【課題】電源電圧のリップルが信号処理回路に及ぼす影響を低減する。
【解決手段】第１信号処理回路１０は、第１信号Ｓ１に所定の信号処理を施し、その特性値に変化を与えて第２信号Ｓ２を出力する。第２信号処理回路１２は、第２信号Ｓ２に所定の信号処理を施し、その特性値に変化を与えて第３信号Ｓ３を出力する。第１、第２スイッチング電源２０、２２はそれぞれ、第１、第２信号処理回路１０、１２に対し電源電圧Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２を供給する。第１信号処理回路１０が第１信号Ｓ１の特性値に与える変化量と、第２信号処理回路１２が第２信号Ｓ２の特性値に与える変化量はそれぞれ、電源電圧Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２に対する依存性を有する。第１、第２スイッチング電源２０、２２の位相はそれぞれ、第１信号Ｓ１の特性値の変化量とその目標値との誤差と、第２信号Ｓ２の特性値の変化量とその目標値との誤差がキャンセルするように設定される。 （もっと読む）

【課題】入力されるシステムクロック信号と反転されたシステムクロック信号との交差点と、基準信号とが一致するように調整可能な回路を備えた半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】このため本発明は、システムクロック信号と反転されたシステムクロック信号との交差点を基準とする第１クロック信号を生成する第１クロック入力部と、システムクロック信号と基準信号との交差点を基準とする第２クロック信号を生成する第２クロック入力部と、反転されたシステムクロック信号と基準信号との交差点を基準とする第３クロック信号を生成する第３クロック入力部と、遅延制御信号に対応して第１クロック信号を遅延させ遅延クロック信号として出力する遅延部と、遅延クロック信号と第２クロック信号との位相差又は遅延クロック信号と第３クロック信号との位相差に対応して遅延制御信号を出力するクロック遅延調整部とを備える半導体メモリ装置を提供する。 （もっと読む）