【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。半導体素子駆動回路１３は、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅを可変することによって、ＩＧＢＴ１１のターンオン及びターンオフを制御する。半導体素子駆動回路１３のｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、電子回路１の主電流であるＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間的変化、即ち時間微分値ｄＩｃ／ｄｔに基づき帰還電圧ＶＦＢを生成し、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅの一部として加算する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な回路構成で、素子の大きさを小さくすることができ、かつ負荷が短絡したとき、その素子の破壊を防止することができる出力遮断回路および電子機器を提供する。
【解決手段】 時刻ｔ１に負荷が地絡し、出力電流Ｉｏｕｔが増大すると、電流検出用抵抗Ｒｓでの電圧降下が増加し、トランジスタＱ２がオンとなる。トランジスタＱ２は、直流電源１１から供給される電流をコレクタ電流Ｉｃとしてゲート抵抗Ｒｇに流し、ゲート電圧ＶＧを上昇させ、出力電流Ｉｏｕｔを制限電流値Ｉｌｉｍで制限する。ゲート抵抗Ｒｇを流れる電流の一部がタイマ用コンデンサＣ１を充電し、トランジスタＱ３のベース電圧が上昇すると、トランジスタＱ３はオンになる。トランジスタＱ３がオンになると、トランジスタＱ２はフルオン状態となり、トランジスタＱ１のゲートソース間の電圧がほぼ０Ｖとなり、トランジスタＱ１はオフし、シャットダウン状態となる。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子がターンオフ時に故障しないようにする。
【解決手段】サイリスタ素子２の制御電極３のゲート電圧を正電位にする順バイアス電圧手段５と、負電位にする逆バイアス電圧手段６とを具備したサイリスタ用ゲート駆動装置において、サイリスタ素子の主電極に流れる陽極電流又は陰極電流の電流値を監視する電流監視手段１０と、この電流監視手段で検出された電流値が入力され、この入力された電流のサイリスタ素子がターンオフ開始直前の電流値が、サイリスタ素子のオン電流最大定格値に対してどのくらいの割合であるかを演算する電流演算手段１１と、この電流演算手段の出力値に対応して、サイリスタ素子の制御電極に印加するゲート電圧の逆バイアス定常値を制御する逆バイアス定常値制御手段１２とを備えている。 （もっと読む）

駆動回路は、ハイおよびローサイドスイッチ（６，８）の状態を監視するための監視回路（３２，３４，３６）を含む。駆動回路は、トランジスタ（６，８）をターンオンするための、調節可能な遅延を有する。一方のトランジスタに対応する電圧が所定電圧Ｖ１を通過するのが、他方のトランジスタに対応する電圧が別の所定点Ｖ２を通過するより前であることを、監視回路が検出すると、遅延は減少され、逆もまた同様である。
（もっと読む）