【課題】共振器端面及びその近傍領域となる領域以外の領域における活性層のバンドギャップの変化を抑制しながら、共振器端面及びその近傍領域となる領域の活性層のバンドギャップを大きくして端面窓構造を形成できるようにする。
【解決手段】光半導体装置の製造方法を、半導体基板１の上方に、活性層３を含む半導体積層構造５を形成する工程と、半導体積層構造の共振器端面及びその近傍領域となる第１領域７上に空孔生成促進膜６を形成する工程と、空孔生成促進膜をマスクとして、半導体積層構造の第１領域以外の第２領域８上に半導体層９を選択成長させる工程と、熱処理を行なって第１領域に窓構造１０を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、例えば、後に基板の切断箇所となる格子状の切断領域で囲まれた一の素子領域内において、後にリッジ部の形成箇所となる帯状のリッジ領域の両脇のうち少なくとも一方の領域であって、リッジ領域から離れた領域であり、かつ少なくとも素子領域の外縁に溝部を設けたのち、溝部を含む上面に半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】窓領域の形成による動作電流や導波損失の増加を抑制することができるとともに、製造歩留まりの良好な半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、量子井戸構造を有する活性層を含む半導体積層部を設けた半導体レーザ素子において、半導体積層部の上部にストライプ状の導波路を形成し、劈開により共振器端面を形成する。基板の主面に対して垂直上方からみた平面視において、共振器端面を形成するための劈開位置に沿う帯状の領域に、活性層の量子井戸構造よりもバンドギャップを広くした窓領域を形成するとともに、窓領域の一部を除去するための溝部を劈開位置に形成する。また、窓領域は、基板の主面と垂直な方向において、少なくとも活性層と同じ高さの位置に形成する。溝部は、基板の主面と平行であって導波路の長手方向と垂直な方向に導波路の端から離れるように形成する。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面２７、２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面等のへき開面とは異なる。半導体領域１９は、導波路ベクトルＬＧＶの方向に延在する第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄを含む。絶縁膜３１の開口３１ａは半導体領域１９の第３領域１９ｄのリッジ構造上に位置する。電極１５では、パッド電極１８の第１〜第３電極部１８ｂ〜１８ｄは、半導体領域１９の第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄ上にそれぞれ設けられている。第１電極部１８ｂは、割断面２７の縁に到達するアーム部１８ｂ＿ＡＲＭ１を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体バーＢＡＲ１及び基板生産物ＳＰ１は、それぞれ、単一のへき開動作により生成されたへき開面ＣＬ１、ＣＬ２を有する。へき開面ＣＬ１には転写マース及び残留マークが現れる。転写マース及び残留マークがしっかりと案内して、このへき開面が形成される。へき開により、残留マーク３５ａは第１窪み５１ａ及び第２窪み５３ａに分離され、残留マーク３５ｂは第１窪み５１ｂ及び第２窪み５３ｂに分離される。転写マーク３７ａは第１窪み５５ａ及び第２窪み５７ａに分離され、転写マークは３７ｂ第１窪み５５ｂ及び第２窪み５７ｂに分離される。半導体バーＢＡＲ１のへき開面ＣＬ１は、残留マークからの第１窪み５１ａ、５１ｂ及び転写マークからの第１窪み５５ａ、５５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の端面を含む部分におけるＣＯＤを抑制できるレーザ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、該基板１２の上に形成された下部クラッド層１４と、該下部クラッド層１４の上に形成され、端部に無秩序化された無秩序部１６ｂを有する活性層１６と、該活性層の上に形成された上部クラッド層１８と、該活性層１６の上方の層に形成された回折格子１８ａと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤの発生を防止しつつ、レーザ性能の劣化を抑制する半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に堆積された第１導電型の第１クラッド層と、第１クラッド層の上に堆積された活性層と、活性層の上に堆積された第２導電型の第２クラッド層と、第２クラッド層の上に堆積されたコンタクト層とを備え、活性層は、空孔の拡散により混晶化した窓部と、窓部より混晶度が小さい非窓部とを有し、コンタクト層は、第１領域と、第２領域を有し、第２領域は第１領域よりも水素との親和性が高く、第２領域は第１領域の下側にある半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】コア層に印加される電界の均一性を向上する量子カスケード半導体レーザを提供する。
【解決手段】量子カスケード半導体レーザ１は、主面１０ａと裏面１０ｂと裏面１０ｂに設けられた凹部５０とを有する半導体基板１０と、主面１０ａに設けられた半導体領域２０と、半導体領域２０上において一方向に延在するリッジ部３０と、リッジ部３０に沿って設けられた上部電極Ｅ１と、裏面１０ｂに設けられた下部電極Ｅ２と、を備え、半導体領域２０は、下部クラッド層２１と、コア層２３と、上部クラッド層２５とを含み、各層は主面１０ａの法線軸ＮＶに沿って順に配列されており、下部クラッド層２１の導電型は、上部クラッド層２５の導電型と同じであり、凹部５０は、裏面１０ｂにおいて、リッジ部３０に対応する位置に設けられており、下部電極Ｅ２は、凹部５０に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）