【課題】広範囲のデューティ比に対応して過電流検出できるようにする。
【解決手段】過電流保護回路１２が、コイルＬ１、コンデンサＣ１、微分回路８、過電流判定回路１１を主とした回路によって形成されている。微分回路８は、コンデンサＣ１の時間変動に基づくノードＮ４の電圧Ｖｋの変動を検出して出力電圧Ｖ０とする。過電流判定回路１１はこの出力電圧Ｖ０の出力結果に基づいてＮＭＯＳトランジスタ４に通ずる電流が過電流であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、給電路とスイッチング素子との接続部分における接続面積を広くすることで、スイッチング素子への電流集中を緩和して、突入電流に対する破壊を防ぐことができるリレー装置を提案することを目的とする。
【解決手段】電源側端子Ｔ１に交流電源２の一端が接続されて負荷側端子Ｔ２に負荷３の一端が接続されたリレー装置において、電源側端子Ｔ１と負荷側端子Ｔ２との間に、スイッチング素子となるトライアックＳ１を有する開閉回路１２が接続される。このトライアックＳ１において、電源側端子Ｔ１及び負荷側端子Ｔ２のぞれぞれと接続された給電路と第１電極及び第２電極のそれぞれとの接続部分における接続面積が、広く設定される。これにより、トライアックＳ１に大電流が流れるとき、第１電極及び第２電極のそれぞれにおける接続部分への電流集中が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 電路を遮断する精度が環境温度の変化によって低下しない過電流保護回路を実現する。
【解決手段】 検出抵抗Ｒ３に流れる過電流を検出するカレントミラー回路９を構成する第１および第２のトランジスタＴ１，Ｔ２は同じ温度特性を有する。第１および第２の制限抵抗Ｒ１，Ｒ２と、検出抵抗Ｒ３と、電流Ｉ１，Ｉ２とには、Ｒ１＝Ｒ２−（Ｉ３／Ｉ１）Ｒ３の関係があり、過電流が流れる前はＩ１＞Ｉ２、過電流が流れた瞬間以降はＩ２＞Ｉ１となるように設定されている。上記の式には、ベースエミッタ間電圧など、温度特性によって変動するパラメータが存在しないため、環境温度が変化した場合であっても第２のトランジスタＴ２が第４のトランジスタＴ４をオンするタイミングが変動しない。 （もっと読む）

【課題】小型で高電圧の基準電源電圧を用いた場合でも安全な基準電源電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電源電圧回路は、ＶＣＣ検出手段９と、コンパレータ１０と、動作前不定期間誤動作防止回路７とを備える。ＶＣＣ検出手段９は、ＶＣＣ端子１１の電圧を検出する。コンパレータ１０は、ＶＣＣ検出手段９によって検出されたＶＣＣ端子１１の電圧とＶＢＧ電圧とを比較することによってＶＣＣ端子１１の電圧以下であるＶＤＤ端子１２の電圧を電源電圧とする動作回路の動作状態及び停止状態を制御する信号を出力する。動作前不定期間誤動作防止回路７は、ＶＣＣ端子１１の電圧が電圧ＶＣＣｍを下回るとき、ＶＤＤ端子１２の電圧をゼロ電位に維持し、ＶＣＣ端子１１の電圧が電圧ＶＣＣｍ以上かつ電圧ＶＣＣ＿１を下回るとき、ＶＤＤ端子１２の電圧をＶＣＣ端子１１の電圧と等しい電圧に設定し、ＶＣＣ端子１１の電圧が電圧ＶＣＣ＿１以上であるとき、ＶＤＤ端子１２の電圧をＶＣＣ端子１１の電圧と比例する電圧に設定する。 （もっと読む）

【課題】スイッチトキャパシタ型のバンドギャップ回路において、容量の占有面積を増やすことなく、熱電圧に乗じる係数をより細かく設定すること。
【解決手段】第１のスイッチトキャパシタ回路２のオペアンプ回路ＯＰ３の入力端子と、第２のスイッチトキャパシタ回路３のオペアンプ回路ＯＰ４の出力端子を、結合容量Ｃ７により結合する。結合容量Ｃ７の容量値は第１のスイッチトキャパシタ回路２のフィードバック容量Ｃ６の容量値よりも小さい。各スイッチトキャパシタ回路２，３の各入力容量Ｃ５，Ｃ８および各フィードバック容量Ｃ６，Ｃ９と、結合容量Ｃ７の各容量値により決まる係数を熱電圧に乗じて得た、絶対温度に比例するＰＴＡＴ電圧を、電圧発生回路１で発生した、温度の上昇にともなって電圧値が減少する負の温度依存性を有するｐｎ接合の順方向電圧に加算することによって、温度に依存しない基準電圧を発生させる。 （もっと読む）

本発明は、出力端子（ｏｕｔ）において、高電流注入に基づき、大きな電流増加を検出および迅速に制限するための回路装置に関する。特に、駆動回路（４０）によって、低抵抗素子（Ｒ０）を通して制御され、電流オーバーシュートが通過する、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）は、本発明の回路によって代替的に駆動され、一方で、その制御端子が高注入電流によって充電される。よって、正の傾斜を有する急な前部インパルスによって生成された大きな電圧増加が、キャパシタ（Ｃ）によって検出され、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）に伝達されると、本発明の回路は、駆動回路（４０）をバイパスし、一方で、トランジスタ（Ｐ３）から発せられた著しい電流ピークを、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）のゲート端子（ＧａｔｅＰ）に向けて注入し、これに対して、キャパシタ（Ｃ）は、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）を通して非常にゆっくりと放電する。注入電流ピークをもたらす電流増幅は、大きな電流ミラー比を有する電流ミラー（Ｐ４＋Ｐ５，Ｐ３）の使用を通してつくられ、ダイオード（Ｄ０，Ｄ１）の存在によって強化される。静止モードにおいて、すなわち、負の傾斜を有する急な前部インパルスにより生成された大きな電圧減少が、キャパシタ（Ｃ）によって検出され、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）に伝達されると、トランジスタ（Ｐ４）は、ダイオード（Ｄ１）を通して流れる電流を供給する電流源（ＣＳ３）により短絡され、これにより、電流ミラー（Ｐ４＋Ｐ５，Ｐ３）は、ずっと低い電流ミラー比を有する電流ミラー（Ｐ５，Ｐ３）によって仮想的に置き換えられる。その結果、減衰電流源（ＣＳ２）の低電流は、電流ミラー（Ｐ３，Ｐ５）によりミラーリングされる、より低い電流を減衰するのに十分であり、次いで、駆動回路（４０）が、スイッチングデバイス（Ｐ０）の制御を引き継ぐことを可能にする。最後に、この回路装置は、単方向に動作し、一方で、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）を通して、大きな電流増加を制限するが、大きな電流減少は制限しない。
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【課題】 回路の安定性を損なうことなく迅速に過電流状態を検出して電流制限を行うことが可能な過電流保護回路およびそれを用いた電圧レギュレータを提供する。
【解決手段】 電圧生成回路１００は、レギュレータ１０、第１検出回路２０、第２検出回路３０とを含む。第１検出回路２０は、第１トランジスタ２２と、第１抵抗Ｒ１と、誤差増幅器２４とを含む。誤差増幅器２４は、Ｖ１＞Ｖｔｈのとき過電流状態を検知して演算増幅器１２に出力電流を制限する帰還を行う。第２検出回路３０は、第２トランジスタ３２と、第２抵抗Ｒ２と、検出トランジスタ３４とを含む。検出トランジスタ３４は、出力電流Ｉｏｕｔが検出しきい値電流を超えるとオンして演算増幅器１２に出力電流を制限する帰還を行う。第２検出回路３０の検出しきい値電流は、第１検出回路２０の検出しきい値電流よりも高く設定し、その検出動作速度は第１検出回路２０の検出動作速度よりも速く設定する。 （もっと読む）

【課題】 出力電流の制限値が測定装置の測定範囲を超えた場合でも該測定装置で制限電流値を測定することができる、電流制限回路を備えた定電圧電源回路を得る。
【解決手段】 制限電流測定時には、測定装置から負荷１０に、所定の定電圧Ｖ１よりも少し小さい電圧Ｖｓが印加されると共に、該測定装置によってテスト信号Ｓ１をハイレベルにして負荷１０に大きな電流を流し、入力電圧ＶｄｄとＮＭＯＳトランジスタＭ４のドレインとの間に接続される抵抗値を、抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ３の各抵抗値の和になるようにして、通常動作時と比較して小さい電流値で出力電流ｉｏの電流制限がかかるようにした。 （もっと読む）