半導体レーザ素子及びその製造方法
【課題】ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、特に窒化物半導体装置を用いた半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスク等の光情報処理装置の光源として半導体レーザ素子が広く用いられている。光情報処理装置の高速化等のために光源の高出力化が望まれている。しかし、半導体レーザ素子の出力を高くすると、共振器端面における光密度が高くなり、半導体結晶が光により破壊されるＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage；光学的損傷）が発生する。ＣＯＤは、共振器端面において出力光が吸収されて熱が発生することにより共振器端面の温度が上昇し、共振器端面におけるバンドギャップが減少する結果、さらに出力光の吸収が増加するという正帰還により発生する。
【０００３】
ＣＯＤの発生を抑えるために、ガリウムヒ素系（ＧａＡｓ）のレーザ素子では端面部分を発振波長に対して透明にした窓構造を用いる技術が開発されている（例えば、特許文献１を参照。）。図６は従来の窓構造を有する半導体レーザ素子を示している。ｎ型ＧａＡｓからなる基板５０１上に、半導体層積層体が形成されている。半導体層積層体は、基板５０１側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層５０２、活性層５０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第１のｐ型クラッド層５０４、ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層５０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第２のｐ型クラッド層５０６及びｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層５０７を有している。コンタクト層５０７上に表面電極５１０が形成され、ｎ型ＧａＡｓ基板５０１の下面に裏面電極５１１が形成されている。電流ブロック層５０５はストライプ状に除去されており、ストライプ状の光導波路が形成されている。共振器端面において、ｎ型クラッド層５０２、活性層５０３及び第１のｐ型クラッド層５０４の光導波路を構成する部分には窓構造５１４が形成されている。
【０００４】
窓構造５１４は、以下のようにして形成する。共振器端面を作製する劈開工程の前に、劈開を行う位置において、光導波路となる部分の上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を蒸着する。この後、６００℃の温度でアニールすことにより、ＺｎＯ中のＺｎを下方に拡散させる。半導体層積層体のＺｎが拡散された部分は無秩序化されため、バンドギャップが大きくなり、光の吸収が抑制された窓構造５１４となる。窓構造を形成することにより共振器端面近傍における光吸収等を抑制でき、ＣＯＤを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９６６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、窒化物系の半導体の場合には、高温にしなければ不純物を拡散させることができない。このため、不純物を拡散させて無秩序化した窓構造を窒化物系の半導体レーザ素子に適用することは困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、前記の問題を解決し、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザ素子を、基板に空洞部を設けることにより活性層に選択的に歪みを加え、活性層のバンドギャップを大きくすることにより窓構造を形成した構成とする。
【０００９】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ素子は、第１の空洞部を有する基板と、基板の上に順次形成された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含む半導体層積層体とを備え、半導体層積層体は、第１の端面と、第１の端面と反対側の第２の端面との間に延びるストライプ状の光導波路を有し、第１の空洞部は、その壁面から周囲に応力を及ぼし、活性層における光導波路の第１の端面を含む部分のバンドギャップは、活性層における他の部分よりも大きい。
【００１０】
本発明の半導体レーザ素子は、壁面からその周囲に及ぼす空洞部が形成されている。このため、活性層における光導波路を構成し且つ第１の端面に露出した部分におけるバンドギャップが、活性層における他の部分よりも大きくなり、良好な窓構造が形成できる。従って、ＣＯＤが生じにくい半導体レーザ素子を実現できる。
【００１１】
本発明の半導体レーザ素子は、式（１２）により表される波長変動量Δλcが５ｎｍ以上であればよく、１０ｎｍ以上であることが好ましい。但し、ｒ0は第１の空洞部の半径であり、ｒは第１の空洞部の中心から活性層における光導波路の第１の端面部分までの距離であり、Ｋは定数で１４［ｎｍ／％］である。
【００１２】
本発明の半導体レーザ素子において、第１の空洞部は、第１の端面に開口していればよい。
【００１３】
本発明の半導体レーザ素子において、基板は、第２の端面に開口した第２の空洞部を有していてもよい。
【００１４】
本発明の半導体レーザ素子において、第１の空洞部は、光導波路の直下に形成されていればよい。
【００１５】
本発明の半導体レーザ素子において、活性層における第１の空洞部の直上に形成されている部分には、電流が注入されないようにしてもよい。
【００１６】
本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板の上に、順次積層された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含み、ストライプ状の光導波路を有する半導体層積層体を形成する工程と、半導体層積層体を形成する工程よりも後に、基板の内部の所定の領域において、基板を構成する物質を気化させることにより、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、活性層にバンドギャップが活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する工程と、基板及び半導体層積層体を劈開することにより第１の端面及び第２の端面を有する共振器構造を形成する工程とを備え、劈開は、活性層におけるバンドギャップが大きい部分が第１の端面に露出するように行う。
【００１７】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体層積層体を形成した後、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、活性層にバンドギャップが活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する。また、劈開は、活性層におけるバンドギャップが大きい部分が第１の端面に露出するように行う。このため、不純物の拡散等を行うことなく、窓領域を形成することができる。
【００１８】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、空洞部を形成する工程は、所定の領域において収束するようにパルスレーザ光を照射する工程であり、基板は、パルスレーザ光に対して透明であればよい。
【００１９】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、パルスレーザ光は、パルス幅が１ナノ秒以下であればよく、１ピコ秒以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、空洞部を形成する工程は、共振器構造を形成する工程よりも前に行うことが好ましい。
【００２１】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、空洞部の位置において劈開を行えばよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る半導体レーザ素子によれば、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】一実施形態に係る半導体レーザ素子を示す斜視図である。
【図２】一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３】一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の変形例の一工程を示す断面図である。
【図４】空洞部による応力の発生を説明する図である。
【図５】一実施形態に係る半導体レーザ素子の変形例を示す斜視図である。
【図６】従来の半導体レーザ素子を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１に示すように、一実施形態に係る半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２を備えている。半導体層積層体１０２は、基板１０１側から順次形成された、ｎ型の第１クラッド層１２２、ｎ型の第１ガイド層１２３、活性層１２４、ｐ型の第２ガイド層１２５、ｐ型の第２クラッド層１２６及びｐ型のコンタクト層１２７を有している。半導体層積層体１０２を構成する各半導体層の材料はＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）とし、光導波路を形成するようにその混晶比を適宜選択すればよい。基板は窒化物からなる半導体層積層体１０２が結晶成長できればよく、例えばｎ型のＧａＮ等からなる窒化物半導体結晶基板とすればよい。
【００２５】
基板１０１及びその上に形成された半導体層積層体１０２は、劈開により形成された第１の端面及び第２の端面を有している。第２クラッド層１２６とコンタクト層１２７は、一部がエッチングされており、第１の端面と第２の端面との間に延びるストライプ状のリッジが形成されている。第２クラッド層１２６のリッジを除く部分には、誘電体からなる電流ブロック層１３１が形成されている。コンタクト層１２７と電流ブロック層１３１とを覆うようにｐ側電極（図示せず）が形成され、基板１０１の半導体層積層体１０２と反対側の面（裏面）にはｎ側電極（図示せず）が形成されている。
【００２６】
リッジにより、活性層１２４に注入される電流が制限され、また活性層１２４において生じた光が屈折率差により閉じ込められる。このため、半導体層積層体１０２における活性層１２４を含むリッジの直下の部分にはストライプ状の光導波路が形成される。第１の端面をレーザ光出力が大きい前方端面とし、第２の端面を第１の端面よりもレーザ光出力が小さい後方端面とすることにより、共振器構造が実現できる。第２の端面をレーザ光出力が大きい前方端面とし、第１の端面を第２の端面よりもレーザ光出力が小さい後方端面とすることも可能である。また第１の端面と第２の端面とのレーザ光出力を等しくすることも可能である。
【００２７】
図１において、空洞部１０１ａはリッジの直下に形成され且つ第１の端面に開口している。空洞部１０１ａをこの位置に設けることにより、活性層１２４における光導波路の第１の端面に露出した部分に、レーザ光の光吸収が生じにくい窓構造が形成される。なお、空洞部１０１ａは、第１の端面の近傍に形成されていればよく、第１の端面に開口を有していなくてもよい。また、図示されていないが第２の端面側にも空洞部１０１ａが形成されている。但し、第２の端面側に空洞部１０１ａが形成されていなくてもよい。
【００２８】
以下に、本実施形態の半導体レーザ素子の作製方法について説明する。まず、ウェハ状の基板１０１の上に第１クラッド層１２２からコンタクト層１２７の各層をエピタキシャル成長した後、コンタクト層１２７及び第２クラッド層１２６の一部をエッチングしてリッジ部を形成する。この後、リッジ部を除く第２クラッド層１２６の上に電流ブロック層１３１を形成する。
【００２９】
次に、基板１０１に空洞部１０１ａを形成する。空洞部１０１ａは、図２に示すように基板１０１の吸収端波長よりも波長が長いパルスレーザ光２００を、光学系２１０を用いて基板１０１の裏面側から基板１０１内の所定の位置に集光するように照射して形成すればよい。基板１０１は、吸収端波長よりも波長が長い光に対して透明であり、通常は吸収端波長よりも波長が長いパルスレーザ光２００は基板１０１に吸収されない。しかし、集光点においては光強度が極端に高くなるため、２光子吸収によりパルスレーザ光２００が基板１０１に吸収される。集光点において基板１０１に吸収されたパルスレーザ光２００のエネルギーは熱に変化するため、基板は局所的に加熱されて溶融し、さらに中心部は気化して膨張する。その結果、パルスレーザ光２００の集光点には空洞部１０１ａが形成される。
【００３０】
基板１０１がＧａＮ基板である場合、波長が７８０ｎｍのレーザ光を用いれば、基板１０１にほとんど吸収されることなく、基板１０１内にパルスレーザ光２００を集光することができる。２光子吸収を効率良く発生させるためには、集光点における光密度を高くする必要がある。一方、レーザ光を長時間集光すると、光吸収により生じた熱が周囲に拡散し、基板の上に形成した半導体層が劣化してしまう。このため、エネルギーを短時間に集中する必要があり、パルスレーザ光２００のパルス幅は１ナノ秒以下とすることが好ましく、１ピコ秒以下とすることがさらに好ましい。
【００３１】
パルスレーザ光２００の集光点において、基板１０１が加熱されることにより、基板１０１を構成する物質が気化して膨張するため空洞部１０１ａが形成される。空洞部１０１ａが形成されることにより、空洞部１０１ａの壁面からその周囲へ大きな圧縮応力が加わる。応力は、活性層１２４における空洞部１０１ａの直上に形成された部分にも及び、活性層１２４の応力が及ぶ部分には圧縮歪みが生じる。活性層１２４における圧縮歪みが生じた部分では、バンドギャップが大きくなるため、発振波長の光の吸収が低減される。このため、活性層１２４における空洞部１０１ａからの応力が及ぶ部分が光導波路の共振器の端面となるようにすれば、窓構造が形成できる。
【００３２】
図２に示すようにウェハ内の共振器の端面となる位置すべてに空洞部１０１ａを形成し、ｐ側電極及びｎ側電極を形成した後、例えばＡの位置においてそれぞれ劈開を行うことにより、共振器の端面に窓構造を有する半導体レーザ素子が実現できる。この場合には、第１の端面に開口する空洞部と第２の端面に開口する空洞部とが形成される。また、活性層１２４における空洞部１０１ａからの応力が及ぶ部分が共振器の端面となればよいため、図２のＢの位置等において劈開を行ってもよい。この場合には、第１の端面の近傍に開口を有さない空洞部が形成される。
【００３３】
なお、半導体層積層体１０２がパルスレーザ光２００に対して透明である場合には、図３に示すようにパルスレーザ光２００を半導体層積層体１０２側から基板１０１に照射してもよい。基板１０１の裏面側からパルスレーザ光２００を照射した方が、半導体層積層体１０２による散乱等の影響を受けないため、光エネルギーを効率良く基板１０１内の所定の位置に供給することができる。しかし、基板１０１の裏面が不透明な材料により被覆されている場合又は基板１０１の裏面が粗面となっている場合には、半導体層積層体１０２側からのパルスレーザ光２００の照射が有用である。
【００３４】
また、ウェハの状態で空洞部１０１ａを形成した後、劈開を行う例を示したが、劈開を行った後、共振器ごとに空洞部１０１ａの形成を行うことも可能である。
【００３５】
以下に、空洞部１０１ａと窓構造との関係についてさらに詳細に説明する。図４は空洞部１０１ａとその周辺の媒質における応力との関係を示している。説明においては、媒質が均質な等方性であり、空洞部１０１ａが球であるとする。空洞部１０１ａの半径をｒ0，空洞部１０１ａの中心から距離ｒの位置の応力をｐ（ｒ）とすると、体積Ｖの媒質をΔだけ体積変化させた場合に発生する応力Ｐは、次の式（１）で表される。但し、Ｂは体積弾性率である。
【００３６】
【数１】
【００３７】
位置ｒでの微小領域ｄｒの体積ｄＶは、次の式（２）で与えられる。
【００３８】
【数２】
【００３９】
この領域における体積変化をｄΔとすると、式（１）より次の式（３）の関係が成り立つ。
【００４０】
【数３】
【００４１】
ｄΔを領域ｄｒの厚さ変化ｄｌで表すと、次の式（４）のように表される。
【００４２】
【数４】
【００４３】
応力ｐ（ｒ）は半径ｒの２乗に反比例するため、次の式（５）が成り立つ。 但し、ｐ0は比例定数である。
【００４４】
【数５】
【００４５】
式（４）及び式（５）を式（３）に代入して整理すると、次の式（６）のように表される。
【００４６】
【数６】
【００４７】
空洞部１０１ａは内部応力歪で発生するため、次の式（７）が成り立つ。
【００４８】
【数７】
【００４９】
よって比例定数ｐ0は、次の式（８）となる。
【００５０】
【数８】
【００５１】
式（５）より空洞部１０１ａの半径がｒ0の時の応力ｐ（ｒ）は、次の式（９）で表される。
【００５２】
【数９】
【００５３】
一方、吸収端波長は結晶歪量に比例する。吸収端波長のシフト量をΔλｃとすると、次の式（１０）が成り立つ。但し、Ｋは比例定数、εは歪量である。
【００５４】
【数１０】
【００５５】
歪量εと応力の関係は式（１）で与えられるので、次の式（１１）のように表すことができる。
【００５６】
【数１１】
【００５７】
よって、吸収端波長のシフト量Δλｃは、次の式（１２）のように表すことができる。
【００５８】
【数１２】
【００５９】
以上のように、空洞部１０１ａによって生じた応力の影響が、活性層１２４における空洞部１０１ａの直上の部分にも及び、活性層１２４に圧縮歪εが加わる。活性層１２４における圧縮歪を受けた部分ではバンドギャップが広がり、半導体レーザ素子の発振波長の光に対して透明となるため、窓構造を形成することができる。吸収端波長のシフト量Δλｃの値は、空洞部１０１ａのサイズ（ｒ0）及び位置（ｒ）により決まる。従って、吸収端波長のシフト量Δλｃが５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上となるように、空洞部１０１ａのサイズ（ｒ0）及び位置（ｒ）を選択すればよい。
【００６０】
窓構造は、光出力が大きい前方端面に少なくとも形成すればよい。空洞部が端面に開口するように劈開を行う場合には、通常は前方端面及び後方端面の両方に窓構造が形成される。劈開位置によっては、後方端面側に窓構造が形成されない場合があるが問題ない。
【００６１】
ＧａＮ系のレーザ素子の場合 比例定数Ｋは１４ｎｍ／％と見積もられるので、空洞部１０１ａの半径を０．１μｍとし、空洞部１０１ａと活性層１２４との距離は１８０μｍ以下となるようにすればよい。
【００６２】
基板１０１に空洞部１０１ａを設けることにより、活性層１２４に窓構造を形成して、端面近傍における光吸収等が抑制可能となる。従って、ＣＯＤが防止でき、高出力動作が可能な半導体レーザ素子が実現できる。本実施形態における半導体レーザ素子は、基板１０１に空洞部１０１ａを形成することにより、活性層１２４における光導波路を構成し且つ端面に露出した部分の結晶構造に歪みを加えてバンドギャップを広げている。このため、従来の不純物を拡散させることにより窓構造を形成する場合と異なり、窓構造が形成された領域も、窓構造を形成するための不純物を含んでいない。
【００６３】
空洞部１０１ａは、活性層１２４に圧縮歪みを加えることができれば、どのような形状としてもよい。例えば、図５に示すようにリッジの方向と一致した方向に延びる円柱形状の空洞部１０１ｂを形成してもよい。円柱形状の空洞部１０１ｂは、集光位置をずらしながらパルスレーザ光を繰り返し照射すれば容易に形成することができる。円柱形状の空洞部１０１ｂは、球状の空洞部が連続的に複数形成されているとみなすことができ、球状の空洞部を形成した場合と同様の効果が得られる。また、球状の空洞部が形成されている場合よりも広い範囲に圧縮歪みを加えることができるため、均一な窓構造を形成することができ、球状の空洞部を形成した場合よりも高出力化することが可能となる。
【００６４】
なお、窓構造が形成された窓領域にも電流が注入されている構造について説明したが、窓領域に電流を注入する必要はない。窓領域に電流を注入しないことにより発熱を抑制することができ、より高出力の動作が可能となる。窓領域に電流が注入されないようにする場合には、ｐ側電極及びｎ側電極の形成位置を調整すればよい。また、電極の下に高抵材料により形成した高抵抗層又はコンタクト層をイオン注入等により改質した高抵抗層を形成してもよいい。
【００６５】
本実施形態に置いては、リッジストライプ型のレーザ素子について説明したが、埋め込み型のレーザ素子においても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明に係る半導体レーザ素子及びその製造方法は、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現でき、特に高出力の半導体レーザ素子及びその製造方法等として有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１０１ 基板
１０１ａ 空洞部
１０１ｂ 空洞部
１０２ 半導体層積層体
１２２ 第１クラッド層
１２３ 第１ガイド層
１２４ 活性層
１２５ 第２ガイド層
１２６ 第２クラッド層
１２７ コンタクト層
１３１ 電流ブロック層
２００ パルスレーザ光
２１０ 光学系
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、特に窒化物半導体装置を用いた半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスク等の光情報処理装置の光源として半導体レーザ素子が広く用いられている。光情報処理装置の高速化等のために光源の高出力化が望まれている。しかし、半導体レーザ素子の出力を高くすると、共振器端面における光密度が高くなり、半導体結晶が光により破壊されるＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage；光学的損傷）が発生する。ＣＯＤは、共振器端面において出力光が吸収されて熱が発生することにより共振器端面の温度が上昇し、共振器端面におけるバンドギャップが減少する結果、さらに出力光の吸収が増加するという正帰還により発生する。
【０００３】
ＣＯＤの発生を抑えるために、ガリウムヒ素系（ＧａＡｓ）のレーザ素子では端面部分を発振波長に対して透明にした窓構造を用いる技術が開発されている（例えば、特許文献１を参照。）。図６は従来の窓構造を有する半導体レーザ素子を示している。ｎ型ＧａＡｓからなる基板５０１上に、半導体層積層体が形成されている。半導体層積層体は、基板５０１側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層５０２、活性層５０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第１のｐ型クラッド層５０４、ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層５０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第２のｐ型クラッド層５０６及びｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層５０７を有している。コンタクト層５０７上に表面電極５１０が形成され、ｎ型ＧａＡｓ基板５０１の下面に裏面電極５１１が形成されている。電流ブロック層５０５はストライプ状に除去されており、ストライプ状の光導波路が形成されている。共振器端面において、ｎ型クラッド層５０２、活性層５０３及び第１のｐ型クラッド層５０４の光導波路を構成する部分には窓構造５１４が形成されている。
【０００４】
窓構造５１４は、以下のようにして形成する。共振器端面を作製する劈開工程の前に、劈開を行う位置において、光導波路となる部分の上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を蒸着する。この後、６００℃の温度でアニールすことにより、ＺｎＯ中のＺｎを下方に拡散させる。半導体層積層体のＺｎが拡散された部分は無秩序化されため、バンドギャップが大きくなり、光の吸収が抑制された窓構造５１４となる。窓構造を形成することにより共振器端面近傍における光吸収等を抑制でき、ＣＯＤを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９６６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、窒化物系の半導体の場合には、高温にしなければ不純物を拡散させることができない。このため、不純物を拡散させて無秩序化した窓構造を窒化物系の半導体レーザ素子に適用することは困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、前記の問題を解決し、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザ素子を、基板に空洞部を設けることにより活性層に選択的に歪みを加え、活性層のバンドギャップを大きくすることにより窓構造を形成した構成とする。
【０００９】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ素子は、第１の空洞部を有する基板と、基板の上に順次形成された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含む半導体層積層体とを備え、半導体層積層体は、第１の端面と、第１の端面と反対側の第２の端面との間に延びるストライプ状の光導波路を有し、第１の空洞部は、その壁面から周囲に応力を及ぼし、活性層における光導波路の第１の端面を含む部分のバンドギャップは、活性層における他の部分よりも大きい。
【００１０】
本発明の半導体レーザ素子は、壁面からその周囲に及ぼす空洞部が形成されている。このため、活性層における光導波路を構成し且つ第１の端面に露出した部分におけるバンドギャップが、活性層における他の部分よりも大きくなり、良好な窓構造が形成できる。従って、ＣＯＤが生じにくい半導体レーザ素子を実現できる。
【００１１】
本発明の半導体レーザ素子は、式（１２）により表される波長変動量Δλcが５ｎｍ以上であればよく、１０ｎｍ以上であることが好ましい。但し、ｒ0は第１の空洞部の半径であり、ｒは第１の空洞部の中心から活性層における光導波路の第１の端面部分までの距離であり、Ｋは定数で１４［ｎｍ／％］である。
【００１２】
本発明の半導体レーザ素子において、第１の空洞部は、第１の端面に開口していればよい。
【００１３】
本発明の半導体レーザ素子において、基板は、第２の端面に開口した第２の空洞部を有していてもよい。
【００１４】
本発明の半導体レーザ素子において、第１の空洞部は、光導波路の直下に形成されていればよい。
【００１５】
本発明の半導体レーザ素子において、活性層における第１の空洞部の直上に形成されている部分には、電流が注入されないようにしてもよい。
【００１６】
本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板の上に、順次積層された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含み、ストライプ状の光導波路を有する半導体層積層体を形成する工程と、半導体層積層体を形成する工程よりも後に、基板の内部の所定の領域において、基板を構成する物質を気化させることにより、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、活性層にバンドギャップが活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する工程と、基板及び半導体層積層体を劈開することにより第１の端面及び第２の端面を有する共振器構造を形成する工程とを備え、劈開は、活性層におけるバンドギャップが大きい部分が第１の端面に露出するように行う。
【００１７】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体層積層体を形成した後、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、活性層にバンドギャップが活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する。また、劈開は、活性層におけるバンドギャップが大きい部分が第１の端面に露出するように行う。このため、不純物の拡散等を行うことなく、窓領域を形成することができる。
【００１８】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、空洞部を形成する工程は、所定の領域において収束するようにパルスレーザ光を照射する工程であり、基板は、パルスレーザ光に対して透明であればよい。
【００１９】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、パルスレーザ光は、パルス幅が１ナノ秒以下であればよく、１ピコ秒以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法において、空洞部を形成する工程は、共振器構造を形成する工程よりも前に行うことが好ましい。
【００２１】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、空洞部の位置において劈開を行えばよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る半導体レーザ素子によれば、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】一実施形態に係る半導体レーザ素子を示す斜視図である。
【図２】一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３】一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の変形例の一工程を示す断面図である。
【図４】空洞部による応力の発生を説明する図である。
【図５】一実施形態に係る半導体レーザ素子の変形例を示す斜視図である。
【図６】従来の半導体レーザ素子を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１に示すように、一実施形態に係る半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２を備えている。半導体層積層体１０２は、基板１０１側から順次形成された、ｎ型の第１クラッド層１２２、ｎ型の第１ガイド層１２３、活性層１２４、ｐ型の第２ガイド層１２５、ｐ型の第２クラッド層１２６及びｐ型のコンタクト層１２７を有している。半導体層積層体１０２を構成する各半導体層の材料はＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）とし、光導波路を形成するようにその混晶比を適宜選択すればよい。基板は窒化物からなる半導体層積層体１０２が結晶成長できればよく、例えばｎ型のＧａＮ等からなる窒化物半導体結晶基板とすればよい。
【００２５】
基板１０１及びその上に形成された半導体層積層体１０２は、劈開により形成された第１の端面及び第２の端面を有している。第２クラッド層１２６とコンタクト層１２７は、一部がエッチングされており、第１の端面と第２の端面との間に延びるストライプ状のリッジが形成されている。第２クラッド層１２６のリッジを除く部分には、誘電体からなる電流ブロック層１３１が形成されている。コンタクト層１２７と電流ブロック層１３１とを覆うようにｐ側電極（図示せず）が形成され、基板１０１の半導体層積層体１０２と反対側の面（裏面）にはｎ側電極（図示せず）が形成されている。
【００２６】
リッジにより、活性層１２４に注入される電流が制限され、また活性層１２４において生じた光が屈折率差により閉じ込められる。このため、半導体層積層体１０２における活性層１２４を含むリッジの直下の部分にはストライプ状の光導波路が形成される。第１の端面をレーザ光出力が大きい前方端面とし、第２の端面を第１の端面よりもレーザ光出力が小さい後方端面とすることにより、共振器構造が実現できる。第２の端面をレーザ光出力が大きい前方端面とし、第１の端面を第２の端面よりもレーザ光出力が小さい後方端面とすることも可能である。また第１の端面と第２の端面とのレーザ光出力を等しくすることも可能である。
【００２７】
図１において、空洞部１０１ａはリッジの直下に形成され且つ第１の端面に開口している。空洞部１０１ａをこの位置に設けることにより、活性層１２４における光導波路の第１の端面に露出した部分に、レーザ光の光吸収が生じにくい窓構造が形成される。なお、空洞部１０１ａは、第１の端面の近傍に形成されていればよく、第１の端面に開口を有していなくてもよい。また、図示されていないが第２の端面側にも空洞部１０１ａが形成されている。但し、第２の端面側に空洞部１０１ａが形成されていなくてもよい。
【００２８】
以下に、本実施形態の半導体レーザ素子の作製方法について説明する。まず、ウェハ状の基板１０１の上に第１クラッド層１２２からコンタクト層１２７の各層をエピタキシャル成長した後、コンタクト層１２７及び第２クラッド層１２６の一部をエッチングしてリッジ部を形成する。この後、リッジ部を除く第２クラッド層１２６の上に電流ブロック層１３１を形成する。
【００２９】
次に、基板１０１に空洞部１０１ａを形成する。空洞部１０１ａは、図２に示すように基板１０１の吸収端波長よりも波長が長いパルスレーザ光２００を、光学系２１０を用いて基板１０１の裏面側から基板１０１内の所定の位置に集光するように照射して形成すればよい。基板１０１は、吸収端波長よりも波長が長い光に対して透明であり、通常は吸収端波長よりも波長が長いパルスレーザ光２００は基板１０１に吸収されない。しかし、集光点においては光強度が極端に高くなるため、２光子吸収によりパルスレーザ光２００が基板１０１に吸収される。集光点において基板１０１に吸収されたパルスレーザ光２００のエネルギーは熱に変化するため、基板は局所的に加熱されて溶融し、さらに中心部は気化して膨張する。その結果、パルスレーザ光２００の集光点には空洞部１０１ａが形成される。
【００３０】
基板１０１がＧａＮ基板である場合、波長が７８０ｎｍのレーザ光を用いれば、基板１０１にほとんど吸収されることなく、基板１０１内にパルスレーザ光２００を集光することができる。２光子吸収を効率良く発生させるためには、集光点における光密度を高くする必要がある。一方、レーザ光を長時間集光すると、光吸収により生じた熱が周囲に拡散し、基板の上に形成した半導体層が劣化してしまう。このため、エネルギーを短時間に集中する必要があり、パルスレーザ光２００のパルス幅は１ナノ秒以下とすることが好ましく、１ピコ秒以下とすることがさらに好ましい。
【００３１】
パルスレーザ光２００の集光点において、基板１０１が加熱されることにより、基板１０１を構成する物質が気化して膨張するため空洞部１０１ａが形成される。空洞部１０１ａが形成されることにより、空洞部１０１ａの壁面からその周囲へ大きな圧縮応力が加わる。応力は、活性層１２４における空洞部１０１ａの直上に形成された部分にも及び、活性層１２４の応力が及ぶ部分には圧縮歪みが生じる。活性層１２４における圧縮歪みが生じた部分では、バンドギャップが大きくなるため、発振波長の光の吸収が低減される。このため、活性層１２４における空洞部１０１ａからの応力が及ぶ部分が光導波路の共振器の端面となるようにすれば、窓構造が形成できる。
【００３２】
図２に示すようにウェハ内の共振器の端面となる位置すべてに空洞部１０１ａを形成し、ｐ側電極及びｎ側電極を形成した後、例えばＡの位置においてそれぞれ劈開を行うことにより、共振器の端面に窓構造を有する半導体レーザ素子が実現できる。この場合には、第１の端面に開口する空洞部と第２の端面に開口する空洞部とが形成される。また、活性層１２４における空洞部１０１ａからの応力が及ぶ部分が共振器の端面となればよいため、図２のＢの位置等において劈開を行ってもよい。この場合には、第１の端面の近傍に開口を有さない空洞部が形成される。
【００３３】
なお、半導体層積層体１０２がパルスレーザ光２００に対して透明である場合には、図３に示すようにパルスレーザ光２００を半導体層積層体１０２側から基板１０１に照射してもよい。基板１０１の裏面側からパルスレーザ光２００を照射した方が、半導体層積層体１０２による散乱等の影響を受けないため、光エネルギーを効率良く基板１０１内の所定の位置に供給することができる。しかし、基板１０１の裏面が不透明な材料により被覆されている場合又は基板１０１の裏面が粗面となっている場合には、半導体層積層体１０２側からのパルスレーザ光２００の照射が有用である。
【００３４】
また、ウェハの状態で空洞部１０１ａを形成した後、劈開を行う例を示したが、劈開を行った後、共振器ごとに空洞部１０１ａの形成を行うことも可能である。
【００３５】
以下に、空洞部１０１ａと窓構造との関係についてさらに詳細に説明する。図４は空洞部１０１ａとその周辺の媒質における応力との関係を示している。説明においては、媒質が均質な等方性であり、空洞部１０１ａが球であるとする。空洞部１０１ａの半径をｒ0，空洞部１０１ａの中心から距離ｒの位置の応力をｐ（ｒ）とすると、体積Ｖの媒質をΔだけ体積変化させた場合に発生する応力Ｐは、次の式（１）で表される。但し、Ｂは体積弾性率である。
【００３６】
【数１】
【００３７】
位置ｒでの微小領域ｄｒの体積ｄＶは、次の式（２）で与えられる。
【００３８】
【数２】
【００３９】
この領域における体積変化をｄΔとすると、式（１）より次の式（３）の関係が成り立つ。
【００４０】
【数３】
【００４１】
ｄΔを領域ｄｒの厚さ変化ｄｌで表すと、次の式（４）のように表される。
【００４２】
【数４】
【００４３】
応力ｐ（ｒ）は半径ｒの２乗に反比例するため、次の式（５）が成り立つ。 但し、ｐ0は比例定数である。
【００４４】
【数５】
【００４５】
式（４）及び式（５）を式（３）に代入して整理すると、次の式（６）のように表される。
【００４６】
【数６】
【００４７】
空洞部１０１ａは内部応力歪で発生するため、次の式（７）が成り立つ。
【００４８】
【数７】
【００４９】
よって比例定数ｐ0は、次の式（８）となる。
【００５０】
【数８】
【００５１】
式（５）より空洞部１０１ａの半径がｒ0の時の応力ｐ（ｒ）は、次の式（９）で表される。
【００５２】
【数９】
【００５３】
一方、吸収端波長は結晶歪量に比例する。吸収端波長のシフト量をΔλｃとすると、次の式（１０）が成り立つ。但し、Ｋは比例定数、εは歪量である。
【００５４】
【数１０】
【００５５】
歪量εと応力の関係は式（１）で与えられるので、次の式（１１）のように表すことができる。
【００５６】
【数１１】
【００５７】
よって、吸収端波長のシフト量Δλｃは、次の式（１２）のように表すことができる。
【００５８】
【数１２】
【００５９】
以上のように、空洞部１０１ａによって生じた応力の影響が、活性層１２４における空洞部１０１ａの直上の部分にも及び、活性層１２４に圧縮歪εが加わる。活性層１２４における圧縮歪を受けた部分ではバンドギャップが広がり、半導体レーザ素子の発振波長の光に対して透明となるため、窓構造を形成することができる。吸収端波長のシフト量Δλｃの値は、空洞部１０１ａのサイズ（ｒ0）及び位置（ｒ）により決まる。従って、吸収端波長のシフト量Δλｃが５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上となるように、空洞部１０１ａのサイズ（ｒ0）及び位置（ｒ）を選択すればよい。
【００６０】
窓構造は、光出力が大きい前方端面に少なくとも形成すればよい。空洞部が端面に開口するように劈開を行う場合には、通常は前方端面及び後方端面の両方に窓構造が形成される。劈開位置によっては、後方端面側に窓構造が形成されない場合があるが問題ない。
【００６１】
ＧａＮ系のレーザ素子の場合 比例定数Ｋは１４ｎｍ／％と見積もられるので、空洞部１０１ａの半径を０．１μｍとし、空洞部１０１ａと活性層１２４との距離は１８０μｍ以下となるようにすればよい。
【００６２】
基板１０１に空洞部１０１ａを設けることにより、活性層１２４に窓構造を形成して、端面近傍における光吸収等が抑制可能となる。従って、ＣＯＤが防止でき、高出力動作が可能な半導体レーザ素子が実現できる。本実施形態における半導体レーザ素子は、基板１０１に空洞部１０１ａを形成することにより、活性層１２４における光導波路を構成し且つ端面に露出した部分の結晶構造に歪みを加えてバンドギャップを広げている。このため、従来の不純物を拡散させることにより窓構造を形成する場合と異なり、窓構造が形成された領域も、窓構造を形成するための不純物を含んでいない。
【００６３】
空洞部１０１ａは、活性層１２４に圧縮歪みを加えることができれば、どのような形状としてもよい。例えば、図５に示すようにリッジの方向と一致した方向に延びる円柱形状の空洞部１０１ｂを形成してもよい。円柱形状の空洞部１０１ｂは、集光位置をずらしながらパルスレーザ光を繰り返し照射すれば容易に形成することができる。円柱形状の空洞部１０１ｂは、球状の空洞部が連続的に複数形成されているとみなすことができ、球状の空洞部を形成した場合と同様の効果が得られる。また、球状の空洞部が形成されている場合よりも広い範囲に圧縮歪みを加えることができるため、均一な窓構造を形成することができ、球状の空洞部を形成した場合よりも高出力化することが可能となる。
【００６４】
なお、窓構造が形成された窓領域にも電流が注入されている構造について説明したが、窓領域に電流を注入する必要はない。窓領域に電流を注入しないことにより発熱を抑制することができ、より高出力の動作が可能となる。窓領域に電流が注入されないようにする場合には、ｐ側電極及びｎ側電極の形成位置を調整すればよい。また、電極の下に高抵材料により形成した高抵抗層又はコンタクト層をイオン注入等により改質した高抵抗層を形成してもよいい。
【００６５】
本実施形態に置いては、リッジストライプ型のレーザ素子について説明したが、埋め込み型のレーザ素子においても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明に係る半導体レーザ素子及びその製造方法は、ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現でき、特に高出力の半導体レーザ素子及びその製造方法等として有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１０１ 基板
１０１ａ 空洞部
１０１ｂ 空洞部
１０２ 半導体層積層体
１２２ 第１クラッド層
１２３ 第１ガイド層
１２４ 活性層
１２５ 第２ガイド層
１２６ 第２クラッド層
１２７ コンタクト層
１３１ 電流ブロック層
２００ パルスレーザ光
２１０ 光学系
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の空洞部を有する基板と、
前記基板の上に順次形成された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含む半導体層積層体とを備え、
前記半導体層積層体は、第１の端面と、前記第１の端面と反対側の第２の端面との間に延びるストライプ状の光導波路を有し、
前記第１の空洞部は、その壁面から周囲に応力を及ぼし、
前記活性層における前記光導波路の第１の端面を含む部分のバンドギャップは、前記活性層における他の部分よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
式（１２）により表される波長変動量Δλcが５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【数１２】
但し、ｒ0は前記第１の空洞部の半径であり、ｒは前記第１の空洞部の中心から前記活性層における前記光導波路の第１の端面を構成する部分までの距離であり、Ｋは定数で１４［ｎｍ／％］である。
【請求項３】
前記波長変動量Δλcが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の空洞部は、前記第１の端面に開口していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記基板は、前記第２の端面に開口した第２の空洞部を有していることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第１の空洞部は、前記光導波路の直下に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記活性層における前記第１の空洞部の直上に形成されている部分には、電流が注入されないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
基板の上に、順次積層された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含み、ストライプ状の光導波路を有する半導体層積層体を形成する工程と、
前記半導体層積層体を形成する工程よりも後に、前記基板の内部の所定の領域において、前記基板を構成する物質を気化させることにより、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、前記活性層にバンドギャップが前記活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する工程と、
前記基板及び前記半導体層積層体を劈開することにより第１の端面及び第２の端面を有する共振器構造を形成する工程とを備え、
前記劈開は、前記活性層におけるバンドギャップが大きい部分が前記第１の端面に露出するように行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記空洞部を形成する工程は、前記所定の領域において収束するようにパルスレーザ光を照射する工程であり、
前記基板は、前記パルスレーザ光に対して透明であることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記パルスレーザ光は、パルス幅が１ナノ秒以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記パルスレーザ光は、パルス幅が１ピコ秒以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記空洞部を形成する工程は、前記共振器構造を形成する工程よりも前に行うことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記空洞部の位置において前記劈開を行うことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１】
第１の空洞部を有する基板と、
前記基板の上に順次形成された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含む半導体層積層体とを備え、
前記半導体層積層体は、第１の端面と、前記第１の端面と反対側の第２の端面との間に延びるストライプ状の光導波路を有し、
前記第１の空洞部は、その壁面から周囲に応力を及ぼし、
前記活性層における前記光導波路の第１の端面を含む部分のバンドギャップは、前記活性層における他の部分よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
式（１２）により表される波長変動量Δλcが５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【数１２】
但し、ｒ0は前記第１の空洞部の半径であり、ｒは前記第１の空洞部の中心から前記活性層における前記光導波路の第１の端面を構成する部分までの距離であり、Ｋは定数で１４［ｎｍ／％］である。
【請求項３】
前記波長変動量Δλcが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の空洞部は、前記第１の端面に開口していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記基板は、前記第２の端面に開口した第２の空洞部を有していることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第１の空洞部は、前記光導波路の直下に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記活性層における前記第１の空洞部の直上に形成されている部分には、電流が注入されないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
基板の上に、順次積層された第１導電型層、活性層及び第２導電型層を含み、ストライプ状の光導波路を有する半導体層積層体を形成する工程と、
前記半導体層積層体を形成する工程よりも後に、前記基板の内部の所定の領域において、前記基板を構成する物質を気化させることにより、周囲に圧縮応力を及ぼす空洞部を形成し、前記活性層にバンドギャップが前記活性層の他の部分よりも大きい部分を選択的に形成する工程と、
前記基板及び前記半導体層積層体を劈開することにより第１の端面及び第２の端面を有する共振器構造を形成する工程とを備え、
前記劈開は、前記活性層におけるバンドギャップが大きい部分が前記第１の端面に露出するように行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記空洞部を形成する工程は、前記所定の領域において収束するようにパルスレーザ光を照射する工程であり、
前記基板は、前記パルスレーザ光に対して透明であることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記パルスレーザ光は、パルス幅が１ナノ秒以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記パルスレーザ光は、パルス幅が１ピコ秒以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記空洞部を形成する工程は、前記共振器構造を形成する工程よりも前に行うことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記空洞部の位置において前記劈開を行うことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１９９３２２（Ｐ２０１２−１９９３２２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６１４５９（Ｐ２０１１−６１４５９）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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