【課題】従来回路で必要とされてきた直流カット用の固定容量素子を削除し、また可変容量素子も小さくできるようにして、半導体集積回路の面積を削減できるようにする。
【解決手段】トランジスＱ１のコレクタ・ベース間に帰還抵抗Ｒ１と水晶振動子Ｘを並列接続し、トランジスＱ１のコレクタとＶｃｃの電源端子間に電流源Ｉ１を接続し、トランジスタＱ１のベースと接地間に可変容量素Ｃ１を接続し、トランジスタＱ１のコレクタと接地間に可変容量素子Ｃ２を接続し、トランジスタＱ１のエミッタにトランジスタＱ２のエミッタを接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２の共通エミッタと接地間に電流源Ｉ２を接続し、トランジスタＱ１のベースに制御電圧Ｖｓを印加するようにした。 （もっと読む）

【課題】負荷容量に応じて最適な波形を出力可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１２からの出力を、出力バッファ（前段出力バッファ１４、出力バッファ２２）を介して負荷回路に出力する発振器１０であって、発振器１０は、出力バッファ２２の駆動能力を出力バッファから流れる電流に応じて調整可能なバッファ制御回路４８を有する。ここで出力バッファ２２は、発振回路１２の後段に複数並列に接続されるとともに、バッファ制御回路４８は、出力バッファから流れる電流に応じて出力バッファ２２の稼動数を調整する信号を出力バッファ２２に出力することにより出力バッファ２２の駆動能力を調整している。 （もっと読む）

【課題】周波数可変幅を拡大でき、容量素子の形成領域の面積縮小により小型化できるほか、固定容量素子に金属電極を用いて、容量としての機能を向上し、さらには、金属電極のパターニングの際にポリシリコン電極のエッジ部でオーバーエッチングによるシリコントレンチを起こす虞がない容量素子を備えた発振回路を提供する。
【課題の解決手段】増幅用のインバータと、発振周波数制御用の可変容量素子１０１，１０２と、直流信号遮断用の固定容量素子７１，７３，７４，７２と、振動子を外付けするための一対の端子と、周波数制御用信号を入力するための端子を備えた半導体集積回路に搭載する発振回路であって、半導体基板表面に可変容量素子１０１，１０２を形成し、この可変容量素子１０１，１０２の上に設けたフィールド酸化膜２５ａ上に、ポリシリコン電極７２と、絶縁膜７３，７４と、金属電極７１とを順次積層して固定容量素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の発振装置では、負性抵抗は、比較的小さい値であった。
【解決手段】ＰＮＰ型トランジスタと、ＮＰＮ型トランジスタと、水晶振動子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、を含み、ＰＮＰ型トランジスタのエミッタが、電源電位に接続されており、ＮＰＮ型トランジスタのエミッタが、接地電位に接続されており、第１のキャパシタの一端が、接地電位に接続されており、第２のキャパシタの一端が、接地電位に接続されており、ＰＮＰ型トランジスタのベース、ＮＰＮ型トランジスタのベース、第１のキャパシタの他端、及び、水晶振動子の一端が相互に接続されており、ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ、第２のキャパシタの他端、及び、水晶振動子の他端が相互に接続されている。 （もっと読む）