【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】電気伝導度の大きなｐ型クラッド層を備えたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上部クラッド層１６内の超格子構造において交互に積層された上部クラッド層１６Ａ（ＭｇＳｅ層）および第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）の間に、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層またはＺｎＴｅ層）が配置されている。さらに、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層）のうち第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）との界面にＺｎ原子が配置されている。これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率の高い、信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６が共に、主としてＭｇ_ｘ１Ｚｎ_ｘ２Ｃｄ_{１−ｘ１−ｘ２}Ｓｅ混晶層（第１半導体層１２Ａ，１６Ａ）と、主としてＭｇ_ｘ３Ｂｅ_ｘ４Ｚｎ_{１−ｘ３−ｘ４}Ｓｅ_ｘ５Ｔｅ_１−ｘ５混晶層（第２半導体層１２Ｂ，１６Ｂ）を交互に含む超格子構造となっている。ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】活性層に４元混晶を用いた場合であっても、温度特性が良好で、かつ色純度や波長安定性が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】バルク１５Ａ内に複数の量子ドット１５Ｂが形成された活性層１５を備えている。バルク１５Ａは、組成比ｘ１（０≦ｘ１＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。量子ドット１５Ｂは、バルク１５Ａと同一の材料系によって形成されており、具体的には、組成比ｘ２（ｘ１＜ｘ２＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状のばらつきに起因するＦＦＰや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。第２ｐ型クラッド層１６Ｂは、第１ｐ型クラッド層１６Ａとの関係でコンタクト層１７側に設けられており、第１ｐ型クラッド層１６Ａに主に含まれる材料と同一の材料によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体光装置の製造方法に関し、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供する事を目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層形成のためのｐ型クラッド層形成工程と、ｐ型クラッド層形成工程後、ｐ型クラッド層の上層に形成されるｐ型クラッド層との選択エッチングが可能なキャップ層形成のためのキャップ層形成工程と、キャップ層形成工程後、キャップ層の上層に形成されるスルー膜を形成するためのスルー膜形成工程と、スルー膜形成後窓構造を作製するためのイオン注入工程と、イオン注入工程の後に前述したスルー膜を除去するスルー膜エッチング工程と、スルー膜エッチング工程後にキャップ層を選択的に除去する薬液を使用してキャップ層をエッチングするキャップ層エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高出力動作時における信頼性の高く、動作電圧の低い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、活性層の片面毎にそれぞれ直接接するように配置して活性層を挟持する第１導電型クラッド層側ガイド層および第２導電型クラッド層側ガイド層、第１導電型クラッド層側ガイド層に直接接するように配置される第１導電型クラッド層、第２導電型クラッド層側ガイド層に直接接するように配置される第２導電型クラッド層を有する半導体レーザ装置であって、第１導電型クラッド層側ガイド層および第２導電型クラッド層側ガイド層は、ＧａＡｓに格子整合し、Ａｓ組成比が０を超えて０．３以下のＩｎＧａＡｓＰであり、第１導電型クラッド層および第２導電型クラッド層は、Ａｌ組成比がＩｎＧａＡｓＰの屈折率より小さい屈折率となるＡｌ組成比以上１．０未満のＡｌＧａＡｓである。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド
層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４
０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。
【解決手段】 ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２と
の間に、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３１、Ｉｎを含
まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有すること
で、非対称な導波路構造とすることで、ｐ型層１３側にＩｎを含む窒化物半導体
を設けることによる結晶性の悪化、Ｉｎによる光の損失を第２の窒化物半導体層
３２を用いることで回避し、第１の窒化物半導体層３１により導波路内の屈折率
を大きくして、しきい値電流密度を下げる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の期待されるＩｎＰ基板に整合したＢｅを含むＩＩ―ＶＩ族化合物半導体で構成された半導体レーザの素子特性を向上する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、光ガイド層、活性層、光ガイド層およびｐ型クラッド層を有する構造とし、活性層はＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶より構成される層を有し、ｎ型クラッド層、光ガイド層およびｐ型クラッド層の少なくとも１つの層に、活性層のＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶と同一の元素で構成される層を有するものとするとともに、この層は、活性層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶のＢｅの組成と比べて組成の変動が±３０％以内であるＢｅの組成の混晶を井戸層とする超格子構造によって構成する。 （もっと読む）

【課題】低閾電流、かつ、単一モードで動作可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１００は、反射層１０２、共振器スペーサー層１０３、活性層１０４、共振器スペーサー層１０５、超格子構造膜１０６および反射層１０７を基板１０１上に順次積層した構造からなる。高抵抗層１０８Ａ，１０８Ｂは、反射層１０７中に形成され、ｐ側電極１０９は、出射口１０７Ａを除く反射層１０７の一部に形成され、ｎ側電極１１０は、基板１０１の裏面に形成される。超格子構造膜１０６は、活性層１０４および反射層１０２，１０７以外の領域に設けられ、領域１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃからなる。そして、領域１０６Ａ，１０６Ｃは、無秩序化された超格子構造膜からなり、領域１０６Ｂは、秩序化された超格子構造膜からなる。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め層におけるキャリア走行時間の増加および高温におけるキャリアのリーク電流の増加を抑えつつ活性層への閉じ込め効率を向上可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１１ａでは、活性領域１７ａはｐ型クラッド層１３とｎ型クラッド層１５との間に設けられており、また半導体レーザ１１ａは多重量子井戸構造２３ａを有する。第１の光閉じ込め層１９ａは、ｐ型クラッド層１３と活性領域１７ａとの間に設けられている。第２の光閉じ込め層２１ａは、ｎ型クラッド層１５と活性領域１７ａとの間に設けられている。多重量子井戸構造２３ａはバリア層２５ａを含み、第１の光閉じ込め層１９ａは、多重量子井戸構造２３ａのバリア層２５ａのバンドギャップＥ_Ｂよりも小さいバンドギャップＥ_ＳＣＨ１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ系半導体層との界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を阻止して、駆動電圧を安定させることができる窒化ガリウム半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に、発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶２が形成されている。窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面になるように成膜されている。また、バルク基板３上に、低温バッファ層４が積層され、低温バッファ層４の上に発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶２が形成されている。窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面になるように成膜されている。ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する電界の向きを逆転させて、正孔を発光領域側に引き込む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系化合物の端面発光型半導体レーザにおいて、ＦＦＰ垂直の広がりを小さくすることとＬ−Ｉ曲線におけるしきい値電流とは二律背反の関係にあり、クラッド層と光ガイド層との屈折率の調整で前記しきい値電流を増加させずＦＦＰ垂直の広がりを小さくすることが困難であるという課題があった。本発明は前記課題を解決するためになされたもので、Ｌ−Ｉ曲線におけるしきい値電流を増加させずＦＦＰの広がりを小さくできる構造の端面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザは、活性層のｎ型側のクラッド層を二層構造とし、前記二層のうち活性層に近い第一半導体層の屈折率を活性層に遠い第二半導体層の屈折率より低くする構造とした。 （もっと読む）

【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 １又は多層のｎ型窒化物半導体層と１又は多層のｐ型窒化物
半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記ｐ型窒化物半
導体層及び前記ｎ型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、
前記超格子層は、１００オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体から
なる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１００オングストローム以下の
膜厚を有する窒化物半導体からなる第２の層とが積層されている。 （もっと読む）

【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命で、しかも特に半導体レーザでは遠視野像における光強度分布の対称性が高く、放射角のアスペクト比の低減を図ることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５と、ｎ型ＧａＮ光導波層６と、ＩｎＧａＮからなる活性層７と、アンドープＧａＮ光導波層１７と、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８と、ｐ型ＧａＮコンタクト層１２とを順次積層して半導体発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
積層された２層１０６，１０７の内１層１０７が他層１０６よりもバンドギャップエネルギーが低く、電流密度が高い層よりなる。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、
第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒
化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって
、前記窒化物半導体基板の主面には、基準結晶面に対して、少なくとも前記ストライプ状
のリッジ部と略平行方向に、オフ角ａ（θ_a）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞０の関係を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）