【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器構造のＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ＡｌＧａＡｓ層から構成されるｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたＡｌＧａＡｓ層から構成されるｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４の光学的膜厚が発振波長よりも大きく、共振器１０４は、活性層１０６Ｂの上下に配された一対のスペーサ層１０６Ａ、１０６Ｃと、スペーサ層１０６Ｃの側に形成された共振器延長領域１０５とを含む。共振器延長領域１０５は、ｎ型のＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】偏光度ＰＤを向上させる発光素子、及びそのような発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、中心波長λ、及び偏光度Ｐ_Ｄを有する光を発光するよう構成された発光領域を含むことができ、これらの中心波長λ及び偏光度Ｐ_Ｄは、２００ｎｍ≦λ≦４００ｎｍ、ｂ≦１．５に対してＰ_Ｄ＞０．００６λ−ｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】 安定したレーザ光を出射可能な端面発光型フォトニック結晶レーザ素子を提供する。
【解決手段】 端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０は、Ｘ軸を囲む４つの端面を有し、端面のうちの１つはレーザ光出射面ＳＦであり、端面のうちのレーザ光出射面ＳＦに対向する面を逆側端面ＳＢとし、端面のうちの残りの一対の端面を側方端面ＳＲ，ＳＬとする。端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０をＸ軸方向から見た場合、上部電極Ｅ２の一端はレーザ光出射面ＳＦに重なり、上部電極Ｅ２と逆側端面ＳＢとは離間し、上部電極Ｅ２と双方の側方端面ＳＲ，ＳＬとは離間し、且つ、活性層３Ｂの一端はレーザ光出射面ＳＦに重なっている。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る、高出力の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備え、第１化合物半導体層２１は、基体側から、第１クラッド層１２１Ａ及び第１光ガイド層１２１Ｂの積層構造を有し、積層構造体は、第２化合物半導体層２２、活性層２３、及び、第１光ガイド層の厚さ方向の一部分１２１Ｂ’から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１光ガイド層１２１Ｂの厚さをｔ₁、リッジストライプ構造２０Ａを構成する第１光ガイド層の部分１２１Ｂの厚さをｔ₁’としたとき、６×１０^-7ｍ＜ｔ₁，０（ｍ）＜ｔ₁’≦０．５・ｔ₁を満足する。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ側領域１０、活性領域２０及びｐ側領域３０を順に備える。ｎ側領域１０は、ホールをブロックすることが可能なホールブロック層１１を有し、ｐ側領域３０は、電子をブロックすることが可能な電子ブロック層３１を有する。また、ホールブロック層１１は、電子ブロック層３１よりもバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への良好な電極形成と良好なリッジ形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４４を形成する。このマスク４４は、摂氏３００度以下の成膜温度で成膜されたチタン層と摂氏３００度以下の成膜温度で成膜された酸化シリコン層との多層構造を有する。マスク４４と下地との間で安定した密着性を得る。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で摂氏３００度以下の基板温度で行われる。基板主面１２ａ及び半極性主面１４ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜する。この角度範囲では半極性主面１４ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４４を用いて半導体積層１４及び金属層３４のエッチングを行い、半導体リッジ５０を含む窒化物半導体領域４８と電極層４６とを形成する。 （もっと読む）

【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備えた窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。ｎ型ガイド層１５は、ＩｎＧａＮ層とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層（０≦Ｘ＜１）とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が２．６以下である。前記超格子層を構成するＩｎＧａＮ層のＩｎ組成が発光層１０のＩｎＧａＮ量子井戸層のＩｎ組成よりも小さい。前記超格子層が発光層１０に接している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】電子漏れが抑制でき、光閉じ込めの向上を図ることができ、非発光を抑制することが可能なフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、電子ブロック層、２次元フォトニック結晶層がこの順に積層されているフォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶層は、第一のｐ型半導体によるバンドギャップの異なる複数の層を備え、
第一のｐ型半導体による複数の層のバンドギャップは、電子ブロック層を構成する第二のｐ型半導体のバンドギャップよりも小さく、複数の層の積層方向に向かって段階的ないしは連続的にそのバンドギャップが減少するように積層され、
積層された層の面内方向の高屈折率部と低屈折率部とによる２次元フォトニック結晶層の該低屈折率部には、
電子ブロック層の表面を覆うように、第二のｐ型半導体よりもアクセプタドープ濃度の小さい第三のｐ型半導体が設けられている。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力・高信頼を有する半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０９と、バッファー層１０６，１０７と、第１のＳＣＨ層１０２と、活性層１０１と、第２のＳＣＨ層１０３と、第２のクラッド層１０５と、キャップ層１０８と、電極１１３とを備え、第２のクラッド層１０５およびキャップ層１０８がリッジに形成され、キャップ層１０８のリッジ頂上以外における電極１１３との間に絶縁膜１１０が挿入され、光密度の高い側端面近傍のバッファー層１０７がこれ以外のバッファー層１０６と比べ抵抗率が高くなるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】高効率の光半導体素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。多層積層体は、前記方向に交互に積層された複数の厚膜層と厚膜層よりも厚さが薄い複数の薄膜層とを含む。ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 （もっと読む）