【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

光学フォトニック・デバイスであって、導光層を上に有する平面半導体基板と、前記導光層内の１次レーザ光源と、導光層の導波路部分によって１次レーザ光源に光学的に結合した垂直カプラーとを備える、光学フォトニック・デバイス。垂直カプラーは、１次レーザ光源から光ビームを受信し、平面基板の表面に実質的に垂直な方向に、光ビームを方向転換するように構成される。
（もっと読む）

【課題】簡明な構造により、光の照射方向を制御可能とした発光デバイスを提供する。
【解決手段】図２．Ａの発光デバイス１００は、ガラス基板１０ａとガラス基板１０ｂの間に、アルミニウム電極１、ＬｉＦ層と一部にキナクリドンがドープされたアルミニウムキノリノール錯体層から成る発光部２、トリフェニルアミン４量体層と銅フタロシアニン層から成る正孔輸送層３、ＩＴＯ電極４ａ、フォトポリマー層５、ＩＴＯ電極４ｂ、並びに、ＳｉＯ₂層６１１〜６１４とＴｉＯ₂層６２１〜６２４とを交互に形成した誘電体多層膜６を有する。紫外線硬化樹脂７で積層部側面を被膜した。フォトポリマー層５は、電圧を印加しない場合に屈折率が１．６２、電圧を印加した場合に屈折率が１．５２と変化する。フォトポリマー層５の屈折率が１．６２である場合、光放射方向は２０度傾く。屈折率が１．５２である場合、ガラス基板面の垂直方向に光が照射される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を検出するための検出器を別に設ける必要がない半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、正極電極４と、負極電極５と、観測部６と、電流源７とを備える。キャビティ２は、基板１上に設けられる。そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。正極電極５は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ２上に形成される。負極電極５は、基板１の裏面に形成される。観測部６は、一部の正極電極４を切り欠くように形成される。そして、半導体レーザ１０の操作者は、発振したレーザ光を観測部６を通して観測する。電流源７は、観測結果に応じた指示Ｃｏｍを受け、その受けた指示Ｃｏｍによって指定された発振モードで半導体レーザ１０を発振させるための電流を正極電極４へ供給する。 （もっと読む）

【課題】熱が活性層にこもり難い面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子１の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子１において、反射層１０２は、４０．５周期の［ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１０３，１０５の各々は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。また、活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層１０６は、２４周期の［ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ／Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなる。そして、メサ構造体の底面は、共振器スペーサー層１０３の途中に位置している。 （もっと読む）

【課題】簡単な電流制御で光の出射角度を調節することができ製作が容易な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に積層され、導波路の一部を形成する下部クラッド層６、活性層４および上部クラッド層５と、導波路からの光が出射される、劈開によって形成された出射端面８とを有し、導波路が、半導体基板の基板面と平行な面内にて、出射端面において出射端面の法線と第１の角度θ_１を成して交わり、導波路から出射された光の光軸が、半導体基板の基板面と平行な面内にて、出射端面において出射端面の法線と第２の角度θ_２を成して交わる半導体光素子において、上部クラッド層の上方にして出射端面の近傍に部分加熱手段１４を備え、部分加熱手段で導波路を加熱して当該導波路の等価屈折率を変化させることにより、第２の角度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】従来の出射方向と異なる出射方向を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、絶縁膜３と、正極電極４と、負極電極５とを備える。キャビティ２は、基板１上に形成される。絶縁膜３は、キャビティ２上に形成される。正極電極４は、キャビティ２上にリング形状に形成される。負極電極５は、基板１の裏面に形成される。キャビティ２は、曲面から成る出射面及び対向面を両端に有する。また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 （もっと読む）

【課題】何ら複雑な制御や機構等を必要としない簡素な構造でありながら、集光光やシート光等、レーザ光としての指向特性を任意に調整、設定することのできる半導体レーザアレイを提供すること。
【解決手段】半導体レーザアレイは、絶縁層５に形成された電極ストライプ５ａを通じて電極６から活性層３内に注入されるキャリアの再結合によってレーザ光を出射する半導体レーザ１００〜１０４の複数がアレイ状に配列されて構成される。このアレイ状に配列された半導体レーザ１００〜１０４のうちの外側に位置するものほど、その電極ストライプ５ａを外側に偏倚して設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 光軸ズレを生じないようにレーザの発光点を切替えることができるマルチスポット型の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬ１は、基板上に、第１組のメサ１０、１２、１４、１６と、第２組のメサ２０、２２、２４、２６を含み、第１組および第２組のメサは、基板上の基準点Ｃに関し回転対称に配置されている。第１組のメサ１０〜１６は、配線層１８によって相互に接続され、かつ電極パッド４０に接続される。第２組のメサ２０〜２６は、配線層２８によって相互に接続され、かつ電極パッド４２に接続される。第１組のメサ１０〜１６と第２組のメサ２０〜２６は、それぞれ独立に駆動可能である。 （もっと読む）

【課題】 低チャーピングで、高入力時にも高速動作が可能であり、かつ、十分な消光比を有し、半導体レーザとの集積も可能な光変調器を実現することを課題とする。
【解決手段】 半導体基板上に形成され、二次元的な屈折率の周期構造を光の波長オーダで有するフォトニック結晶を用いたフォトニック結晶半導体デバイスにおいて、前記フォトニック結晶（１２）に光を所定の方向から入射させる光入射部（１３）と、前記フォトニック結晶から光を取り出す光出射部（１４）と、前記フォトニック結晶に電圧あるいは電流を印加する電極（１５）とを有し、かつ、前記フォトニック結晶（１２）中に多重量子井戸構造（２４）が形成されており、前記電圧あるいは電流の印加により前記フォトニック結晶（１２）中の光の伝搬方向が変化することを特徴とする。特に、光の入射方向と周期構造のいずれか一つの対称軸とのなす角度を０°より大きく１５°より小さくする。 （もっと読む）