【課題】回折格子構造のデューティ比のばらつきに起因するレーザ特性の悪化を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法は、第１方向に沿って交互に配列された凸部１２ｂと凹部１２ａとを有する回折格子Ｇを半導体基板１１の主面１１ａ上に形成する工程と、回折格子Ｇを形成した後、主面１１ａを撮像し、撮像された画像データにおける凸部１２ｂに対応する第１領域３１と凹部１２ａに対応する第２領域３２との面積比を示す値を算出する工程と、予め定められた結合係数κとなるように値に基づいてスペーサ層１３の厚さｄｓを決定する工程と、回折格子Ｇを覆うようにスペーサ層１３を成長する工程と、スペーサ層１３上に活性層１４を成長する工程と、を備え、凸部１２ｂおよび凹部１２ａは、第１方向と交差する第２方向に沿って延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面ＥＧ１における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、支持部材Ｈ２と可動部材Ｈ１との間に押し込んだ状態を維持しつつ、この状態で可動部材Ｈ１を用いて、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域ＥＲ１に生じさせる。例えば、角度ＡＬＰＨＡは７１度〜７９度であり、且つ、撓み角ＴＨＥＴＡは１１度〜１９度にある。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】押圧方向ＰＲと支持板Ｈの表面Ｈａとが直交している状態から、ｃ−ｍ面において、ｍ軸から押圧方向ＰＲとａ軸とによって規定される基準面Ａｂに向かって角度ＴＨＥＴＡの傾斜を支持板Ｈに施し、更に、ブレード５ｇの位置決めを、複数のスクライブマーク５ｂのうち最も端にあるスクライブマーク５ｂ１と基板生産物５の表面５ａとの交差部Ｐ１を含んでおり押圧方向ＰＲに沿って延びる面に重なるように行う。角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲にある場合に、角度ＴＨＥＴＡが１１度以上１９度以下の範囲となるので、押圧方向ＰＲに沿って延びる基準面Ａｂは、ｃ軸に直交するｃ面に沿って延びる。 （もっと読む）

【課題】残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】凹凸部４６ｂを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれているので、回折格子エリア上の樹脂は分離エリアにおける平坦化樹脂層４８より厚くなる。このように厚さむらの平坦化樹脂層４８に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、この場合において、厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されるやすい。樹脂残渣の除去において、流量比Ｒ（フッ素系炭素の流量）／（酸素の流量）が１以下の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは小さく、流量比Ｒが１より大きい流量比の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは大きい。流量比Ｒが１以下の範囲であるとき、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能な形成方法等を提供する。
【解決手段】サンプルドグレーティング２１Ｐの形成方法は、複数の凹部３を含むパターン面１Ｐを有するナノインプリント用のモールド１を準備する工程と、周期的に設けられた光透過部７Ｔを有するマスク７を準備する工程と、半導体層２１上に、フォトレジスト層２７と、樹脂部２９とをこの順に形成する工程と、熱ナノインプリント法によってモールド１の複数の凹部３の形状を樹脂部２９に転写する工程と、マスク７を介してフォトレジスト層２７に露光光ＬＥを照射する工程と、フォトレジスト層２７を現像する工程と、フォトレジスト層２７の形状を半導体層２１に転写する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】 モールドパターンに樹脂を充填できると共に、余剰の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子作製方法を提供する。
【解決手段】 プライマ層６０上に樹脂Ｕを配置した後に、モールド１押し付ける。プライマ層６０は、モールド１よりも濡れ性が低い。モールドパターンＭＰの溝部Ｍａに樹脂Ｕが充填される。プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。第２の部分Ｐ２上では絶縁膜３０が露出している。絶縁膜３０はプライマ層６０よりも濡れ性が高い。樹脂Ｕにモールド１を押し付けたときに、モールド１とプライマ層６０との間からはみだした余剰樹脂Ｕａが絶縁膜３０に広がる。余剰樹脂Ｕａが、突出部３の側面３ｂに沿って盛り上がらない。余剰樹脂Ｕａによって除去困難な厚さのバリが形成されない。 （もっと読む）

【課題】半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザチップ１１の基板１の裏面に溝１０を設け、基板１の裏面に形成される裏面電極１２の一部を溝１０の内部に配置することにより、裏面電極１２と発光部７との距離が短くなると共に、裏面電極１２の表面積が大きくなる。これにより、発光部７から発生した熱の一部を裏面電極１２を通じて外部に逃がすことができるので、レーザチップ１１の放熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、板状部材とスペーサとを安定的に良好に分離し、個々の板状部材を良好に取り出す。
【解決手段】積層体の分離装置１０は、複数の板状部材２１と板状部材２１より長い複数の板状のスペーサ２２とが交互に積層された積層体２０から、個々の板状部材２１を順次取り出す装置である。分離装置１０は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる押上部材１１と、複数の板状部材２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】導波路構造を形成する際にアライメントマークを正確に認識することを可能にする。
【解決手段】アライメントマーク１５を凹部１５ａとして形成する工程と、回折格子１３ａを回折格子層１３に形成する工程と、クラッド層１７を成長させて回折格子層１３及びアライメントマーク１５を埋め込む工程と、クラッド層１７のうちアライメントマーク１５上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマーク１５を位置決めの基準に用いて、回折格子１３ａを含むメサストライプ構造２０を素子形成領域１０ｂに形成する工程とを含む。クラッド層１７を成長させる際、クラッド層１７を成長させる前に、半導体基板１０が収容されたチャンバ内にアルシン及びホスフィンを供給することにより、アライメントマーク１５の内面の表層部分のＰの一部をＡｓに置換して、該表層部分をＩｎＡｓＰを含む層に改質する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】リッジ下部の幅のばらつきを抑制することができるリッジ型半導体光素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、活性層１２、ｐ型ＩｎＰ層１４、ｐ型ＩｎＰ層１６を順に形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層１６をドライエッチングしてリッジ下部２０を形成する。次に、リッジ下部２０の周りをＩｎＧａＡｓＰ層２２によりリッジ下部２０の上面を覆わない高さまで埋め込む。次に、リッジ下部２０及びＩｎＧａＡｓＰ層２２上にｐ型ＩｎＰ層２４を形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層２４をドライエッチングしてリッジ下部２０上にリッジ上部２８を形成する。ここで、リッジ上部２８の上面の幅がリッジ下部２０の幅よりも広くなるようにする。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層２２をｐ型ＩｎＰ層１４、リッジ下部２０及びリッジ上部２８に対して選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

本発明の種々の実施の形態はモノリシックＶＣＳＥＬアレイを対象とし、モノリシックＶＣＳＥＬアレイにおいて、各ＶＣＳＥＬは、異なる波長においてレーザ光を放射するように構成することができる。一実施の形態では、モノリシック面発光レーザアレイは、反射層と、発光層１０２と、２つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層１１２とを備える。各回折格子は反射体とともに空洞共振器を形成するように構成されており、各回折格子は、１つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ回折格子を通って放射される１つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）