Fターム[5J034CB00]の内容
半導体素子を用いたパルス発生器 (1,143) | 動作 (314)
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Fターム[5J034CB00]に分類される特許
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論理回路、該論理回路を含む集積回路及び該集積回路の動作方法
【課題】論理回路、該論理回路を含む集積回路及び該集積回路の動作方法を提供する。
【解決手段】入力信号の電圧及び電流のうち少なくともいずれか一つによって変更される抵抗レベルを有し、抵抗レベルを記憶する少なくとも1つの可変抵抗素子を含み、少なくとも1つの可変抵抗素子に記憶された抵抗レベルに対応するマルチレベル・データをラッチする論理回路である。
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