以上の整数であり、
基板１０１に最も近い前記障壁層は、アンドープ層であり、その他の前記障壁層のうち少なくとも一層はｎドープ層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 回折格子による波長選択性が好適に得られるとともに、レーザ光の高出力化が可能な分布帰還型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上に形成され、光を発生させる活性層２０と、活性層２０の一方の面上に形成された光ガイド層２１と、光ガイド層２１の活性層２０とは反対側の面上に形成され、光ガイド層２１よりも低い屈折率を有するとともに、光ガイド層２１との界面に回折格子２４が形成されたクラッド層２５とによって、分布帰還型半導体レーザ１Ａを構成する。また、光ガイド層２１を、活性層２０側の第１光ガイド層２２と、クラッド層２５側の第２光ガイド層２３とによって構成するとともに、第１、第２光ガイド層２２、２３の間に、光ガイド層よりも低い屈折率を有する低屈折率層３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングの際に所定の位置で確実にエッチストップすることができる構造を提供する。
【解決手段】電流狭窄層（窒化物半導体層３）と接しており、かつ電流狭窄層（窒化物半導体層３）よりも基板１側に位置する窒化物半導体層２に遷移金属を導入する。窒化物半導体層２がｎ型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｔｉ）、またｐ型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｃｕ）を導入する。この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオードは、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１８およびｎ型クラッド層１４と、これらに挟まれたｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５と、これらに挟まれたＩｎを含む活性層１０とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。ｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５は、それぞれ、活性層１０に近づくほどＩｎ組成が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率が高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層の厚さの合計Dudpが、半導体レーザ装置の発振波長の0.5倍以上、かつ2μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】より低出力で駆動でき、かつ発光効率のより高く、しかも４４０〜５５０ｎｍ程度の長波長の光を発光する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも、第一ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、活性層および第二ｎ型窒化物半導体層を上記基板側からこの順に含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子であって、上記基板または上記第一ｎ型窒化物半導体層は、第一電極と接し、上記第二ｎ型窒化物半導体層は、第二電極と接し、上記第一電極は、アノード電極であり、上記第二電極は、カソード電極である窒化物半導体レーザ素子である。また、第二ｎ型窒化物半導体層に対し上記活性層とは反対側に、導電性酸化物層を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とその上に積層した化合物半導体層の層間に発生する応力を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１と、前記半導体基板１１の第１面Ｓ１に形成された化合物半導体層１２と、前記化合物半導体層１２の上部で形成されたリッジ形状の第１ストライプ部１４と、前記第１ストライプ部１４の長さ方向に対して垂直な断面方向に形成されていて対向して形成された共振面２１，２２と、前記半導体基板１１の前記第１面Ｓ１とは反対側の第２面Ｓ２側の前記第１ストライプ部１４と対向した位置に形成されたリッジ形状の第２ストライプ部１６と、前記半導体基板１１の第２面Ｓ２側で前記第２ストライプ部１６の両側に形成された第２溝部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎおよびＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させることがない半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、活性層５と、Ｚｎをドープした第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６と、ｐ型エッチング停止層７とが順次積層され、このｐ型エッチング停止層７上には、リッジ部１０が形成され、更にｐ型エッチング停止層７上には、リッジ部１０を挟持する一対のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層１１が形成されており、活性層５は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層５１と、多重量子井戸層５２、厚さが５〜１０ｎｍである第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層５３と、第２のｎ型ＡｌＧａＩｎＰガイド層５４とが順次積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外レーザの温度特性を高め、低電圧動作が可能な赤外レーザを有する二波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０と、基板１０上に形成された第１の半導体レーザと、第１の半導体レーザよりも短い波長の光を出力し、基板上に形成された第２の半導体レーザとを備えている。第１の半導体レーザは、基板１０の上方に形成された第１導電型の第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層１２上に形成された第１導電型の第１のガイド層１３と、第１のガイド層１３上に形成されＡｌＧａＡｓを含む第１の活性層１４と、活性層１４上に形成され、活性層１４との界面部のＡｌ組成が上面部のＡｌ組成より小さい第２導電型の第２のガイド層１５ｇ２、１５ｇ１と、第２のガイド層１５ｇ１上に形成された第２導電型のクラッド層１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの側方ファセットにおける非放射性再結合による熱発生がアクティブ層において緩和される、改善されたエッジ発光型半導体レーザを提供する
【解決手段】エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。そして第２の導波体層（２）は少なくとも部分領域（１０，１１）で第１の導波体層（１）に光学的に結合される。さらに前記第２の導波体層（２）の、前記第１の導波体層（１）とは反対の側には第３の外套層（６）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＮＦＰを安定で均一な形状にすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体層２０の上部に帯状のリッジ部２４を備え、半導体層２０のうちリッジ部２４との対応領域に、延在方向に向けて延在する帯状の凸部２２Ａを有する。これにより、活性層２４で発光した光が、リッジ部２４および凸部２２Ａによって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波するので、リッジ部２４および凸部２２Ａの双方の導波機構の相互作用により、横モードを安定化し、フィラメント発光を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率を十分に向上させた半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】ｎ型クラッド層３、ｎ型クラッド層側ガイド層４、活性層５、ｐ型クラッド層側ガイド層６、および、ｐ型クラッド層７を有し、ｎ型クラッド層側ガイド層４およびｐ型クラッド層側ガイド層６を介して、活性層５に対し垂直方向に電子およびホールが注入される半導体レーザ装置であって、ｐ型クラッド層側ガイド層６の層厚を、ｎ型クラッド層側ガイド層４の層厚よりも薄く設定して、活性層５の位置をｐ型クラッド層７に近づけるとともに、ｐ型クラッド層側ガイド層６の屈折率を、ｎ型クラッド層側ガイド層４の屈折率よりも高い値に設定した。 （もっと読む）