【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の反りを低減する、または反りの方向を逆転させる。
【解決手段】窒化物半導体基板の加工方法であって、第１の主面１１と第２の主面１２を有し、第１の主面１１側が凸に反った窒化物半導体基板１を準備する工程と、基板準備工程よりも反りを大きくした状態で基板１を固定し、第１の主面１１の平坦化加工により、中心部の膜厚を外周部の膜厚よりも小さくする工程と、基板１の固定を解除する工程と、第２の主面１２を研磨して基板１の中心部の膜厚と外周部の膜厚を略等しくする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層に要求される特性を有するｎ型クラッド層またはｐ型クラッド層に要求される特性を有するｐ型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型第１クラッド層１２Ａにおいて、ｎ型キャリア密度をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも高くし、かつ層厚をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも厚くすることにより、ｎ型クラッド層１２全体のキャリア伝導性を確保する。ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 （もっと読む）

【課題】タイプＩＩ発光を抑制することにより発光効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。スペーサ層１４は、伝導帯下端がｎ型クラッド層１２、ｎ型グレーデッド層１３、ガイド層１５および活性層１６の伝導帯下端よりも高い準位となるようなバンド構造を有しており、ｎ型クラッド層１２と活性層１６とのタイプＩＩ発光を抑制するような材料および厚さにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率の高い、信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系酸化物半導体のウェットエッチング性を利用して、電流狭窄層を効果的に内部に埋め込んだ高特性の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 電流注入により発光する活性層１５よりバンドギャップが大きい材料からなり活性層１５を両面から挟持するｎ型およびｐ型のクラッド層４、６とを有し、活性層１５がＣｄ_x Ｚｎ_1-x Ｏ（０≦ｘ＜１）からなり、クラッド層４、６がＭｇ_y Ｚｎ_1-y Ｏ（０≦ｙ＜１）からなり、内部電流狭窄層１７が作り込まれている。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の期待されるＩｎＰ基板に整合したＢｅを含むＩＩ―ＶＩ族化合物半導体で構成された半導体レーザの素子特性を向上する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、光ガイド層、活性層、光ガイド層およびｐ型クラッド層を有する構造とし、活性層はＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶より構成される層を有し、ｎ型クラッド層、光ガイド層およびｐ型クラッド層の少なくとも１つの層に、活性層のＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶と同一の元素で構成される層を有するものとするとともに、この層は、活性層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶のＢｅの組成と比べて組成の変動が±３０％以内であるＢｅの組成の混晶を井戸層とする超格子構造によって構成する。 （もっと読む）