【課題】Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＰ等の間接型半導体を材料として用いる半導体レーザダイオードにおいて発光効率を向上させる。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することにより活性層１２に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか１以上の層１１、１２、１３の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、順方向バイアス電圧により活性層１２における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、変化後の表面形状及び／又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、反転分布を形成している伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより、表面形状及び／又はドーパント分布を固定させるとともに、誘導放出により生成された光を共振面間で共振させることにより更なる誘導放出を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率が高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層の厚さの合計Dudpが、半導体レーザ装置の発振波長の0.5倍以上、かつ2μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有する第１導電型のシリコン基板と、シリコン基板の第１の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ第１導電型と異なる第２導電型のシリコン層と、シリコン層上に設けられた第１の電極と、シリコン基板の第２の面上に設けられた第２の電極と、を備え、シリコン基板のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、シリコン層のキャリア濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３〜５×１０^１９ｃｍ^−３であり、且つ、シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜の膜厚は、０．３ｎｍ〜５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコンプロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのＩＶ族半導体を基本構成要素としたシリコンレーザー素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】電子を注入するための第１の電極と、正孔を注入するための第２の電極と、前記第１及び第２の電極に電気的に接続された光を放出する発光部と、発光部からの光を伝送するための導波路を備え、前記１の電極、前記２の電極、及び発光部を単結晶シリコンとし、発光部は二酸化シリコン層で表面を覆われたシリコン極微細線であって、発光部は、二酸化シリコンよりも屈折率の高い導波路により覆われ、発光素子の上下に位置する絶縁膜の発光波長λにおける実効的な屈折率がｎのときに、λ/２ｎの周期で光進行方向に沿って並設させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）１０００は、光出射面１から近い順に、ＡｌＮ膜４１と、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２と、ＡｌＮ膜４３とが形成された誘電体多層膜である第１変質防止層４０と、第１変質防止層４０の光出射面１側とは反対側の表面に形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜５１とを備える。そして、レーザ光の波長がλであり、ＡｌＮ膜４１、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２およびＡｌＮ膜４３の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ＡｌＮ膜４１の厚みｔ１、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２の厚みｔ２およびＡｌＮ膜４３の厚みｔ３は、それぞれ、ｔ１＜λ／（４×ｎ１）、ｔ２＜λ／（４×ｎ２）およびｔ３＜λ／（４×ｎ３）に設定されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 （もっと読む）