【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】極めて短いパルス幅のパルス電圧を発生するパルス発生回路を提供する。
【解決手段】パルス発生回路は、誘導エネルギーを蓄積するトランスと、トランスへの直流の供給経路と、供給経路を開閉するスイッチと、トランスの第１端と第２端とを自律的に短絡に近い状態にする補助回路と、トランスからのパルス電圧の出力経路と、直流を供給する直流電源と、直流電源からの直流の供給を安定させるキャパシタと、を備える。補助回路は、トランスに誘導起電力が発生してから短い時間が経過した後に第１端と第２端とを自律的に短絡に近い状態にする。補助回路は、短絡経路を流れる電流を直流電源へ回生する回生回路を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の種類に対応が可能な光電式自動点滅器を提供すること。
【解決手段】ＭＣＵ３２の不揮発性メモリ３２ａには、図８に示す各形式に対応する動作制御プログラム及び動作照度設定値が記憶されている。ＭＣＵ３２の端子ＰＩ１，ＰＩ２は、それぞれ抵抗Ｒ１１，Ｒ１２によりプルアップされている。ＭＣＵ３２は、両抵抗Ｒ１ｘ，Ｒ２ｘの実装／未実装により設定される両端子ＰＩ１，ＰＩ２の電位に基づいて、動作タイプを判断する。そして、ＭＣＵ３２は、メモリ３２ａに記憶された各形式に応じた動作照度設定（点灯照度及び消灯照度）を読み出し、光センサ３３により検出した周囲照度とを比較して負荷Ｌに対して交流電源ＡＣからの電流を供給又は停止する。 （もっと読む）

【課題】超電導体を最小限にして低廉で小型、高信頼性の超電導限流器とする。
【解決手段】通電線路上の超電導体(1)と、超電導体(1)に直列接続され、大電流通電時に、正常通電時の閉路状態から開路状態に切替えて通電を遮断する第１スイッチ(4)と、大電流通電時の超電導体(1)のインピーダンスより小さい第１インピーダンスを有して超電導体(1)に並列な分流経路を形成し、大電流通電時に通電電流を分流させた分流電流による起磁力により第１スイッチ(4)を開路する第１リアクター(2)と、前記分流経路に直列接続され、前記第１インピーダンスより大きい第２インピーダンスを有して前記大電流を制限する第２リアクター(14)と、第２リアクター(14)に並列に接続される半導体スイッチ(13)と、第１スイッチ(4)の開路動作時に半導体スイッチ(13)へのトリガー信号を中断するトリガー制御器(11)と、を含む複合型超電導限流器とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、出力段ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間のリーク電流を低減するためベースの不純物濃度を高くしても、ゲート閾値電圧Ｖｔやオン抵抗Ｒｏｎが増加せず、その結果、スイッチング時間が増加したりオン抵抗が増加したりすることがない半導体リレーを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体リレー１０１は、電気信号を光信号に変換するＬＥＤ１７と、光信号に応じた第一の出力電圧を発生する第１のフォトダイオードアレイ１８と、第一の出力電圧がゲート・ソース間に印加されてドレイン・ソース間が導通/非導通状態に切り替えられる出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３とを備え、出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３のゲート閾値電圧を導通/非導通状態で切替える切替手段１０４を備えた。 （もっと読む）