【課題】ＩＶ族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＶ族化合物半導体、有機化合物半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された短波長の光を放出又は吸収するよう機能する半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、半導体光デバイスが、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に形成された高純度の酸化モリブデンを含む。これにより、深紫外波長領域から可視波長領域までの光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンドを用いた紫外発光、かつ大出力の発光素子を実現する。
【解決手段】 ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の間に、ダイヤモンドより大きな原子間距離で結合する不純物元素を混入させたダイヤモンド層を挿入することにより、上記ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３と、上記不純物元素混入ダイヤモンド層５との両界面に歪を発生させ、上記両界面近傍のｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の側で、光学遷移を間接遷移型から直接遷移型に変えると共に、正孔や電子を上記両界面近傍に局在さすことにより、高発光効率、高出力の紫外発光素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】集積化に適した光共振器構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板上でシリコン基板の表面に対して略平行な方向に隣接して設けられたｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎホモ接合部を発光部として有する半導体発光素子であって、ｐｎホモ接合部は、発光部における発光波長の整数倍と整合した周期で蛇行している。 （もっと読む）

【課題】従来の基板リサイクルに比べて熱歪による基板の劣化を抑制し、更に基板のリサイクルと同等の効果を有しながら、コスト的にも従来より安価な発光素子の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板１００に分離層１０２、発光層１０３の順に成長させ、分離層１０２及び発光層１０３を第２の基板１１０に貼り合わせ、分離層１０２を除去することで、発光層１０３を第２の基板１１０に形成する発光素子の形成方法において、第１の基板１００に成長させる分離層１０２及び発光層１０３を一組とし、分離層１０２及び発光層１０３の組を複数組成長させ、最上層に存在する発光層１０３を島状にパターニングした後に、第２の基板１１０に貼り合わせ、島状にパターニングされた発光層１０３に隣接する分離層１０２をエッチングすることで、島状にパターニングされた発光層１０３を第２の基板１１０に形成する。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで、放熱性を向上させ、高光出力時においても信頼性の高い動作を実現することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ１は、活性層がｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とにより挟まれてなる光導波路の当該光導波方向の両端面に光反射面１ｃ，１ｄが形成されている。前記活性層と前記光反射面１ｃ，１ｄとの両方に直交する位置にある側面、つまり光導波路に沿う方向の側面１ａ，１ｂは、活性層と直行する方向から半導体レーザ１を見たときに、ジグザグ形状をし、当該側面の１ａ，１ｂ面積が、前記光導波路を通り且つ活性層と直交する断面の面積よりも大きい。
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【課題】大電流の注入による熱破壊を防ぎ、電流励起によるレーザ発振を実現する。大電流駆動を可能とした高輝度の有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】この有機半導体レーザ装置は、有機半導体レーザ活性層２と、有機半導体レーザ活性層２に正孔を供給する第１透明導電膜としての陽極１と、有機半導体レーザ活性層２に電子を供給する陰極３とを備えている。陽極１を支持する透明基板１０は、サファイヤ基板からなる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ１０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、このｎ−半導体基板１２と格子整合するとともにｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層１６ａと、この第１ｎ−クラッド層１６ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層１６ｂと、この第２ｎ−クラッド層１６ｂと第１ｎ−クラッド層１６ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層１６ａに対応してｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成され、Ａｌ、Ｇａは第１ｎ−クラッド層１６ａと同じ組成で、Ｉｎの組成のみが第１ｎ−クラッド層１６ａのＩｎの組成よりも少ない挿入層１６ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて効率よく発光する半導体発光材料を提供する。
【解決手段】構成原子が四面体結合構造をなして結合している母体半導体と、前記母体半導体の格子点サイトの構成原子と置換される不純物原子Ｓと、前記母体半導体の格子間サイトに挿入される不純物原子Ｉとを含み、前記不純物原子Ｓと前記不純物原子Ｉとの間の電荷移動により、前記不純物原子Ｓが前記母体半導体の構成原子と一致した電荷を持ち前記不純物原子Ｉが閉殻構造の電子配置をとった状態で結合している半導体物質からなり、前記半導体物質が前記四面体結合の結合方向に伸長されていることを特徴とする半導体発光材料。 （もっと読む）