【課題】チップ占有面積が小さく低消費電力の広帯域RF信号処理回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第1制御端子101の第1制御信号Vc1により制御可能なキャパシタンスC_Rを有する第1キャパシタ1と、第2制御端子102の第2制御信号Vc2により制御可能なキャパシタンスC_Lを有する第2キャパシタ3を含み等価的にインダクタLをエミュレートするジャイレータ2、5とからなる共振回路を半導体チップに具備する。キャパシタンスC_RとインダクタLは、並列共振回路を構成する。並列共振周波数を変更する際に、第1と第2のキャパシタ1、3のキャパシタンスを協調的に変更する。並列共振回路は増幅素子Q1の出力電極に接続されるアクティブ負荷に好適である。 （もっと読む）

【課題】低電力損失、低ノイズで被制御信号に対する制御ができる。
【解決手段】制御入力端子８に入力された制御信号１７による＋電位及び制御出力端子９に制御信号１８による−電位が、電圧制御可変コンデンサ２１の電圧制御可変コンデンサ１（Ｃ１〜Ｃ４）の各電極に抵抗器Ｒを介して供給される。すると、電圧制御可変コンデンサ２１（Ｃ１〜Ｃ４）の各電極間の＋電位及び−電位による制御信号により、各電極間の電圧制御可変コンデンサ２１の容量が変化する。従って、この変化した容量及びＡＣ入力１５による電位に応じた電界が制御信号の電圧に影響なく発生する。 （もっと読む）