【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】 安定したレーザ光を出射可能な端面発光型フォトニック結晶レーザ素子を提供する。
【解決手段】 端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０は、Ｘ軸を囲む４つの端面を有し、端面のうちの１つはレーザ光出射面ＳＦであり、端面のうちのレーザ光出射面ＳＦに対向する面を逆側端面ＳＢとし、端面のうちの残りの一対の端面を側方端面ＳＲ，ＳＬとする。端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０をＸ軸方向から見た場合、上部電極Ｅ２の一端はレーザ光出射面ＳＦに重なり、上部電極Ｅ２と逆側端面ＳＢとは離間し、上部電極Ｅ２と双方の側方端面ＳＲ，ＳＬとは離間し、且つ、活性層３Ｂの一端はレーザ光出射面ＳＦに重なっている。 （もっと読む）

【課題】光遷移領域において伝搬損失が抑制される構造とすることにより、変換特性が向上されるスポットサイズ変換器、それを備える半導体光素子、及びそれらの製造方法の提供。
【解決手段】下部コア層と、前記下部コア層より屈折率が大きい上部コア層と、を含む複数層が積層される多層構造が、ｎ型半導体基板上に形成され、前記多層構造は、光遷移領域において、光の出射方向に沿って前記上部コア層の幅が徐々に小さくなり、前記下部コア層の幅が徐々に大きくなっており、一方の端面より入射される光が、前記上部コア層を伝搬し、前記光遷移領域において光が前記上部コア層から前記下部コア層へ遷移し、さらに、前記下部コア層を伝搬して、他方の端面より出射する、スポットサイズ変換器であって、前記光遷移領域において、前記多層構造の両側と上側が、半絶縁性半導体層によって埋め込まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体レーザ装置１００は、ＰＬＣ基板１１、ＰＬＣ電極１２、半田バンプ１４及びＬＤ１５を有する。ＰＬＣ電極１２は、ＰＬＣ基板１１上に形成され、部分的に開口部１８を有する。ＬＤ１５は、ＰＬＣ電極１２の上方に配置される。半田バンプ１４は、ＰＬＣ電極１２とＬＤ１５との間に形成される。開口部１８を介して露出したＰＬＣ基板１１の表面は、半田バンプ１４とは非接触である。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力状態でも安定して単一モード発振動作が可能で、かつ狭発振線幅を有するＤＢＲレーザの提供を目的とする。
【解決手段】本発明のＤＢＲレーザは、活性導波層を有する活性領域と、活性領域に隣接して設けられ、活性導波層の延長上に受動導波層を有するＤＢＲミラー領域とを備えたＤＢＲレーザであって、ＤＢＲミラー領域への光の侵入長と活性領域長との和である実効共振器長の整数分の一だけ、実効共振器長の領域の光出力側の端部から離れた活性領域中の領域に、光の屈折率又はモードの利得を変調する変調領域を複数備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上において上面および側面を備えて画定され光導波路層（１０６）を備えたストライプ状の半導体領域（１０２）と、半導体領域の光導波路層より上部に設けられたヒータ（１０４）と、を備え、半導体領域の幅は、ヒータが設けられた全ての領域に渡って半導体基板の幅より狭く画定され、光導波路層は、半導体領域の側面の下端より上側に設けられ、半導体領域の側面の下端の位置から光導波路層の位置までの距離は、半導体領域の幅の０．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】不要な熱の発生を抑え、消費電力を抑制することができる半導体光変調器差動型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体レーザ１とＥＡ変調器２とを備える半導体装置において、ＥＡ変調器２のｐ側電極３０及びｎ側電極３１をＥＡ変調器２の表面側に配置し、半導体レーザ１のｐ側電極１８を半導体レーザ１の表面側に配置し、半導体レーザ１のｎ側電極１９を半導体レーザ１の半導体基板側に配置し、ＥＡ変調器２と半導体基板との間に絶縁層を設けて、ＥＡ変調器２と半導体レーザ１のｎ側電極１９とを分離し、半導体レーザ１のｐ側電極１８、ＥＡ変調器２のｐ側電極３０及びＥＡ変調器２のｎ側電極３１をそれぞれ分離し、ＥＡ変調器２のｐ側電極３０及びｎ側電極３１に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】きれいなアイ開口を得ることができる半導体レーザ差動型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体レーザ１とＥＡ変調器２とを備える半導体装置において、半導体レーザ１のｐ側電極２２及びｎ側電極２３を半導体レーザ１の表面側に配置し、ＥＡ変調器２のｐ側電極３６を表面側に配置し、ＥＡ変調器２のｎ側電極３７を半導体基板側に配置し、半導体レーザ１と半導体基板との間に絶縁層を設けて、半導体レーザ１のｐ側電極２２及びｎ側電極２３とＥＡ変調器２のｎ側電極３７とを分離し、半導体レーザ１のｐ側電極２２、半導体レーザ１のｎ側電極２３及びＥＡ変調器２のｐ側電極３６をそれぞれ分離し、ＥＡ変調器２に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段と、半導体レーザ１に差動電気信号と周波数及び位相が同一の正弦波電気信号を印加する正弦波電気信号印加手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく安価にモジュールを作製することができる半導体レーザ及び半導体光変調器差動型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１とＥＡ変調器２とを備える半導体装置において、半絶縁体基板上に前記半導体レーザ１と前記半導体光変調器２を形成し、半導体レーザ１のｐ側電極２１及びｎ側電極２２を半導体レーザ１の表面側に配置し、ＥＡ変調器２のｐ側電極２１及びｎ側電極２２をＥＡ変調器２の表面側に配置し、半導体レーザ１のｐ側電極２１、半導体レーザ１のｎ側電極２２、ＥＡ変調器２のｐ側電極３９及びＥＡ変調器２のｎ側電極４０をそれぞれ分離し、ＥＡ変調器２のｐ側電極３９及びｎ側電極４０に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１の両側面およびリッジストライプ１１の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜１４を設ける。電流狭窄用絶縁膜１４のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ１１の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ１１の両側の底面に高屈折率絶縁膜１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ層内に形成されたＩｎＰよりも高い屈折率を持つＩｎＧａＡｓＰからなる回折格子を備えた屈折率結合型ＤＦＢレーザ素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】屈折率結合型ＤＦＢレーザ素子の回折格子層を構成するＩｎＧａＡｓＰのバルク時における格子定数をＩｎＰの格子定数よりも短くすることにより、回折格子層に蓄積されたキャリアの自然放出過程による発光を容易に抑制し、キャリアの損失を低減させると同時に、ノッチ形成に起因する電気抵抗の上昇による消費電力の上昇を低減する。 （もっと読む）

【課題】簡便な波長制御方法で安定な単一縦モードを維持しつつ、１０ｎｍ以上の広い波長可変範囲と２０ｍＷ以上の高い光出力とを両立可能な波長可変半導体レーザを実現する。
【解決手段】素子構造は、（１）活性領域９と回折格子５を含んだ非活性領域１０とから成る１対を１周期として、当該１対を複数個含む前方反射領域１８と、（２）長手方向の長さがそれぞれ異なる複数個の垂直マッハツェンダー結合器２１，２２を組み合わせて構成された非活性な後方反射領域１７とから成る。前方端面には無反射コーティング４Ａが施され、後方端面には高反射コーティング４が施されている。前方反射領域１８の活性領域９と非活性領域１０、及び、後方反射領域１７には、それぞれ独立に電流１，２，１９が注入される。 （もっと読む）

【課題】高温領域における光出力の低下を低減可能な位相シフト分布帰還型半導体レーザを提供する。
【解決手段】位相シフト分布帰還型半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１の半導体端面２３ａから第２の半導体端面２３ｂに延びる軸Ａｘの方向に配列された第１、第２及び第３の部分１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。第３の部分１７ｃは、第１の部分１７ａと第２の部分１７ｂとの間に位置する。第１及び第２のキャリアブロック層１９ｂ、２１ｂは、活性層１５における伝導帯Ｅ_Ｃ２において電子に対するポテンシャル障壁を提供する。第１のキャリアブロック層１９ｂは、活性層１５の第１の部分１５ａとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。第２のキャリアブロック層２１ｂは、活性層１７の第２の部分１７ｂとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。 （もっと読む）

半導体レーザー構造に回折格子プロファイルを形成する方法は、ウエハ基板、前記ウエハ基板上に配置されるエッチストップ層、前記エッチストップ層上に配置される回折格子層、前記回折格子層上に配置されるエッチングマスク層、および前記エッチングマスク層上に配置されるフォトレジスト層を備えた半導体ウエハを提供し、フォトレジスト回折格子パターンを形成し、乾式エッチングを通じて前記フォトレジスト回折格子パターンを前記回折格子層内に移し、前記フォトレジスト層を除去し、前記回折格子層を選択的にウェットエッチングして前記回折格子層に前記回折格子プロファイルを形成する、各工程を有してなる。前記エッチングマスクとエッチストップ層との間に前記回折格子層を配置することによって、前記選択的ウェットエッチング工程を調節する。本方法はまた、前記回折格子プロファイルを変更することなく選択的ウェットエッチングを通じて前記エッチングマスク層を除去し、上部クラッド層を再生して前記半導体レーザー構造を生産する工程も有してなる。
（もっと読む）

【課題】レーザ光のモードの不安定性を抑制し得る光集積素子を提供する。
【解決手段】光集積素子１０Ａは、能動部１００と、複数の共振器１６０Ａ，１６０Ｂからなる多重共振器と、光導波路１４０Ｂ，１４０Ｄとを有する。光導波路１４０Ｂ，１４０Ｄは、光結合領域１７０Ａ，１７０Ｄで多重共振器に移行しない当該伝搬光の一部を出力する出力ポートを有する。光吸収部２２０Ａ，２２０Ｂはそれぞれ光導波路１４０Ｂ，１４０Ｄの出力ポートと光学的に接続されている。
を備える光集積素子 （もっと読む）

【課題】利得飽和領域と吸収飽和領域を直列に接続した光波形整形素子を用いて波形整形を行なう場合に、例えばこれらの２つの領域の応答速度よりも速い高速の光信号においても良好な波形が得られ、波形整形が可能となるようにする。
【解決手段】光波形整形装置を、利得飽和を起こす利得飽和領域４と吸収飽和を起こす吸収飽和領域５とが直列に接続されている光波形整形素子１と、光波形整形素子１を駆動する駆動回路２０とを備えるものとし、利得飽和領域４の応答速度と吸収飽和領域５の応答速度とが一致するように構成する。 （もっと読む）

【課題】光の波長変動に対する利得の変動を抑制した光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に形成される下部クラッド層３と、前記下部クラッド層３の上に形成される量子井戸層及びバリア層からなる多重量子井戸構造を含む活性層２と、前記活性層２の上に形成される上部クラッド層４とを備え、前記多重量子井戸構造において、少なくとも１つの量子井戸層が他の量子井戸層とは異なる井戸幅を有することにより、前記量子井戸構造における利得スペクトルの幅が広がるようにした。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ構造を有する光半導体素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体素子１００は、半導体レーザ３１の活性層１３、及び、光導波路３２のコア層１６の各側面が、メサの側壁から露出するハイメサ構造を有する。薄膜保護層２０により、活性層１３及びコア層１６の露出した側面を覆う。薄膜保護層２０は、バンドギャップが活性層１３のバンドギャップよりも大きく、厚みが１．５μｍ以下のｐ型ドープ半導体層であり、活性層１３に注入された電子及び正孔の対による非発光再結合を防止し、半導体レーザ３１の発光効率及び信頼性を向上する。 （もっと読む）