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Fターム[5J055DX08]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 主スイッチを構成する素子 (3,300) | 静電誘導型、SIT (2)

Fターム[5J055DX08]に分類される特許

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【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の5倍ないし20倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 (もっと読む)


【課題】 電力変換装置のスイッチング手段または整流手段として用いられる半導体スイッチ回路の発生損失を低減する。
【解決手段】 逆並列接続される外付けダイオードまたは内蔵ダイオードを還流ダイオードとするSiCを素材とする静電誘導トランジスタを主スイッチ素子に並列に接続し、オン・オフ制御のタイミングを主スイッチ素子に同期させる。 (もっと読む)


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