【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備えた窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。ｎ型ガイド層１５は、ＩｎＧａＮ層とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層（０≦Ｘ＜１）とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が２．６以下である。前記超格子層を構成するＩｎＧａＮ層のＩｎ組成が発光層１０のＩｎＧａＮ量子井戸層のＩｎ組成よりも小さい。前記超格子層が発光層１０に接している。 （もっと読む）

【課題】全反射モードでのレーザ光の励起が可能であり、且つ、共振器からのレーザ光の取り出しが容易な半導体レーザ素子、およびそれを用いた半導体レーザジャイロを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、共振器３０を備える半導体レーザ素子であって、共振器３０の端面において全反射され多角形の周回光路４０を互いに逆方向に周回する第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２を励起する。周回光路４０の途中には、共振器の実効屈折率とは異なる屈折率を有するエアギャップ４１ａ〜４１ｄが形成されている。第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２の一部は、エアギャップ４１ａ〜４１ｄで反射されて出射される。 （もっと読む）