【課題】 超低損失で、小型で、しかも高温環境でも動作可能な炭化珪素半導体インバータ装置を提供する。
【解決手段】 電力用パワーデバイスの第１横型ＭＯＳＦＥＴ１と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２とが共通の炭化珪素基板１００上に素子分離領域１８によって電気的に絶縁されて形成され、第１横型ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電極１６と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２のソース電極１５とが炭化珪素基板１００上で電気的に接続されており、横型ＭＯＳＦＥＴ１、２の制御回路２１を構成する素子も同一炭化珪素基板１００上に素子分離領域２２によって横型ＭＯＳＦＥＴ１、２とは電気的に絶縁されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】
圧電トランスの出力端における短絡発生時においては圧電トランスを保護しつつ、回路自体を確実に起動させることが可能な圧電トランス制御回路を提供する。
【解決手段】
制御電圧に応じた発振周波数を有する発振信号を生成する発振手段と、前記発振手段からの発振信号に応じて圧電トランスを駆動する駆動手段と、前記圧電トランスの出力側に接続された負荷の負荷電流を検出し、前記負荷電流を略一定にすべく前記制御電圧を調整して前記発振手段の発振周波数又は振幅を制御する制御手段と、前記圧電トランスの出力電圧を検出し、検出された前記出力電圧を第１の所定値と比較する第１の比較手段と、前記制御電圧を第２の所定値と比較する第２の比較手段と、前記出力電圧が前記第１の所定値より小さくなり、かつ、前記制御電圧が前記第２の所定値より大きくなった場合に、前記圧電トランスの駆動を停止させる駆動停止手段とを備える。 （もっと読む）