【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】無効なリーク電流を抑制し、高効率および高速動作を実現する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ半導体基板７上に、ｐ型クラッド層４、活性層３、および、ｎ型クラッド層２を有する活性層部からなる半導体レーザ部と、半導体レーザ部の両側を埋め込む電流狭窄層とを備えた半導体レーザの製造方法であって、前記電流狭窄層は、第一のｐ型ＩｎＰ層９、ＲｕドープＩｎＰ層５、および、第二のｐ型ＩｎＰ層１１を有し、ＲｕドープＩｎＰ層５が、第一および第二のｐ型ＩｎＰ層９，１１にのみ接するように形成する。当該構成を得るため、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長の途中でハロゲン元素を含むガスを導入する、もしくは、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長開始時にガスを導入し、成長途中でガス導入量を変え、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長完了後にガス導入を停止させる。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスの素子と、素子との界面に流れる電流による、特性の劣化を抑える。
【解決手段】基板上に形成され、第１光路を有する第１導波路と、第１導波路上に形成された電極と、基板上に形成され、第２光路を有する第２導波路と、第１光路よりバンドギャップエネルギーが大きい材料で形成されて光路となる透明コアを有し、基板上の第１導波路及び第２導波路の間に形成された透明導波路と、を備え、電極は、第１導波路の上方に形成されており、かつ、透明導波路の上方には形成されておらず、第１導波路を有する素子は、電流注入により動作する光学的能動素子である光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】凹凸部４６ｂを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれているので、回折格子エリア上の樹脂は分離エリアにおける平坦化樹脂層４８より厚くなる。このように厚さむらの平坦化樹脂層４８に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、この場合において、厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されるやすい。樹脂残渣の除去において、流量比Ｒ（フッ素系炭素の流量）／（酸素の流量）が１以下の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは小さく、流量比Ｒが１より大きい流量比の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは大きい。流量比Ｒが１以下の範囲であるとき、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】マストランスポートを抑制したバットジョイントを有する光集積デバイスを得る。
【解決手段】基板と、マストランスポートが基板より遅い材料で基板上に形成され、基板のマストランスポートを抑制する抑制層と、抑制層上に形成された第１導波路層と、第１導波路層上に形成され、第１導波路層の端面より内側に端面を有する上部層と、抑制層上に形成され、第１導波路層の端面に接する第２導波路層と、を備える光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子にキャリアを注入することによって発生した熱の排熱効率を高くして、半導体光素子における、キャリアの再結合によるエネルギーから光への変換効率を高くする。
【解決手段】基板と、基板上の、第１の軸線、および、第１の軸線と所定の角度で交差する第２の軸線のいずれに対しても、所定の周期Ｔ１を有する位置に２次元的に配置され、キャリアが注入されて発光する活性層を有する複数の半導体光素子を備え、当該位置の少なくとも一つは、複数の半導体光素子のいずれもが形成されていない非光素子位置である、２次元光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１半導体層と、第１半導体層上の第１領域に形成された活性層と、第１半導体層上の第２領域に形成され、活性層から放出された光を導波する光導波層と、活性層および光導波層の近傍に配置され、活性層および光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、活性層上および光導波層上に形成された第２半導体層と、光導波層上方で、第２半導体層上に形成された絶縁層と、第２半導体層上方に形成され、活性層上方から光導波層上方に延在し、活性層上方では第２半導体層に電気的に接続し、光導波層上方では第２半導体層との間に絶縁層が介在し、光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】１２μｍ以上、１８μｍ以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により１２μｍ以上、かつ１８μｍ以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第１領域と、前記第１領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第２領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が５０％に低下する波長が１６μｍ以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】導波路層に形成される屈折率分布のコントラストを従来よりも向上させた半導体光反射器及び半導体レーザ、並びにそれらの駆動方法及び装置を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１自体の一部またはｎ型基板１１の上方に形成されたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２の上方に形成されたｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３とｎ型クラッド層１２との間に形成された、光を導波するための導波路層１４と、ｎ型基板１１の底面及びｐ型クラッド層１３の上面にそれぞれ形成されたｎ型電極１５及びｐ型電極１６と、導波路層１４の近傍に光導波方向に沿って規則的に配置された複数の電圧制御部材１７と、を備え、複数の電圧制御部材１７は、ｎ型電極１５及びｐ型電極１６の間に逆バイアス電圧が印加された状態で、導波路層１４内に光導波方向に沿った規則的な屈折率の分布を生じせしめる。 （もっと読む）

【課題】回折格子に欠陥が生じることを抑制することが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子の製造方法は、モールド１を準備する工程と、半導体積層形成工程と、ストライプ構造形成工程とを備える。モールド１のストライプ状凹部は、２つの端部３Ｅと中央部３Ｍとを有し、２つの端部３Ｅの深さＴ３Ｅは、中央部３Ｍの深さＴ３Ｍよりも深い。半導体積層形成工程は、半導体層１７を堆積する工程と、ストライプ状凹部３の形状を樹脂部２１に転写し、樹脂部２１に樹脂パターン部２１Ｐを形成する工程と、樹脂パターン部２１Ｐの形状を半導体層１７に転写して回折格子１７Ｐを形成する工程とを含む。ストライプ構造形成工程は、回折格子１７Ｐの第３方向（Ｙ軸方向）と直交する方向の両端部が除去されるように、半導体積層３０をエッチングするエッチング工程とを含む。 （もっと読む）