【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で電源電圧の状態に関係なく安定した動作を確保することができる起動回路を提供する。
【解決手段】本発明は、低電源電位を基準として動作するバイアス回路の電流源（電源電圧ＶＥ）と並列に配置されて起動電流を流すためのＰチャネルトランジスタＭＰ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと高電位電源との間に配置された第１のスイッチＳ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと低電位電源との間に直列に配置された抵抗Ｒ３と第２のスイッチＳ２と、を備え、第１のスイッチＳ１は定電流源のバイアス電圧でオン／オフし、第２のスイッチＳ２はシステム電源の起動に関する電源起動信号でオン／オフする。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第１の基準電圧を発生する第１の非線形素子１と、第２の基準電圧を発生する第２の非線形素子２と、出力電圧Ｖｏに基づいて第１の非線形素子１および第２の非線形素子２に流れる電流を制御する電流制御回路３と、電流制御回路３の出力電圧Ｖｏの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子６−１、６−２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】電源瞬停時に出力ノードの電圧が低電位電源端子の電圧よりも大きく低下することを防止する。
【解決手段】基準電流発生回路１０と、該基準電流発生回路１０で発生した基準電流を基準電圧に変換して出力ノードＮ１から出力する電流電圧変換回路２０とを備えた定電圧出力回路において、出力ノードＮ１と低電位電源端子２との間に、アノードが低電位電源端子１に接続されカソードが出力ノードＮ１に接続されるダイオードＤ１を接続する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタのリーク電流抑制と低消費電流化とのトレードオフや、内部電源電圧生成ブロックの小型化と低消費電流化とのトレードオフなどがある。
【解決手段】基準電流生成回路Ｘ１０は、デプレッション型トランジスタＮ１を用いて基準電圧Ｖ１を生成する基準電圧生成部Ｘ１１と、基準電圧Ｖ１から基準電流Ｉ２ａ及びＩ２ｂを生成する電圧／電流変換部Ｘ１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含む第１カレントミラー回路１１、複数のＮＭＯＳトランジスタを含む第２カレントミラー回路１２を備え、正の温度特性を有する第１電流を発生する第１電流発生回路１０と、前記複数のＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第１電圧が入力され、前記第１電圧と等しい第２電圧を出力するフィードバック回路２１を備え、前記第２電圧に基づいて負の温度特性を有する第２電流を発生する第２電流発生回路２０と、前記第１電流と前記第２電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路３０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】負荷回路の温度依存性を低減することができる電流源回路及びその調整方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様である電流源回路１００は、出力端子３、端子５、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎ、抵抗Ｒ１及び選択回路１を有する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎは、出力端子３及び端子５間に並列に接続され、ゲートに定電圧Ｖｉが印加され、それぞれ異なるディメンジョンを有する。抵抗Ｒ１は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと端子５との間に接続される。選択回路１は、抵抗Ｒ１と出力端子３との間でＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎいずれかに選択的に出力電流を出力させる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオード温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすること。
【解決手段】温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタから成る差動対を有する温度補償回路とを備え、第１のトランジスタは定電流源とダイオードのアノード端子との間に接続され基準電圧回路の第１のノードの電圧をゲート電極に受け、第２のトランジスタは定電流源と基準電位点との間に接続され記基準電圧回路の第２のノードの電圧をゲート電極に受け、第１のノードの電圧の温度依存性は第２のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 ツェナーダイオードと同等の動作を行える回路ないしは半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の基準電圧発生回路は、第１のＦＥＴと、第２のＦＥＴと、一方を電源に接続し他方を前記第1のＦＥＴのドレインに接続した第1の抵抗と、前記第１のＦＥＴのドレイン−ゲート間に接続した第２の抵抗とを有し、前記第２のＦＥＴのゲート−ソース間を接続し、前記第２のＦＥＴのドレインを前記第1のＦＥＴのゲートに接続し、前記第１のＦＥＴのドレインが基準電圧を出力し、前記第１のＦＥＴのソースと前記第１のＦＥＴのソースがグランド又は他の回路と接続していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の低ドロップアウト電圧調整器が所望の調整電圧を正確に維持する能力は、減少してしまう。
【解決手段】電圧調整回路の装置および関連される動作方法が提供された。例示的電圧調整回路は電圧調整構成を含み、該電圧調整構成は、入力電圧基準に基づく調整された出力電圧と、電圧調整構成の位相マージンとを増加するように構成され、電圧調整構成に接続された位相補償構成、位相補償構成に接続された検出回路を備えられる。検出回路は、閾値を満たさない出力電流を検出することに応答して、位相補償構成を無効化するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 安定した基準電位を供給し得る基準電位生成装置を提案する。
【解決手段】 基準電位生成装置１は、基準とすべき位置の周りに回転対称に配されるｍ個（ｍは４以上の偶数）の電極２１Ａ〜２１Ｄと、基準とすべき位置を含む近傍範囲での強度が所定値未満となる電荷を、ｍ個の電極２１Ａ〜２１Ｄに印加する印加手段と、当該範囲に配される複数の導体３１Ａ、３１Ｂと、複数の導体３１Ａ、３１Ｂから得られる信号の差分を増幅する増幅手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】大きな抵抗を使わずに消費電力の少ない基準電圧を発生する。
【解決手段】ＰチャネルトランジスタＭ３のドレイン電流をＩ1とし、ＰチャネルトランジスタＭ４のドレイン電流をＩ２とすると、接合Ｄ１に生ずる電圧ＶＤ１と接合Ｄ２に生ずる電圧ＶＤ２の関係はＶＤ１−ＶＤ２＝（ｋ×Ｔ÷ｑ）×ｌｎ（１０×Ｉ１÷Ｉ２）となり、絶対温度Ｔに比例する電圧が得られる。Ｎチャネルトランジスタ差動対Ｍ６及びＭ７と、Ｐチャネルトランジスタの能動負荷Ｍ１及びＭ２なる差動アンプで、負帰還をかけることにより、ＰチャネルトランジスタＭ１０のゲート・バックゲート間電圧がＶＤ１−ＶＤ２と等しくなる。ＰチャネルトランジスタＭ４とＭ５の電流を等しく設定すると、ＰチャネルトランジスタＭ１１〜Ｍ２０のそれぞれのゲート・バックゲート間の電圧はＰチャネルトランジスタＭ１０と等しくなり、Ｖｏｕｔは温度係数がほぼゼロの基準電圧となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＮ接合を有する第１半導体素子と、ＰＮ接合を有する第２半導体素子と、第１半導体素子と第２半導体素子とを構成要素として含む回路と、を有し、回路から、第１半導体素子のＰＮ接合に生じる第１順方向電圧と、第２半導体素子のＰＮ接合に生じる第２順方向電圧とが加算された加算信号が出力される半導体装置であって、第１半導体素子と第２半導体素子とが直列接続されており、第１半導体素子及び第２半導体素子それぞれの実使用温度域において、回路が第２半導体素子を構成要素として含まない場合に、回路から出力される第１信号の温度特性と、回路が第１半導体素子を含まない場合に、回路から出力される第２信号の温度特性と、が反転している。 （もっと読む）

【課題】電流の方向に関係なく負荷回路を接続でき、ブラックボックス回路として容易に取り扱える基準電流生成回路、及びこれを含む情報処理装置を提供する。
【解決手段】基準電圧に基づく基準電流を出力する第１トランジスタと第２トランジスタの制御端子にそれぞれ供給される第１及び第２バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、制御端子に第１バイアス電圧、第２バイアス電圧が印加されると基準電流に基づく電流を出力する第１導電型の第１電流出力用トランジスタ、第２導電型の第２電流出力用トランジスタと、第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタとの間に一端が接続されるとともに他端が負荷回路に接続され、負荷回路への電流の流し込み、又は負荷回路から電流の引き込みを行う入出力部と、入出力部の電圧値に基づき第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタのオン／オフを切替る切り替え部とを含む。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの閾値電圧に対する依存性が抑制された定電圧を供給する定電圧回路を提供する。
【解決手段】本発明にかかる定電圧回路は、第１および第２のノードで互いのドレインおよびゲートが共通接続される電界効果トランジスタＱ１１およびＱ１２と、電界効果トランジスタＱ１１、１２のゲートが共通接続される前記第２のノードと電界効果トランジスタＱ１２のソースとの間に接続される抵抗器Ｒ１１と、コレクタが前記第２のノードに接続されるバイポーラトランジスタＱ１３と、電界効果トランジスタＱ１２のソースに接続し、バイポーラトランジスタＱ１３のベースにバイアス電圧を供給するバイアス回路１０１と、を備え、電界効果トランジスタＱ１１、１２のドレインが共通接続される前記第１のノードに電圧源Ｖｂａｔが接続され、電界効果トランジスタＱ１１のソースから定電圧を供給する。 （もっと読む）