【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】従来のゲート駆動回路で高速スイッチングさせる場合、複数の直流電源と、複数の制御用スイッチと、複雑な制御回路が必要で、装置が大型で、高価格となっていた。
【解決手段】制御用スイッチ直列回路の中点にスイッチング素子のゲート端子を、制御用スイッチ直列回路と並列に直流電源を、制御用スイッチ直列回路の正極端子と制御対象となるスイッチング素子のソース端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードとの並列回路と十分大きい静電容量を有するコンデンサとの直列回路を、スイッチング素子のソース端子と制御用スイッチ直列回路の負極端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードの並列回路を、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】上下アーム対の半導体スイッチング素子が交互にオンオフ動作することにより、上アーム側スイッチング素子駆動回路と、下アーム側スイッチング素子駆動回路との間に生じる電位差変動により充放電を繰り返すバイパスコンデンサを備え、バイパスコンデンサの充放電電流を上アーム側スイッチング素子駆動回路と下アーム側スイッチング素子駆動回路の各々の電源部に設けた整流回路で整流し、記整流回路の出力を各々のスイッチング素子駆動回路用電源とする。 （もっと読む）

【課題】制御ＩＣの有効利用を図る。
【解決手段】電源からの電圧を昇圧回路で昇圧して直列接続されたｎ個のＬＥＤに供給する電子回路における昇圧回路のトランジスターをスイッチング制御するためのパルス信号を出力する制御ＩＣ３０を使用し、直流電源２２とＬＥＤ２４とを接続する電力ライン２５にトランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）４０を設け、制御ＩＣ３０のＤＲＶ端子とトランジスター４０のゲートとに積分回路５０を接続し、積分回路５０によりトランジスター４０をリニア素子として動作させる。これにより、制御ＩＣ３０を高電圧負荷駆動用のＩＣとして用いることができると共に低電圧負荷駆動用のＩＣとしても用いることができ、制御ＩＣ３０に汎用性を持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】損失を抑えつつ、負電圧を印加することによるスイッチング素子のターンオフを行う電力変換器を提供する。
【解決手段】ハイサイド駆動回路１１１ａ及びローサイド駆動回路１３１ａは、第二電源１４０と、第一コンデンサ１１１ｃ及び第一ダイオード１１１ｄからなるブートストラップ回路とにより常時正電圧が印加され、ハイサイド駆動回路１１１ａは、第一電源１１１ｂにより常時負電圧が印加される。また、ハイサイド素子１１０がＯＦＦ、ローサイド素子１３０がＯＮである間は、第一電源１１１ｂにより、ローサイド駆動回路１３１ａへの負電圧の印加と、第二コンデンサ１４１への充電が行われる。そして、ハイサイド素子１１０がＯＮ、ローサイド素子１３０がＯＦＦである間には第二コンデンサ１４１が放電され、ローサイド駆動回路１３１ａに負電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスへの入力電圧のデューティ比が略５０％でなくても不具合が生じず、また小規模で小型な構成で実現できるゲート駆動回路、電力変換回路及びゲート駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】トランス２の二次側に前記スイッチング素子と直列にコンデンサ１３を設ける。またトランス２の二次側に並列にスイッチング素子４に印加される電圧がトランス２の二次側の電圧よりも低い値になるよう電圧を制限するツェナーダイオード１６を設ける。そしてまたトランス２の二次側の電圧が０Ｖになる、若しくはスイッチング素子４が逆極性となったとき、ＰＮＰトランジスタ７によってコンデンサ１３を短絡する。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子のスイッチングを高速化できるスイッチ素子の制御手段について、小型化および高効率化すること。
【解決手段】スイッチ素子Ｑを制御するスイッチ素子制御回路１は、トランスＴおよびツェナーダイオードＤを備える。ツェナーダイオードＤのアノードには、トランスＴの２次巻線Ｔ２の一端が接続され、ツェナーダイオードＤのカソードには、スイッチ素子Ｑのゲートが接続される。スイッチ素子Ｑは、ゲート−ソース間に入力容量Ｃｉｓｓを内蔵する。 （もっと読む）

【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】直流電源に第１ＭＯＳＦＥＴ21と第２ＭＯＳＦＥＴ22とを直列に接続し、半導体素子1のゲート端子を第１ＭＯＳＦＥＴ21の負電位側端子と第２ＭＯＳＦＥＴ22の正電位側端子に接続し、半導体素子1のエミッタ端子を第２ＭＯＳＦＥＴ22の負電位側端子に接続するとともに、第２ＭＯＳＦＥＴ22と並列にコンデンサ25と第３ＭＯＳＦＥＴ23との直列回路を接続し、半導体素子1をターンオフさせるときは、第１ＭＯＳＦＥＴ21をオフさせた状態で第２，第３ＭＯＳＦＥＴ22,23をオンさせる。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】半導体スイッチング素子の両端電圧を直列コンデンサを介し、ハーフブリッジ形ダイオード整流器により整流して得られた直流中間点を持つ正負の直流電圧のうち、正側直流電圧を前記半導体スイッチング素子をオン駆動するための順バイアス側電源として供給し、負側直流電圧を前記半導体スイッチング素子をオフ駆動するための逆バイアス側電源として供給する。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子などの回路素子によって電流検出器の出力特性を調整する工程が不要な場合でも、電流検出ラインでの過電流を瞬時に検出し、応答の速い半導体スイッチ素子のオフ動作を行い、過電流に対して半導体スイッチ素子を保護する電力変換装置を得る。
【解決手段】電流検出器の電流検出感度およびオフセット電圧に応じた上限閾値電圧および下限閾値電圧のうちの少なくともいずれか一方を出力する制御信号生成手段と、検出電圧が上限閾値電圧より大きい場合または検出電圧が下限閾値電圧より小さい場合には、半導体スイッチ素子をオフ動作させるゲート遮断回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズや電圧変動によって、２つの半導体スイッチング素子が同時に導通状態になる短絡の発生を確実に防止することができるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の駆動回路用電源回路４，５を、共通の直流電源Ｅを利用するように構成する。第１の駆動回路用電源回路を、第１及び第２のコンデンサＣ１及びＣ２と、コンデンサ充電回路と、順方向電圧印加回路と、逆方向電圧印加回路とから構成する。コンデンサ充電回路（Ｑ３）は、第２の半導体スイッチング素子Ｑ２が導通状態にある期間導通状態になって直流電源Ｅから供給される電荷で第１及び第２のコンデンサＣ１及びＣ２を充電する。第２のコンデンサＣ２の両端電圧を逆方向電圧として、第１のスイッチング素子用ゲート駆動回路Ｑ１の第２の電源端子２２と第１の半導体スイッチング素子Ｑ１のエミッタとの間に印加する。 （もっと読む）