【課題】
本発明の目的は、低背化すると共に圧電振動素子の搭載面積を確保して、良好な封止が可能な圧電デバイス、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の圧電デバイスは、圧電振動素子が矩形状の発振用集積回路素子上に搭載パッドを介して実装され、発振用集積回路素子の搭載パッド形成面の反対側の面に外部端子が設けられ、発振用集積回路素子の搭載パッド形成面の外周縁に配置されたポスト状の導電性部材と先の導電性部材に挟まれるように圧電振動素子を気密封止して被せられた蓋体とからなることを特徴とし、また、蓋体と該導電性部材とが絶縁性樹脂で被覆されていることを特徴とし、ポスト状の導電性部材が、温度補償用データを書き込む為の書込制御端子として用いられ、また、ポスト状の導電性部材が、圧電振動素子の測定端子として用いられることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 生産性の向上を図ることができる温度補償水晶振動子を提供する。
【解決手段】 水晶振動素子２と、一端が水晶振動素子２の一端と接続されるリアクタンス回路３と、一端が水晶振動素子２の他端と接続されるリアクタンス回路４と、水晶振動素子２とリアクタンス回路３との接続点に接続される第１の外部接続端子５と、水晶振動素子２とリアクタンス回路４との接続点に接続される第２の外部接続端子６と、リアクタンス回路３の他端に接続される第３の外部接続端子７と、リアクタンス回路４の他端に接続される第４の外部接続端子８を備える。そして、本実施形態では第３の外部接続端子７と、第４の外部接続端子８とを電気的に独立した接続端子として設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 実用に伴う接着剤の変形や、水晶片からのガスの離脱や吸着を抑え、発振周波数の安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールの提供を図る。
【解決手段】 接着剤を配した水晶振動子４２およびサーミスタ４３を配線パターン上に搭載したセラミック基板４１に樹脂基板４９を接合し、樹脂基板４９にベース基板４８を接合する。接続用電極５１Ａを、電極４５にはんだ５２Ａにより接続し、接続用電極５１Ｂを、金属ピン端子４６にはんだ５２Ｂにより接続する。そして、接続用電極５１Ａと接続用電極５１Ｂとを接続することによりセラミック基板４１の配線パターンと金属ピン端子４６とを熱的に離間した温度補償型水晶発振モジュール５０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 現場に行って調整を行うことなくかつ運用を妨げることなく、自動で発振器の周波数調整を行うことが可能な無線基地局装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１は自装置が運用開始したことを知らせると、起動回路５は内部のタイマ機能を動作させる。起動回路５は任意の時間Ｔを計時すると、水晶発振器８へ電源を供給するとともに、ＣＰＵ１へも水晶発振器８に電源供給を開始したことを通知する。ＣＰＵ１は水晶発振器８の出力信号を基準として、温度補償型水晶発振器６の出力信号の位相比較を行い、比較の結果から周波数の調整値を算出し、この調整値と温度センサ２からの温度とメモリ３に保存されている基準値及び温度変動値とから実際に温度補償型水晶発振器６に対する周波数調整を算出し、Ｄ／Ａコンバータ７を介して温度補償型水晶発振器６に制御電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】
実用に伴う接着剤の変形を抑え、発振周波数の安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールの提供を図る。
【解決手段】
接着剤を配した水晶振動子３２と、サーミスタ３３とを、セラミック基板３１上に搭載し、セラミック基板３１に樹脂基板３６を接合する。そして、樹脂基板３６の底面に実装用電極３４を設ける。さらに、樹脂基板３６を複数の層で形成し、少なくとも一つの層間に接続用電極４０ｂを設け、セラミック基板３１の上面の回路電極と樹脂基板３６の実装用電極３４とを、熱的に離間するように接続用電極４０ａ・接続用電極４０ｂ・接続用電極４０ｃを介して接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、安定した発振周波数を得ることが出来、かつ小型化することが出来る圧電デバイス、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】配線基板上に、圧電振動素子と圧電振動素子の振動に基づいて発振信号を発生させる発振回路と、前記発振信号の周波数を調整するための調整回路と、温度変化に応じて前記発振信号の周波数を補正する温度補償回路と、内部に前記圧電振動素子を収容する容器体とを配設してなる圧電デバイスにおいて、前記配線基板に開口部を形成し、前記開口部には段差が設けられており、前記開口部に前記調整回路の一部である電子部品素子を搭載してあるサポート基板が嵌め込まれていることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

電源電圧が低電圧であっても、一定の発振周波数の高周波信号を出力する温度補償型圧電発振器を提供する。 温度補償型圧電発振器は、ＡＴカット水晶振動子（ＸＤ）と、該水晶振動子（ＸＤ）の一方端に接続する増幅回路（３）と、水晶振動子（ＸＤ）の他方端に接続するバラクタダイオード（ＶＤ）と、このバラクタダイオード（ＶＤ）の両端に抵抗器（Ｒ１１），（Ｒ１２）を介して接続する温度補償電圧発生回路（１０）とを備える。温度補償電圧発生回路（１０）は、サーミスタ（ＴＨ１），（ＴＨ３）と抵抗器（Ｒ１），（Ｒ３）とからなり、バラクタダイオード（ＶＤ）のカソードに接続する第１電圧発生回路（１）と、サーミスタ（ＴＨ２）と抵抗器（Ｒ２），（Ｒ４）とからなり、バラクタダイオード（ＶＤ）のアノードに接続する第２電圧発生回路（２）とからなる。
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特に移動無線機器の支持体上に配される発振器結晶2の温度を検出する装置では、検出された温度は発振器結晶２が受ける温度のできるだけ正確なレプリカであるべきである。この目的のために、温度センサ７は、発振器結晶2又は発振器結晶ハウジング2’と同じ周囲温度を受けるように、支持体１上に配される。温度センサ7および発振器結晶2は、電気的に並列となるように位置する。
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【課題】 簡易な構成で高精度に温度補償電圧の設定を図ることができる温度補償圧電発振回路および、それを備えた電子装置を構成する。
【解決手段】 水晶振動子ＸＤ１にバラクタダイオードＶＤ１を接続し、バラクタダイオードＶＤ１に感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂを接続する。各感温抵抗素子回路は分圧回路１６を備え、分圧回路はサーミスタＴＨを含む。第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８とは直列に接続していて、第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８との接続点から分圧電圧を引き出し、感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂは、それぞれバラクタダイオードＶＤ１の端子に分圧電圧を常に印加するように回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】 位相ノイズ特性を劣化させることなく１次項の補正幅を拡大し、小型の温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第１の電源線１と第２の電源線３の間に、互いに異なる温度特性を有する、第１の抵抗５と第２の抵抗７とが直列に２組接続されている。第１の接続点９を挟む直列接続は第１の抵抗５が第１の電源線１に接続し、第２の接続点１１を挟む直列接続は第２の抵抗７が第１の電源線１に接続するように、それぞれ逆向きの接続とされている。そして、第１の接続点９と第２の接続点１１との間に接続抵抗１３が接続される。第１のスイッチ群１５は、接続抵抗１３の任意の点に一方の端子を接続し、他方の端子を第１の結束点１９に接続される。第２のスイッチ群１７は、接続抵抗１３の任意の点に一方の端子を接続し、他方の端子を第２の結束点２１に接続される。第１の結束点１９と第２の結束点２１は、可変容量素子２３を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】温度補償水晶発振器の温度補償回路において、プロセス変動によるＶｔｈの変化があると、出力波形に大きな影響を与えるという課題があった。
【解決手段】本発明の電子回路は、Ｖｔｈの変化に応じて補正電圧を発生する補正電圧発生回路を設け、その出力である補正電圧信号を制御電圧発生回路の温度検出回路に入力し、この回路のバックバイアスを調整する。このような構成とすることによって、プロセス変動によるＶｔｈ変化があっても、そのＶｔｈ変化を打ち消すように補正電圧発生回路が補正電圧信号を出力し、制御電圧発生回路を修正するので、温度補償回路の出力波形には影響を及ぼさないようにすることができた。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、周波数調整精度の向上が可能な温度補償発振器の周波数調整方法を提供することである。
【解決手段】
圧電振動子（X'tal）で構成する発振回路部１、発振回路部１近傍の温度を検出し前記圧電振動子（X'tal）の温度特性を補償する温度補償部２、及び温度補償部２の出力に基づいて出力周波数を変化させる容量素子ＣＰ１，ＣＰ２からなる周波数調整部３を有する温度補償発振器Aの周波数調整方法において、
容量素子ＣＰ１，ＣＰ２に発振回路部１の周波数を変化させる電圧ＶCを印加する手段と、印加電圧ＶCによって変化する周波数出力信号を測定する手段とにより、所望の周波数偏差を決定する容量素子ＣＰ１，ＣＰ２の値を調整する手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】 低温部から高温部に亘り、振動子の温度による周波数変化特性を容易に補償することができるコンデンサ及びそれを用いた発振回路を提供する。
【解決手段】 温度による静電容量変化特性を有するコンデンサ１であって、誘電体２と、前記誘電体２に対向するバイメタル４とを備え、前記誘電体２には第一の電極３が形成され、前記バイメタル４には第二の電極としての導電性ゴム部材５（または導電性薄膜）が設けられ、温度変化により前記バイメタル４が湾曲し、前記誘電体２と前記導電性ゴム部材５（または導電性薄膜）の密着有効対向面積に応じて、前記第一の電極３の実効面積が変化し、静電容量が変化する。 （もっと読む）