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Fターム[5G053BA04]の内容

Fターム[5G053BA04]に分類される特許

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【課題】 バルブがGNDにショートされたときに、バルブが破損してしまうことを防止できる電源回路を提供する。
【解決手段】 バルブ5とNPNトランジスタ6との間に、GNDショート検出回路9を備える。そして、GNDショート検出回路9に備えられるPNPトランジスタ10が流す電流がCPU7にフィードバックされるようにする。CPU7では、NPNトランジスタ6への入力電圧と同様に変動するか否かにより、GNDショートが発生したか否かを検出する。そして、GNDショートが検出された場合に、CPU7にて、リレー1をオンさせるための出力電圧の出力を止めることで、バルブ5に定格電圧を超える高電圧が駆動電圧として印加されることを防止することが可能となる。これにより、GNDショートによってバルブ5が破損してしまうことを防ぐことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 リレースイッチが溶着した際の保護動作をコストアップなしに実現する。
【解決手段】 マイコン10により、リレースイッチ3の溶着を検出したときはレギュレータ回路7を遮断すると共に、リレー溶着情報をメモリ11に記憶させるようにする。そして、このリレー溶着情報をメモリ11から消去しない限り、通常のパワーオン操作では、レギュレータ回路7が動作しないように制限することで、リレースイッチ3の溶着時における安全性の向上を図るようにした。 (もっと読む)


【目的】 アクセサリ側に負担をかけることなく、カメラボディ側からアクセサリ側への電源供給時に異常が発生した場合には該電源供給を適切に切断することができるカメラシステムを提供する。
【構成】 カメラボディ1と、カメラボディ1に着脱可能な撮影レンズ2を有し、カメラボディ1から撮影レンズ2に電源供給するカメラシステムにおいて、カメラボディ1が備えたCPU10は、第1MOSFET31をオンしてバッテリ11から撮影レンズ2に電源を供給し、第2MOSFET32及びプルアップ抵抗33を介して供給電圧をモニタする。そしてCPU10は、第2MOSFET32のオン/オフ状態に基づいて上記電源供給が正常に行なわれているか否かを判断し、異常を検出した場合には第1MOSFET31をオフして撮影レンズ2への電源供給を停止する。 (もっと読む)


【課題】電力変換回路を各アームに3個以上の電圧駆動型半導体素子を直列接続して構成する場合、各アームのいずれかの電圧駆動型半導体素子の素子破壊を高速に検出する方法を提供する。
【解決手段】各アームが3個の電圧駆動型半導体素子の直列接続からなる場合、各直列接続された電圧駆動型半導体素子がターンオフ動作中に、印加される電圧が過電圧かどうかを過電圧判別回路OVで監視し、素子故障判別回路CVにより2個の電圧駆動型半導体素子が過電圧と判別されたときには、素子破壊が発生したとする。 (もっと読む)


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