複数の近接して配置された導線（１０）が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体（２６）。そのような基体（２６）は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体（２６）は、錫ウィスカーが跨がることができる距離（１４）に分離された複数の導線（１６）、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層（２８）、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層（３０）を有する。別の被覆された電気伝導性基体（２６）は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体（２６）は、基体（２６）の上に堆積された障壁層（３２）を有する。続いて堆積される層には、障壁層（３２）の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）、低抵抗率酸化物金属層（４０）、及び錫又は錫基合金の最外層（３６）が含まれる。障壁層（３２）は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層（４０）は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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