【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 （もっと読む）

【課題】電極パッドとＢＣＢ樹脂との接合強度を高めることができる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、光を発生、吸収、若しくは導波する層を含む半導体光素子２上にＢＣＢ樹脂領域４を形成する樹脂層形成工程と、酸素原子を含むガスから生成された誘導結合プラズマＰ１によってＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａを処理することにより、ＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａに凹凸を形成するとともにＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上にシリコン酸化膜６を形成するプラズマ処理工程と、金属からなる電極パッドをＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上に形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

１つ以上のＡｌ含有エッチング停止層を有する（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードを製造するステップを含む、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するために使用され得る構造および方法。エッチング停止層は、素子における１つ以上のエッチングされた層のエッチング深さを制御するために使用される層であり、エッチングされた層は、素子内にエッチング停止層と他の層との間に選択的にエッチングされた層を備える。エッチング停止層は、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎのｎ型ドープ、ｐ型ドープ、または非ドープ合金から構成される層に隣接する。最後に、エッチング停止層は、電子遮断層としても機能するか、またはしなくてもよい。
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【課題】信頼性の高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、少なくとも活性層(３周期多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３０５)の光出射端面上に設けられた第１の保護膜２０１ａと、第１の保護膜２０１ａ上に設けられた第２の保護膜２０１ｂと、を備え、第１の保護膜２０１ａは、光出射端面の半導体と第２の保護膜２０１ｂとの間に設けられ、第１の保護膜２０１ａ中の半導体と直接接する層が、ルチル構造を有するＴｉＯ_２から主としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。
【解決手段】n型Si基板10にエピタキシャル成長層40とp側電極26を形成する第1工程と、p側電極に支持基板30を接合する第2工程と、n型Si基板及びバッファ層40-1をエッチング除去する第3工程と、n型GaN層16の発光領域が形成される側の面16aの出力光を取り出す領域を除く領域にn側電極42を形成する第4工程と、を含んで構成されるLEDの製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電膜間の密着性のさらなる向上が可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、活性層２５を有する半導体素子層２０と、半導体素子層２０の活性層２５を含む領域の端部に形成された光出射面１および光反射面２からなる共振器端面と、光出射面１の表面上に形成されたＡｌＮ膜４１と、ＡｌＮ膜４１の光出射面１とは反対側の表面上に形成されたＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ（０≦Ｘ＜１．５、０＜Ｙ≦１）膜４２とを備える。そして、ＡｌＮ膜４１とＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ膜４２との界面３は、凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】素子の端面からの酸化をより確実かつ容易に防止することができる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子を準備する準備工程と、前記半導体レーザ素子の前記端面上にアルミニウムまたはケイ素からなる下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜に窒素プラズマを照射して窒化下地膜を形成する窒化工程と、前記窒化下地膜上に誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】性層の成長にＭＢＥ装置を用いるハイブリッド方式において、製品のスループットの向上が図られる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、水素プラズマクリーニングと活性層１４の成長とを別々の真空装置で分離して実行することにより、クリーニング終了時の成長室３３内の水素残留濃度を考慮する必要が無くなり、成長室３３への基板搬送後に速やかに窒素プラズマ発生用のＲＦガン４４の窒素プラズマを点火して活性層１４の再成長を行うことが可能となる。したがって、この半導体レーザ素子の製造方法では、従来のように同一の真空装置内で水素プラズマクリーニングと活性層の成長とを連続して行う場合と比較して、製品のスループットの向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子の高光出力時の長期安定動作を実現させる。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子では、基板１０上に窒化物半導体の多層膜１００が設けられている。窒化物半導体の多層膜１００は、発光層を含み、互いに略平行な２つのへき開面を有している。へき開面はどちらもレーザ共振器の端面であり、レーザ共振器の端面にはその端面に接するように保護膜７０がそれぞれ設けられている。そして、レーザ共振器の少なくとも一方の端面と保護膜７０との界面におけるシリコン密度が５×１０^１９atoms/cm³以下である。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板（１０１）上に形成された窒化物半導体積層構造（１０２−１０８）を含み、この窒化物半導体積層構造はインジウムを含む窒化物半導体からなる活性層（１０５）を含み、記窒化物半導体積層構造の光出射端面（１０３）がエッチングにより形成されており、光出射端面上に酸窒化物からなる端面コート膜が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】装置性能の劣化を招くことなく、長期安定動作が可能な、窒化ガリウム系の半導体構造を有する半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 リッジ部の表面上以外に絶縁膜８を形成した後、Ｏ₂、Ｏ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂等の酸素を含んだガスを供給しｐ型ＧａＮコンタクト層７を表面から酸化することにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層７の表面に酸化膜９を形成する。続いて、酸化膜９および絶縁膜８上に、ｐ型ＧａＮコンタクト層７への接触を図るｐ型電極１０を蒸着もしくはスパッタにより形成する。その後、窒素、ＮＨ₃など窒素を含むガスやＡｒ、Ｈｅなど不活性ガス中にて４００〜７００℃にて熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】モノリシックに形成された高出力二波長レーザを備えた半導体レーザ装置において、レーザの高出力動作中のＣＯＤレベルの低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の一主面の一部である第１領域上に、半導体基板側より順に積層された第１下部クラッド層３、第１量子井戸構造を有する第１活性層４、および第１上部クラッド層５、７を有し、第１共振器を形成する第１半導体レーザ構造１０が形成され、半導体基板の一主面の第１領域とは異なる第２領域上に、半導体基板側より順に積層された第２下部クラッド層１３、第２量子井戸構造を有する第２活性層１４、および第２上部クラッド層１５、１７を有し、第２共振器を形成する第２半導体レーザ構造２０が形成されている。第１及び第２共振器の端面には、端面コート膜３１、３２が形成され、第１及び第２共振器の端面と端面コート膜との間に、窒素含有層３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスによってＩＩＩ-Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、ＨＶＰＥプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約２００℃以下に加熱される。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と、単一モード性の確保とを両立させることができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、レジスト層１９に溝パターン２０を形成するにあたって、ナノインプリント法を用いている。これにより、回折格子層１３に対して深さの異なる複数の溝パターン２１を一括形成することができるので、電子線描画法に比べて、生産性の向上が図られる。また、ナノスタンパ２２をレジスト層１９に直接押し付けるので、雑音や振動の影響を小さくでき、さらに、電子線照射量の揺らぎの問題や電子銃の劣化の問題を生じないので、精度の高い溝パターン２１の形成が可能となる。従って、回折格子層１３の結合係数を最適値に近づけることが容易となるので、半導体レーザ素子１の共振器内における光強度分布の均一化が図られ、単一モード性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体レーザ素子のレーザ特性が不安定になるのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体層の[０００１]方向に対して略平行に延びる導波路と、導波路の前端に位置し、窒化物系半導体層の略（０００−１）面からなる光出射面１２と、導波路の後端に位置し、窒化物系半導体層の略（０００１）面からなる光反射面１３とを備え、光出射面１２から出射されるレーザ光の強度が、光反射面１３から出射されるレーザ光の強度よりも大きくされている。 （もっと読む）