【課題】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタのスイッチング速度を速くする。
【解決手段】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタ４を制御する制御回路２であって、トランジスタを駆動するタイミングを検出する検出回路３８と、駆動するタイミングに応答してゲートを駆動する第１の駆動タイミングとフィールドプレートを駆動する第２の駆動タイミングとを制御するタイミング制御回路４０と、第１の駆動タイミングに応答してゲートを駆動し第２の駆動タイミングに応答してフィールドプレートを駆動する駆動回路４２とを有する。 （もっと読む）

接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を駆動するための、ＤＣ接続２段ゲートドライバが提供される。ＪＦＥＴは、ＳｉＣ ＪＦＥＴのようなワイドバンドギャップ接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）であり得る。ドライバは、第１ターンオン回路、第２ターンオン回路及びプルダウン回路を含む。ドライバは、入力パルス幅変調（ＰＷM）制御信号を受け入れて、ＪＦＥＴのゲートを駆動させるための出力ドライバ信号を発生させるように配置される。 （もっと読む）

高い周囲温度環境において作動することが可能なワイドバンドギャップ（例えば、＞２ｅＶ）半導体接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）のためのゲートドライバについて記載される。ワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体デバイスは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。ドライバは、入力、出力、第１供給電圧を受け取るための第１基準線、第２供給電圧を受け取るための第２基準線、グランド端子、６つの接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を有する非反転ゲートドライバであり得、第１ＪＦＥＴおよび第２ＪＦＥＴは、第１反転バッファを形成し、第３ＪＦＥＴおよび第４ＪＦＥＴは、第２反転バッファを形成し、及び第５ＪＦＥＴ及び第６ＪＦＥＴは、高温パワーＳｉＣ ＪＦＥＴを駆動させるために使用され得るトーテムポールを形成する。反転ゲートドライバも記載される。 （もっと読む）

第１の端子（１）と第２の端子（２）との間の電流を切り替えるためのスイッチング装置は、第１の半導体スイッチ（Ｍ）と第２の半導体スイッチ（Ｊ）との直列接続を有するカスコード回路を含む。上記２つの半導体スイッチ（Ｍ、Ｊ）は共通点（１３）により互いに接続される。第１の半導体スイッチ（Ｍ）は第１の制御入力部と第１の端子（１）との間の電圧に従って第１の制御入力部により制御される。第２の半導体スイッチ（Ｊ）は、第２の制御入力部（４）と共通点（１３）との間の電圧に従って第２の制御入力部（４）により制御される。最後に、特定可能な容量（Ｃ）を有する制御回路が第２の端子（２）と制御入力部の少なくとも１つとの間に接続される。
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【課題】高周波用スイッチ回路としての歪み特性が悪くなってしまうという問題があった。
【解決手段】本発明のスイッチ回路は、入出力端子間に直列に接続されたトランジスタと、トランジスタの導通状態を制御する信号が入力される制御端子と、トランジスタの制御電極と制御端子間に接続された第１の抵抗と、制御端子とトランジスタの制御電極間に第１の抵抗と並列に接続された、ダイオードと第２の抵抗の直列回路を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
互いに逆の論理状態を必要とするシリーズＦＥＴおよびシャントＦＥＴを含み、１つの制御信号で駆動可能であるスイッチおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも１つのシリーズＦＥＴ４２のチャネルを含む１つの信号経路５１によって相互に結合される、少なくとも２つの信号ポート１２，１４と、シャントＦＥＴ４６のチャネルを含み、グラウンドに結合される１つのシャント経路とを備えるスイッチにおいて、前記シリーズＦＥＴ４２のゲートおよびシャントＦＥＴ４６のドレイン−ソース間に、１つの制御電圧Ｖを印加する。
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