【課題】支持基板上にＩＩＩ族窒化物層が接合していない欠陥領域がない高品質のＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物基板２０にイオン注入領域２０ｉを形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０のイオンが注入された側の主表面側および支持基板１０の主表面側の少なくともひとつに接合用前駆体層４０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０と支持基板１０とを接合用前駆体層４０を介在させて接合し、接合用前駆体層４０をリフローさせることにより接合層５０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０をイオン注入領域２０ｉにおいて分離してＩＩＩ族窒化物層２１と残りのＩＩＩ族窒化物基板２２とにすることにより、支持基板１０の主表面上に接合層４０を介在させてＩＩＩ族窒化物層２１が接合されたＩＩＩ族窒化物層複合基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 閾値電流密度Ｊ_ｔｈを低減し最高動作温度Ｔ_ｍａｘを高めた量子カスケードレーザー素子を作製する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、一対の電極２０、３０に挟まれている半導体超格子構造１００ＡのＱＣＬ構造１００を備えるＴＨｚ−ＱＣＬ素子１０００が提供される。半導体超格子構造１００Ａ（ＱＣＬ構造１００）は、例えば一対の電極間に電圧が印加された際のサブバンド間の電子の遷移により、ＴＨｚ領域の電磁波を放出する活性領域１０を備えている。その活性領域１０は、交互に積層されたウェル層１０Ｗとバリア層１０Ｂをいくつか含むある厚みの単位構造１０Ｕを繰り返し有しており、ウェル層１０Ｗは、ＡｌＡｓとＧａＡｓとの混晶であるＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ＜１）からなる。 （もっと読む）

【課題】活性層に変調電流を注入した場合でも、発振波長の変化を低減でき、波長チャーピングを抑制することができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型クラッド層１５と、ｐ型クラッド層１９及びｐ型コンタクト層２０と、活性層１７とを備える。更に、半導体レーザ素子１Ａは、回折格子層１３および該回折格子層１３上に設けられた接着層１４から成り、活性層１７との間にｎ型クラッド層１５を挟む位置に設けられた回折格子２４と、ｎ型クラッド層１５に接触するカソード電極２１と、ｐ型コンタクト層２０に接触するアノード電極２２とを備える。活性層１７は第１の光導波路を構成し、回折格子層１３および接着層１４は第２の光導波路を構成する。第１の光導波路と第２の光導波路とは、ｎ型クラッド層１５を介して光学的に結合し、レーザ共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド光デバイスに関し、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合させる際に、高効率なレーザ発振を実現する。
【解決手段】 下部に分布ブラッグ反射鏡を有する利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路とを近接配置して方向性結合させ、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面とする。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電流駆動できる小型且つ製造工程が簡便な半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明による発光素子は、半導体基板上に、発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層、カーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成され、前記半導体及び誘電体層上にはカーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体成長膜と支持体との間に高い絶縁性及び熱伝導性を有する絶縁膜を形成することによって半導体発光装置の耐電圧性及び放熱性の向上を図ることができる半導体発光装置の製造方法及びこれによって製造される半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】成長用基板上に半導体成長膜を形成する工程と、半導体成長膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜上に少なくとも互いに隣接する第１絶縁層及び第２絶縁層を有する多層絶縁膜を形成する工程と、多層絶縁膜上に支持体を形成する工程と、を有し、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに内在するピンホールは、第１絶縁層と第２絶縁層との界面において不連続であること。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体層接合基板の製造方法は、第１基板２の上面２Ａに、第１基板２と異なる熱膨張係数を有する第１半導体層３を成長させる準備工程と、第１半導体層３の上面３Ａに、第１基板２よりも第１半導体層３に近い熱膨張係数を有する第２基板４を接合した後、第１基板２を除去して第２基板４および第１半導体層３が接合された接合体６を形成する接合体形成工程と、第１基板２が除去された側の第１半導体層３の露出面７に、第１半導体層３と同じ組成系の第２半導体層５をさらに成長させる成長工程とを有している。そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良質の半導体層をエピタキシャル成長させて高品質の半導体デバイスが得られる半導体デバイスの製造方法などを提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合せ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体層積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】集積型の半導体レーザ装置において、各々のレーザ素子が有する発光点の相対的な位置関係が、チップ毎にばらつくのを抑制することが可能な集積型半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００の製造方法は、第１半導体レーザ素子層を有する第１半導体レーザ素子基板Ｓ１に第１光導波路Ｌ１を形成する工程と、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１と第２半導体レーザ素子層を有する第２半導体レーザ素子基板Ｓ２とを接合する工程と、この接合する工程の後に、第２半導体レーザ素子層に第２光導波路Ｌ２を形成する工程とを備え、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１は、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面１１ａ上に第１半導体レーザ素子層を有し、第２半導体レーザ素子基板Ｓ２は、ＧａＡｓ基板５１の表面５１ａ上に第２半導体レーザ素子層を有し、第１光導波路Ｌ１は、第１半導体レーザ素子層に形成され、第２光導波路Ｌ２は、第２半導体レーザ素子層に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザー装置に関して、入出力特性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供すること。
【解決手段】構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのｐ型化合物半導体、ｎ型化合物半導体、ｐ型電極、ｎ型電極、及び各電極と接続された配線と、グレーティング構造を有するシリコン層と、該化合物半導体と該シリコン層との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン層、電気配線と、該シリコン層を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 （もっと読む）