【課題】共振器端面及びその近傍領域となる領域以外の領域における活性層のバンドギャップの変化を抑制しながら、共振器端面及びその近傍領域となる領域の活性層のバンドギャップを大きくして端面窓構造を形成できるようにする。
【解決手段】光半導体装置の製造方法を、半導体基板１の上方に、活性層３を含む半導体積層構造５を形成する工程と、半導体積層構造の共振器端面及びその近傍領域となる第１領域７上に空孔生成促進膜６を形成する工程と、空孔生成促進膜をマスクとして、半導体積層構造の第１領域以外の第２領域８上に半導体層９を選択成長させる工程と、熱処理を行なって第１領域に窓構造１０を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】（２０２−１）、（２０２−１−）などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】（２０２−１）面を成長主面とする窒化物半導体基板１の成長主面１ａの分割予定位置Ｘａ方向に伸び、窒化物半導体層２に埋め込まれず、一方の内面のみに窒化物半導体層２が成長するようにストライプ状の溝１３を窒化物半導体層形成工程の前に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、例えば、後に基板の切断箇所となる格子状の切断領域で囲まれた一の素子領域内において、後にリッジ部の形成箇所となる帯状のリッジ領域の両脇のうち少なくとも一方の領域であって、リッジ領域から離れた領域であり、かつ少なくとも素子領域の外縁に溝部を設けたのち、溝部を含む上面に半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと高調波発生素子とを用いて倍周波数のレーザ光を出力する発光装置に関し、出力特性の劣化を抑制しうる発光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】単一縦モード発振する半導体レーザと、半導体レーザの温度を制御する第１のヒータと、半導体レーザから出力された光を増幅して出力する利得部と、利得部の温度を制御する第２のヒータと、利得部から出力された光を二次高調波に変換して出力する第二高調波発生素子と、環境温度及び前記利得部を駆動するための入力信号に基づいて第１のヒータを制御する制御装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】共振器端面が平坦になるように分割されて成る窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。この劈開導入溝２５２は、ウェハの＜１−１００＞方向に対して平行に設けられるストライプ状光導波路２５３間毎に設けられ、ウェハ＜１１−２０＞方向に対して破線状に設けられる。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの金属接触構造において、位置合わせエラーを除去する。
【解決手段】半導体レーザの金属接触構造を作製する方法が提供され、この方法は、紫外線透過性半導体基板と、エッチングによって形成されたエピ層エッジ間に配置されるリッジを画定し、紫外線透過性半導体基板を覆って配置される紫外線透過性半導体エピ層と、およびエピ層リッジを覆って配置される紫外線不透過性金属層とを提供する工程、不透過性金属層とエピ層エッジとを覆って少なくとも１つのフォトレジスト層（ポジ型フォトレジスト、画像反転フォトレジスト、またはネガ型フォトレジスト）を塗布する工程、およびフォトレジスト層の領域をフォトリソグラフィマスクとして用いられる不透過性金属層と共に紫外線光で裏面照射することにより選択的に現像する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る、高出力の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備え、第１化合物半導体層２１は、基体側から、第１クラッド層１２１Ａ及び第１光ガイド層１２１Ｂの積層構造を有し、積層構造体は、第２化合物半導体層２２、活性層２３、及び、第１光ガイド層の厚さ方向の一部分１２１Ｂ’から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１光ガイド層１２１Ｂの厚さをｔ₁、リッジストライプ構造２０Ａを構成する第１光ガイド層の部分１２１Ｂの厚さをｔ₁’としたとき、６×１０^-7ｍ＜ｔ₁，０（ｍ）＜ｔ₁’≦０．５・ｔ₁を満足する。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、化合物半導体から成る活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備えており、積層構造体２０は、少なくとも第２化合物半導体層２２の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１化合物半導体層２１は０．６μｍを超える厚さを有し、第１発光素子層２１内には、第１化合物半導体層２１を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ側領域１０、活性領域２０及びｐ側領域３０を順に備える。ｎ側領域１０は、ホールをブロックすることが可能なホールブロック層１１を有し、ｐ側領域３０は、電子をブロックすることが可能な電子ブロック層３１を有する。また、ホールブロック層１１は、電子ブロック層３１よりもバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上と、可飽和吸収特性発現の抑制とをともに実現する、ＩｎＧａＡｌＡｓ量子井戸層を活性層に含むリッジ導波路型半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ＩｎＧａＡｌＡｓ量子井戸層を含む活性層と、エッチング停止層と、前記エッチング停止層の上側に配置される上部メサ部と、を備える半導体多層と、前記半導体多層の上表面に形成される絶縁膜と、前記半導体多層及び前記絶縁膜を覆うとともに前記上部メサ部の上面に接して形成される電極膜と、を備える、半導体レーザ素子であって、前記リッジ部の両側面それぞれは、前記電極膜が形成されずに露出している露出領域を有し、前記リッジ部の両側面それぞれの前記露出領域は、前記リッジ部の一方の端面から、前記電極膜が前記リッジ部上面を前記一方の端面へ延伸する先端より内側へ、及んでいる、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の共振端面の角度を容易に且つ精度良く測定することができる方法を提供する。
【解決手段】光導波路の光導波方向と交差する方向に並んだ複数の半導体レーザ素子を含む半導体レーザバー２を、共振端面２ａが所定の基準線２１ｂに沿うようにステージ２１の基準面２１ａ上に固定し、半導体レーザバー２の複数の半導体レーザ素子の共振端面からレーザ光Ｌａを出射させ、レーザ光ＬａのＦＦＰを測定し、ＦＦＰのピーク位置により定まるレーザ光Ｌａの出射方向と、所定の基準線２１ｂ及び基準面２１ａとの相対角度から、半導体レーザ素子の共振端面の角度を算出する。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に良好な物理的接触を成す電極の形成とリッジ構造の形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】エッチング装置１０ｆにおいて、リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４３を形成する。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で行われる。エッチングは摂氏３００度以下の基板温度で行われる。ハードマスク４３を形成した後に、マスク４１を除去することができる。基板主面１１ａ及び半極性主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜することができる。この傾斜の角度範囲では、半極性主面１３ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４３を用いて半導体積層１３及び金属膜３３のエッチングを行って、金属層４５と窒化物半導体領域４７とを形成する。窒化物半導体領域４７は半導体リッジ４９を含む。 （もっと読む）