【課題】へき開でレーザ端面を綺麗にかつ容易に形成でき、歩留まりを向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード１０は、六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２と、この単結晶基板１２のｍ面（１＿１００）上に形成されたＩｎＧａＮからなる活性層１５とを備える。この単結晶基板１２に対する活性層１５のｃ軸方向の歪み量がａ軸方向の歪み量に比べて大きい。より大きな歪がかかる方向の偏波（ＴＥ偏光）でレーザ発振するので、レーザ端面がａ面（１１＿２０）の方が、レーザ端面がｃ面（０００１）の場合よりも発振しやすい。レーザ端面１０ａ、１０ｂはａ面（１１＿２０）に形成されており、ａ面は、低指数面でかつ電荷中性面であるため、へき開でレーザ端面を綺麗に形成することができる。また、ｍ面六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２上に活性層１５が形成されているので、ピエゾ電界を抑制でき、発光効率が増大する。 （もっと読む）

【課題】 珪素単結晶を基板としてIII族窒化物半導体層を設けるのに際し、そのIII族窒化物半導体層を良質な結晶層とすることができ、素子特性を優れたものとすることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、珪素単結晶からなる基板１０１上にIII族窒化物半導体からなる層を備えた半導体素子１０において、上記基板１０１の一表面に、立方晶の炭化珪素ゲルマニウム（組成式Ｓｉ_1-XＧｅ_XＣ：０＜Ｘ＜１）からなるIV族元素膜１０２が設けられ、そのIV族元素膜１０２に接合させて上記III族窒化物半導体からなる接合層１０３が設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】 複数の波長の光を出射できるとともに、信頼性の向上および小型化が実現できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置に用いられる１チップ半導体レーザ素子１０００は、青紫色半導体レーザ素子１上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が積層された構造を有する。青紫色半導体レーザ素子１はＧａＮ基板上に半導体層を形成することにより作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３はＧａＡｓ基板上に半導体層を形成することにより作製される。ＧａＡｓの弾性率は、ＧａＮの弾性率よりも小さい。赤色半導体レーザ素子２の長さＬ２および赤外半導体レーザ素子３の長さＬ３は青紫色半導体レーザ素子１の長さＬ１よりも長い。 （もっと読む）