【課題】面発光レーザ素子の製造歩留まりを従来よりも向上させる。
【解決手段】 基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。そして、＋Ｚ側の面が酸化温度での積層体のそり形状に倣った形状を有するトレイ６０２１に積層体を載置し、酸化装置を用いて被選択酸化層をメサの側面から選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成する。 （もっと読む）

【課題】材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、（Ａ）化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、第１辺、第２辺、第３辺、第４辺を有する矩形形状の基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせて、少なくとも基板の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とし、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがき、基板４０を劈開し、次いで、支持フィルム５０を引き裂くことで発光素子バー６０を得た後、複数の発光素子バー６０を積層し、支持フィルム５０を加熱することでＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させて、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に隙間を設け、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２に光反射膜６３，６４を形成する各工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】
素子特性の低下や結合損失の増加を抑えることができる半導体光集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
まず、半導体基板１１の第３の領域３Ｃを含む主面１１ａ上に単一半導体層からなる光導波層１５を形成する。次に、第２の領域３Ｂ及び第３の領域３Ｃの光導波層１５上に第1エッチングマスク１９Ａを形成し、これを用いて第1の領域３Ａの光導波層１５を除去する。次に、第1の領域３Ａの主面１１ａ上に第1活性層２１を含む第１半導体積層２２を形成する。次に、第1の領域３Ａの第１半導体積層２２上及び第３の領域３Ｃの光導波層１５Ａ上にわたって第２エッチングマスク１９Ｂを形成し、これを用いて第２の領域３Ｂの光導波層１５Ａを除去する。次に、第２の領域３Ｂの主面１１ａ上に、第２活性層２３を含む第２半導体積層２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｒ面１０Ｒとそれに垂直なＡ面との交線Ｌ_sapph-AMの回りにＲ面１０Ｒを３０度回転させた面を主面１０ｓとするサファイア基板１０を用いる(２．Ａ)。Ｒ面１０Ｒを露出させ（２．Ｂ）、主面１０ｓに二酸化ケイ素から成るマスク２０ｍを形成する（２．Ｃ）。Ｒ面１０ＲにＡｌＮバッファ層３０ｂを形成する（２．Ｄ）。ＡｌＮバッファ層３０ｂ上にＧａＮ層４０を形成する（２．Ｅ及び２．Ｆ）。ＧａＮの成長は初期段階では横方向成長によりサファイア基板１０の上方全面が覆われる。ＧａＮ層４０は、サファイア基板１０の露出したＲ面に対してはａ軸が垂直、サファイア基板１０の軸方向Ｌ_sapph-AMに対してはｃ軸が平行、サファイア基板１０の露出したＲ面と３０度を成す主面１０ｓに対しては、ａ軸と３０度を成すｍ軸が垂直となるように成長する。 （もっと読む）

【課題】活性層の熱ダメージを抑制することにより、優れた発光効率を実現することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、Ｉｎを含む発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。III族窒化物半導体積層構造２の主面は、ｃ軸方向へのオフ角θが−１°＜θ＜０°の範囲のｍ面（非極性面）である。 （もっと読む）

【課題】ウエハからチップへの分割における工数を低減して簡易なものにするとともに、歩留りを高い状態で維持することのできる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リッジストライプ１２と略垂直な方向にウエハ２０を劈開してバーを得るために形成される一次分割溝２２と、リッジストライプ１２と略平行な方向にバーを分割してチップを得るために形成される二次分割溝２１と、をウエハ２０に形成した後に、ウエハ２０をバー、チップへと分割を行う。このように構成することで、複数のバーのそれぞれに二次分割溝２１を形成する必要が無くなるため、大幅に工数の削減をすることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。リッジストライプ２０は、ｃ軸に平行であり、一対の共振器端面２１，２２は、＋ｃ面と−ｃ面である。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶層とそれに隣接するクラッド層との屈折率差が十分にとれると共に、該クラッド層の電気抵抗を小さくすることができる多層膜構造体、多層膜構造体で構成される面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶層１０６とそれに隣接するクラッド層１０５を備える多層膜構造体または多層膜構造体で構成される面発光レーザであって、
前記クラッド層が、前記２次元フォトニック結晶層よりも低い屈折率を有し、該クラッド層の一部または全部に細孔が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、ワープの小さな大口径の窒化物半導体自立基板を、生産性よく低コストで製造する方法等を提供する。
【解決手段】少なくとも、種基板１０１となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、種基板１０１上に、種基板１０１と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板１０３を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚の種基板１０１から２枚の窒化物半導体自立基板１０４を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法及びこの製造方法によって製造された窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の駆動（主発光）領域への転位の伝播、引っ張り歪の発生を抑制した窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体基板１００と、その上に積層された窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、基板１００は、高転位密度領域と低転位密度領域とを有する基板であって、少なくとも高転位密度領域には凹部が形成され、窒化物半導体層は、基板の凹部側面から横方向への成長膜厚が凹部以外の領域から縦方向への成長膜厚よりも大きい第１の窒化物半導体層１１０と、第１の窒化物半導体層１１０上に、Ｉｎを含有する第２の窒化物半導体層１２０とを有し、基板１００の凹部上に、第１及び第２の窒化物半導体層１１０、１２０は凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度な構造設計と、その成長条件への正確なフィードバックを可能にすることにより、垂直放射角などの光学特性が非常に安定で、かつバラツキが少ないＬＤを作製できる半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層を複数層を成長させて作製する半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法において、予め作製した複数層のエピタキシャル層におけるＡｌ組成の深さ方向プロファイルを、２次イオン質量分析法により直接求め、求めたＡｌ組成の深さ方向プロファイルデータを基に、上記Ａｌ組成が深さ方向で所定のプロファイルとなるように成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料１０４を含む反応容器１０１と、原料１０４と反応して結晶を形成させる気体を反応容器１０１に供給する供給管１０８と、反応容器１０１の周囲に設けられた加熱用ヒーター１１０、１１１と、加熱用ヒーター１１０、１１１および反応容器１０１を覆う外側容器１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガリウムを含む半導体装置の基板を分割する際に、分割面が平面で均一に形成でき、電極の導通不良や樹脂剥離の発生が少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ガリウムを用いたｎ型半導体層２およびｐ型半導体層３を形成した基板１に、レーザ照射６により溝を形成して、個々の基板の境界とする工程と、基板１を酸溶液（塩酸）７に浸漬する工程と、基板１を塩酸７から取り出し、溝を形成した境界から個々の基板に分割する工程とを含むことを主要な特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上にＶ族元素又はIV族元素を２種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に、その薄膜の組成の面内分布を均一化する。
【解決手段】サテライトに基板をセットする工程と、サテライトを通じて基板に熱エネルギーを供給しながら、基板上にＶ族元素又はIV族元素を２種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、サテライトとして、基板を載置する平坦なサテライト本体と基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、外周固定部が基板の外周部の３６０°全周ではなく一部のみに接触するものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 高い接合強度を有する光学部品を備える光半導体素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１０は、半導体基板２０上に形成されたフォトダイオード１１を備える。このフォトダイオード１１上には接合部１３が設けられており、その上部にマイクロレンズ１２が形成されている。接合部１３は、フォトダイオード１１上を開口する開口２４ａが形成されたコンタクト層２４と、開口２４ａの上方に開口２４ａの開口面積よりも小さな開口面積の開口２５ａが形成された電極２５とからなり、これら開口２４ａ，２５ａの内部にマイクロレンズ１２の一部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板としてＩＩＩ族窒化物半導体を備える窒化物半導体レーザ素子であって、動作特性に優れ、レーザ発振寿命の長いものを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板上のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造のうちレーザ光導波領域を、基板を上下方向に貫通する転位集中領域と、高ルミネセンス領域との間の低転位領域の上方のみに設けるとともに、基板の下面のうち転位集中領域の下方に位置する部位と、積層構造の上面のうち基板の転位集中領域の上方に位置する部位とに、それぞれ電流遮断層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 真空プロセスにより有機薄膜層を成膜する必要がなく、またピンホール等のない成膜性に優れた有機半導体レーザを提供すること。
【解決手段】 陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層された有機半導体レーザにおいて、発光層に一般式（Ｉ）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれる。
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【課題】炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。
【解決手段】加熱したＳｉ基板上に複数のIII族元素またはＶ族元素を含む原料ガスを供給し、熱分解反応させてIII−Ｖ族窒化物半導体を成長させるIII−Ｖ族窒化物半導体の製造方法において、Ｓｉ元素を含む原料ガスを供給しながらＳｉ基板１を加熱することにより、Ｓｉ基板１上にＳｉを成長しつつＳｉ基板１を昇温し、その後にIII−Ｖ族窒化物半導体、例えばＡｌＮ層２の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 光学式のアライメント方式により劈開面を基準としてマスクパターン合わせをする際の精度の向上およびプロセス歩留りの向上を実現できる半導体レーザー用単結晶ウェハを提供することにある。
【解決手段】 劈開によりオリエンテーションフラットを形成したウェハ５の表面を、硬度の高い研磨布８で且つ最適なウェハ押し付け圧力及び研磨レートの下で、ウェハ表面の中心部と外周部の研磨レートが同一になるように研磨することで、劈開面４における稜線部のダレを小さく４０μｍ以下にしたオリエンテーションフラット部を備えた半導体レーザー用単結晶ウェハとする。 （もっと読む）

【課題】 回転方向の検出が容易であり、小型で信頼性が高い半導体レーザジャイロを提供する。
【解決手段】 基板と、基板上に形成され第１および第２のレーザ光を出射する半導体レーザ２０と、第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２を多角形の経路を互いに逆方向に周回させるための複数の光学素子（フレネルレンズ３０ａおよび３０ｂ、ミラー４０ａおよび４０ｂ）と、第１および第２の光によって干渉縞が形成される位置に配置された光検出器７０ａおよび７０ｂとを備える。基板上に基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、第１および第２の層を第２の層側に曲げることによって形成された起立部とを含み、積層部および起立部は、それぞれ、格子定数が異なる複数の層を含む。第１および第２の層は、上記複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられており、複数の光学素子の少なくとも１つが起立部に形成されている。 （もっと読む）