【課題】（２０２−１）、（２０２−１−）などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】（２０２−１）面を成長主面とする窒化物半導体基板１の成長主面１ａの分割予定位置Ｘａ方向に伸び、窒化物半導体層２に埋め込まれず、一方の内面のみに窒化物半導体層２が成長するようにストライプ状の溝１３を窒化物半導体層形成工程の前に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性良く部材を分離して高品位な製品を製造できる部材分離装置及び部材分離方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る部材分離装置は、ステージと、照射部と、を備える。前記ステージには、加工部材が載せられる。前記加工部材は、第１部材と、第１部材と接する第２部材と、を含む。前記第１部材は、第１波長を含む波長領域の光に対して透過性を有する。前記第２部材は、前記第１部材と接する。前記第２部材の前記波長領域の光に対する吸収率は、前記第１部材の前記第１波長の光に対する吸収率よりも高い。前記照射は、前記第１波長の成分と、前記波長領域に含まれ前記第１波長とは異なる第２波長の成分と、を含むレーザ光を生成し、そのレーザ光を加工部材に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】効果的にノイズを低減することが可能なＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。窒化物半導体層は、ワイヤボンド領域２２ａの外側の領域に、上面から少なくとも活性層１４を含む位置まで設けられた光の吸収部分５０を有している。 （もっと読む）

【課題】発光素子に、面内非均一な組成の量子井戸を有する自己組織化された量子ドットアクティベーション層を形成する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。前記基板には、中実部と多孔質部が設けられ、前記多孔質部は、前記インジウム含有量子井戸層のエピタキシャル成長のとき、温度を前記成長面に沿って変動させて、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成を変動させるように構成された孔を含む。 （もっと読む）

【課題】 輝度を上げることが可能な発光デバイスの製造方法を提供することである。
【解決手段】 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画される各領域にそれぞれ発光デバイス回路が形成された発光デバイスウエーハを個々の発光デバイスに分割する発光デバイスの製造方法であって、発光デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、分割された発光デバイスウエーハの裏面を研削して発光デバイスの仕上がり厚みへと薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、分割された発光デバイスウエーハの裏面から該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削することにより、個々の発光デバイスの裏面外周エッジに面取り部を形成する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に発光層が形成されたＬＥＤデバイスチップの製造方法であって、発光層の側面から発せられる光を遮断されにくくして輝度の向上を図る。
【解決手段】ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。次いで改質層３１２に外力を加え、改質層３１２を起点としてｎ層３１の裾野の部分３１１を分割、分離する。最後に、エッチング処理によって分割予定ライン２１に沿って露出したサファイア基板２の表面に切削加工を施し、多数のＬＥＤデバイスチップ１Ａを得る。 （もっと読む）

【課題】半導体発光チップにおける基板側面の基板表面に対する傾斜が抑制された半導体発光チップおよび基板の加工方法を提供する。
【解決手段】半導体発光チップ２０は、サファイア単結晶のＣ面を表面とし、側面２５、２６がサファイア単結晶のＭ面と等価な面のいずれとも交差する面で構成され、側面２５、２６にレーザ照射により形成された改質領域２３、２４を含む基板１０と、基板１０の基板表面１０ａ上に設けられた発光素子部１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のアノード側にある第１の面１３ａの四つの角のそれぞれに、切欠部１１３ａ等の切欠部が形成されている。切欠部１１３ａ等は、素子１１を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。スクライブ溝はレーザスクライバで形成され、スクライブ溝の形状はレーザスクライバを制御することによって調整される。例えば、切欠部１１３ａ等の深さとＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の厚みとの比は０．０５以上０．４以下、切欠部１１３ａの端部における側壁面の傾きは４５度以上８５度以下、切欠部１１３ｂの端部における側壁面の傾きは１０度以上３０度以下。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の信頼性および半導体発光素子の製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む複数の半導体積層体を、支持基板の第１の主面の上に間隙を隔てて選択的に形成する工程と、前記複数の半導体積層体のそれぞれと、他の支持基板と、を接合材により接合する工程と、前記支持基板の前記第１の主面とは反対側の第２の主面からレーザ光を入射し、前記接合材には前記レーザ光を照射せずに、前記複数の半導体積層体に前記レーザ光を照射して前記複数の半導体積層体から前記支持基板を剥離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】新規な垂直光電子構造の製造方法、及び、垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、垂直光電子構造の製造方法であって、ａ）第１の基板と、第１の基板に形成されたＩｎＧａＮシード層との積層体を提供するステップと、ｂ）基板上ＩｎＧａＮ構造を得るために、ＩｎＧａＮシード層上にＩｎＧａＮ層を成長させるステップと、ｃ）ＩｎＧａＮ層の表面上にわたって第１のミラー層を形成するステップと、ｄ）第１の基板を剥離するステップと、ｅ）ＩｎＧａＮの反対の表面上にわたって第２のミラー層を形成するステップとをさらに含む垂直光電子構造の製造方法に関する。 （もっと読む）