【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】回折格子が形成された領域と回折格子が形成されない領域の境界において光密度を低減できるレーザ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ素子は、基板１２と、該基板の上に形成された下部クラッド層１４と、該下部クラッド層の上に形成され、共振器端面に接しない部分に無秩序化された無秩序部１６ａを有する活性層１６と、該活性層の上に形成された上部クラッド層１８と、該活性層の上方の層又は下方の層の一部に形成された回折格子１８ａと、を備える。そして、該無秩序部は、該回折格子が形成された領域である回折格子部と該回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤの発生を防止しつつ、レーザ性能の劣化を抑制する半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に堆積された第１導電型の第１クラッド層と、第１クラッド層の上に堆積された活性層と、活性層の上に堆積された第２導電型の第２クラッド層と、第２クラッド層の上に堆積されたコンタクト層とを備え、活性層は、空孔の拡散により混晶化した窓部と、窓部より混晶度が小さい非窓部とを有し、コンタクト層は、第１領域と、第２領域を有し、第２領域は第１領域よりも水素との親和性が高く、第２領域は第１領域の下側にある半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下で駆動させた場合であってもＣＯＤ発生を抑制し高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子１は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域２３と、量子井戸構造の活性層１５を有する非窓領域２４とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域２３上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層１５の近傍側の層にＶ族サイトを占める不純物がドーピングされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層中のＯ原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する半導体基板であって、前記ｐ型結晶層が、３族原子としてアルミニウム原子を含む３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、１×１０^１７ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含み、かつ、２×１０^１７ｃｍ^−３以上、２×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度が高精度に制御された半導体領域を有する半導体レーザを得ることが可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体レーザを製造するための半導体領域８０と、中間層９０と、半導体レーザを製造するための半導体領域１００とをこの順に半導体基板５上に形成する半導体領域形成工程と、半導体領域１００のドーパント濃度を測定する測定工程と、測定工程の後、半導体領域１００及び中間層９０を除去する除去工程と、半導体領域８０を用いて半導体レーザを製造することの要否をドーパント濃度の測定結果に基づき判定する判定工程と、判定工程において半導体領域８０を用いて半導体レーザの製造を要すると判定された場合、半導体領域８０を用いて半導体レーザを製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ重畳をかけることなく戻り光雑音を抑制することができるシングルモード半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層には、誘導放出を行うアクティブ領域以外に、光出射端面から一定の距離内に誘導放出を行わないパッシブ領域が設けられ、パッシブ領域の屈折率をｎ_Ｐ、活性層のうち、メサストライプ領域の屈折率をｎ_Ｓ、アクティブ領域のうち、メサストライプ領域中心部の屈折率をｎ_Ｃ、としたときに、誘導放出を行う動作時の屈折率がｎ_Ｐ＜ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｃである。誘導放出されたレーザ光は、パッシブ領域によりスポットサイズが広げられ、光出射端面から出力する。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術、製造ノウハウを活かすことができ、かつ、ｐ型不純物の拡散を抑制できるエピタキシャルウエハ及びエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上方に設けられるｎ型クラッド層２０と、ｎ型クラッド層２０の上方に設けられ、５．０×１０^１５ｃｍ^−３以下の原子濃度のＣと１．０×１０^１６ｃｍ^−３以上１．６×１０^１６ｃｍ^−３以下の原子濃度のＭｇと１．１×１０^１６ｃｍ^−３以上５．０×１０^１８ｃｍ^−３以下の原子濃度のＺｎとを含む活性層４０と、Ｃがドープされた炭素ドープ層６２とアンドープ層６４とＭｇがドープされたマグネシウムドープ層６６とを有するｐ型クラッド層６０と、ｐ型クラッド層６０上に設けられ、Ｚｎを含むｐ型キャップ層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザーの端部における放熱性を向上することが可能なリッジ型半導体レーザー及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】リッジ型半導体レーザー１は、所定の軸Ａｘ方向に順に配列された一端部３１、中間部３２、及び他端部３３を含む半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢの主面ａ１上に設けられたクラッド層Ｃ１と、クラッド層Ｃ１上に設けられたコア領域１０と、コア領域１０上に設けられ、所定の軸Ａｘ方向に延在するリッジ部Ｃ２と、リッジ部Ｃ２上に設けられた絶縁層１９と、リッジ部Ｃ２及び絶縁層１９上に設けられ、リッジ部Ｃ２に接続された電極Ｅ１と、中間部３２上において、絶縁層１９上に設けられリッジ部Ｃ２を埋め込む樹脂層６とを備え、中間部３２上の樹脂層６は、絶縁層１９の側面に接し、一端部３１及び他端部３３上の電極Ｅ１は、リッジ部Ｃ２の側面５上の絶縁層１９上に延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子に設けられた複数の共振器に対して、効率良く、かつ良好な均一性で電流を注入する。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１００は、３次元フォトニック結晶１１０を用いている。フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】絶縁性シリコン化合物からなるマスクを形成する際の堆積物の発生を低減し、アッシングによる半導体積層へのダメージを抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。表層１７ａの表面を加熱して酸化膜１８を形成する。絶縁性シリコン化合物層１９ａを半導体積層部１０上に形成する。絶縁性シリコン化合物層１９ａの一部を覆うレジスト膜を形成し、絶縁性シリコン化合物層１９ａに対してフッ素系エッチャントを用いたドライエッチングを施すことにより、エッチングマスクを形成する。半導体積層部１０に対し、エッチングマスクを介してエッチングを施すことにより、半導体メサを形成する。半導体メサの周囲に、エッチングマスクを選択マスクとして埋め込み層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子の耐熱性を向上させ、かつ効率を高める。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１０００は、３次元フォトニック結晶１００を用いている。該フォトニック結晶は、共振器１１０を形成する第１の欠陥、該共振器で発生した光を外部へ取り出す導波路１２０を形成する第２の欠陥および該共振器で発生した熱を外部へ放出する放熱部１３０を形成する第３の欠陥を有する。フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。第３の欠陥の少なくとも一部は半導体で構成されている。共振器と放熱部の光の結合効率が共振器と導波路の光の結合効率よりも低く、かつ活性部から放熱部に伝導して放出される熱が活性部から導波路に伝導して放出される熱よりも多い。 （もっと読む）

【課題】歪が十分に緩和された半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上面に複数の帯状の溝部１０Ａが設けられている。複数の溝部１０Ａは、リッジ部２７との対向部分（帯状領域２７Ａ）の両脇に、帯状領域２７Ａに沿って設けられている。各溝部１０Ａの、共振器方向の長さＬ₁は、共振器長をＬ₃としたときに、Ｌ₃／２よりも短くなっている。基板１０の上面には、溝部１０Ａによってリッジ部２７の延在方向から挟まれた領域（溝未形成方形領域１０Ｂ）が存在している。各溝未形成方形領域１０Ｂの、共振器方向の長さＬ₂は、Ｌ₃／３以下となっている。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）