【課題】メインスイッチング素子のスイッチングに伴う誤差量を制御することによって、より高精度で信頼性の高い動作が可能な半導体装置の提供を図る。
【解決手段】第１ノードに接続された第１電極Ｓ１、第２ノードに接続された第２電極Ｄ１、および、該第１および第２電極間の接続を制御する第１制御電極Ｇ１を有する少なくとも１つのメインスイッチング素子１と、前記第２ノードに接続される第３電極Ｓ２と第４電極Ｄ２、および、第２制御電極Ｇ２を有し、前記メインスイッチング素子がオンからオフに切り替わるときに生じる電荷をキャンセルするキャンセル用素子２と、を備え、前記キャンセル用素子の駆動を、前記メインスイッチング素子がオンからオフに切り替わるタイミングに対して可変制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 コストを抑制しつつ、フィードバックにより波形生成を安定させ、良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 規範電圧波形追従駆動部４によりスイッチング素子４４を駆動して負荷を作動させるスイッチング回路１において、規範電圧波形追従駆動部４へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部３を備え、規範電圧波形追従駆動部４は、カレントミラーの回路構成によりフィードバックの差動処理を行う比較部４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタを駆動する回路において、トランジスタがターンオフする過渡期間に存在するサージ電圧とターンオフ損失の間のトレードオフ関係を打破すること。
【解決手段】 駆動回路１０は、トランジスタ２０のゲート電極Ｇに電気的に接続している可変抵抗体Ｒ１２を備えている。その可変抵抗体Ｒ１２の電流経路の幅が、トランジスタ２０のドレイン・ソース間電圧Vdsに応じて伸縮する空乏層によって調整されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】オフ状態における高周波信号の絶縁性を向上すると共に、オン状態における挿入損失および線形性を損なわない高周波スイッチ装置を提供する。
【解決手段】高周波信号を入出力する第１の端子、第２の端子と、制御電圧を印加する第３の端子１０５、および第３の端子１０５にハイレベル電圧もしくはローレベル電圧を選択的に印加して、ソース・ドレイン間を電気的に導通もしくは遮断するスイッチトランジスタ１０１を備え、スイッチトランジスタ１０１のゲート１０５と第４の端子１０６に接続され、第５の端子１０７に印加された電圧によって抵抗値の制御をすることのできる可変抵抗装置１０２により構成され、可変抵抗装置１０２はスイッチトランジスタ１０１のオン、オフ状態に応じてその抵抗値を変化させることを特徴とする高周波スイッチ装置。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型パワー半導体スイッチング素子の、大電流駆動時にも、ｄｉ／ｄｔ、ｄｖ／ｄｔを高速化して、スイッチング損失を低減する、電圧駆動型パワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路を提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路では、電圧駆動型パワー半導体スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動回路と、パワー半導体スイッチング素子の通流電流の計測手段とを備え、前記パワー半導体スイッチング素子の通流電流の検出値に基づいて、ゲートのミラー電圧を可変する。 （もっと読む）

【課題】 安定したデッドタイムが得られる電源回路および半導体集積装置を提供する。
【解決手段】 入力電源電圧ＶＩＮと基準電位ＰＧＮＤ間に接続された第１および第２トランジスタ１１、１２を有する出力回路１３と、繰り返し信号Ｖｏｓｃを出力する信号発生回路と１４、所定のオフセット信号Ｖｓを出力するオフセット信号発生回路１６と、繰り返し信号Ｖｏｓｃと所定の基準信号Ｖｅｒとを比較し、繰り返し信号Ｖｏｓｃが基準信号Ｖｅｒより高くなる期間に第１トランジスタ１１をオフさせる第１制御信号を出力する第１コンパレータ１７と、繰り返し信号Ｖｏｓｃをオフセット信号Ｖｓによりレベルシフトした信号と基準信号Ｖｅｒとを比較し、レベルシフトした信号が基準信号Ｖｅｒより高くなる期間に第２トランジスタをオンさせる第２制御信号を出力する第２コンパレータ１８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価な手段によって、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な半導体集積回路装置、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るスイッチング電源ＩＣ１は、監視対象温度が第１閾値温度に達したときには、遮断信号Ｓｔｓｄ１に応じて、スイッチＮ１、Ｎ２をいずれもオフさせる一方、監視対象温度が第１閾値温度よりも高い第２閾値温度に達したときには、遮断信号Ｓｔｓｄ２に応じて、外部接続されたフューズＦ１を溶断すべく、スイッチＮ１、Ｎ２をいずれもオンさせる構成とされている。 （もっと読む）

【課題】複数の生成電圧の中からディジタルデータに対応した生成電圧の電圧降下を抑えて出力できる電圧生成回路、データドライバ及び表示装置を提供する。
【解決手段】電圧生成回路は、第１導電型ＭＯＳトランジスタにより構成される第１導電型の第１のセレクタと、各第２のセレクタが第１導電型ＭＯＳトランジスタにより構成される２^ａ個の第１導電型の第２のセレクタと、第２導電型ＭＯＳトランジスタにより構成される第２導電型の第１のセレクタと、各第２のセレクタが第２導電型ＭＯＳトランジスタにより構成される２^ａ個の第２導電型の第２のセレクタとを含む。第１導電型の第１及び第２のセレクタの各ＭＯＳトランジスタのチャネル幅方向は平行で、第１導電型の第２のセレクタの各第２のセレクタを構成するＭＯＳトランジスタのうち第１導電型の第１のセレクタに接続されるＭＯＳトランジスタがそのチャネル幅方向に隣接して配置される。 （もっと読む）

【課題】
ロジック回路の最低動作電圧に対する最適化を実現すること。
【解決手段】
第１の抵抗／ダイオード回路１１から出力された動作速度と温度に対応する電圧Ｖ１と、Ｖｔ和回路１４から出力された製造ばらつきに対応する電圧Ｖ２と、第２の抵抗／ダイオード回路１５から出力された動作速度と温度に対応する電圧Ｖ３と、に基づいて、ロジック回路１９に供給するレギュレータ出力電圧Ｖoutを制御する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の急激な変化（電源ノイズ）による誤動作を防止できる検知回路を提供すること。
【解決手段】固定電位点と、パワーオン時、固定電位点からの電位差が変化していく可変電位点との電位差が所定の電位差となったことを検知する、半導体基板に形成される検知回路であって、可変電位点の電位にバイアスされる第１の半導体領域に形成され、可変電位点に接続される第１の抵抗体（ｒ３）と、固定電位点の電位にバイアスされる第２の半導体領域に形成され、可変電位点に接続されない第２の抵抗体（ｒ１）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 低電圧動作や低消費電力化を図ることができる高精度な温度検出回路を得る。
【解決手段】 第１の電圧源回路２は、２つの電界効果トランジスタにおけるゲート電極の仕事関数差を用いて、負の温度係数を有する電圧ＶＰＮを生成して出力し、第２の電圧源回路３は、２つ又はそれ以上の電界効果トランジスタにおけるゲート電極の仕事関数差を用いて、温度変化に依存しない基準電圧ＶＲＥＦ１を生成して出力し、インピーダンス変換回路４は、電圧ＶＰＮ及び基準電圧ＶＲＥＦ１に対してそれぞれインピーダンス変換を行って減算回路５に出力し、減算回路５は、温度感度の上昇及び低電力化を実現するために、インピーダンス変換回路４を介して入力された、電圧ＶＰＮと基準電圧ＶＲＥＦ１との減算及びその差分の増幅を行って出力電圧ＶＯＵＴを生成し出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 論理入力信号やノイズのレベルに適切に対応することが可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路において、一端にて論理入力信号が入力される容量素子と、容量素子の他端に接続された入力に対して第１の論理反転レベルを有する第１の論理反転回路および第２の論理反転レベルを有する第２の論理反転回路を含み、第１と第２の論理反転回路の出力極性が一致することで第２の論理振幅を有する論理出力信号を反転する論理出力回路と、容量素子の他端に入力の一端と出力が接続され、前記第１の論理反転レベルよりも低く第２の論理反転レベルよりも高い第３の論理反転レベルを有する第３の論理反転回路と、第１および第２の論理反転回路と第２の論理振幅に対応する電源とを接続し、前記第１の論理反転レベルおよび前記第２の論理反転レベルを設定する論理反転レベル設定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 回路の簡素化を図りつつ、高い周波数でのデータ転送を含んだ多様な信号出力動作を可能にした半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 複数の出力ＭＯＳＦＥＴの組み合わせによって複数通りの出力インピーダンスの設定が可能とされる出力回路に対して、入力信号の信号変化タイミングに対応して第１制御信号に基づいて伝送線路の特性インピーダンスよりも小さな第１出力インピーダンスにより出力信号を形成し、上記入力信号の信号変化タイミングにより遅れた第１時間経過後に第２制御信号に基づいて特性インピーダンスに整合された第２出力インピーダンスにより出力信号を形成するようにする。 （もっと読む）