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Fターム[5H420NC25]の内容

Fターム[5H420NC25]の下位に属するFターム

電圧検出 (146)
電流検出 (62)

Fターム[5H420NC25]に分類される特許

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【課題】 半導体集積回路の製造時に生じる抵抗素子のばらつきによる増幅器の負荷変動や温度変化による増幅特性に与える影響を軽減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 増幅回路2と、半導体基板上に回路形成した抵抗素子を有するバンドギャップリファレンス電流源5からの電流を電圧変換して前記増幅回路2にバイアス電圧を供給するバイアス回路3と、バイアス回路3内に半導体接合で形成したモニタ抵抗素子5MRと、モニタ抵抗素子5MRを測定する半導体基板上に設けた測定端子6と、バンドギャップリファレンス電流源5の一部を構成し、回路電流を調整する抵抗値が異なる複数の調整抵抗素子71とを備え、モニタ抵抗素子5MRの抵抗値が所望値より低い場合は、所望値より高い調整抵抗素子を選択し、モニタ抵抗素子の抵抗値が所望値より高い場合は、所望値より低い調整抵抗素子を選択し、増幅回路2のバイアス電圧を調整する。 (もっと読む)


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