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Fターム[5J108FF15]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 電極 (2,795) | 電極の接続 (383) | 半田、ろう付 (46)

Fターム[5J108FF15]に分類される特許

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【課題】 気密端子の製造工程及び圧電振動子の組立工程の歩留低下を抑制することが可能な小型気密端子の構造と、該気密端子に対応した表面実装型圧電振動子のモールド構造を提案すること。
【解決手段】 一対の励振電極を備え、前記一対の励振電極のうち第1の極が前記リードと電気的に接続され、第2の極が気密端子のステムと電気的に接続された圧電振動片と、前記圧電振動片を覆うように前記ステムと固定されて気密空間を形成する有底円筒型のケースと、前記リードを介して、前記第1の極と電気的導通を有する第1の外部電極端子と、前記第2の極と電気的導通を有する第2の外部電極端子と、前記ケース及び前記気密端子の表面に形成され、前記第1及び第2それぞれの外部電極端子の端部が露出されて成型されたモールド樹脂を有する表面実装型圧電振動子。 (もっと読む)


【課題】 コストを削減し、小型低背化を可能とする。
【解決手段】 基板10と、この基板10に実装される圧電素子40と、この圧電素子40を封止するための凹部21が設けられた蓋20とから構成され、凹部21を塞ぐように基板10と蓋20とが接合される圧電振動子100であって、表面が平坦に処理された基板10と、基板10に形成される圧電素子を実装する実装パターン31と実装パターン31を外部に引き回す引き回しパターン32と引き回しパターン32につながる外部実装パターン33と、各実装パターン31にGGI接合によって実装される圧電素子40と、を備え、ウェハの状態で直接接合された基板10と蓋20とが個片化されてなる。 (もっと読む)


【課題】 圧電振動子の周波数精度と諸特性そしてその信頼性を確保するため、小型でありながらリード端子と圧電振動片の良好な接合ができる圧電振動子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 リード端子を有する気密端子と、圧電体からなり表面に励振電極とマウント電極とが形成された圧電振動片とを有し、前記リード端子のインナーリードと前記マウント電極とが接合された圧電振動子の製造方法であって、前記インナーリードと前記マウント電極とを接合する際に、前記インナーリードと前記マウント電極との接合部に対してアルゴンガス中でプラズマアーク放電させてハンダ接合するする製造方法とした。これにより、制御された熱量が局所的に供給されるため強固な接合が可能であり、信頼性の高い圧電振動子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 ロウ材が振動領域に付着することを防止して、優れた振動特性を得ることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 振動領域に形成された励振電極42,43と電気的に接続され、外部に電極を引き出すための引出し電極46,47を有する圧電素子20と、引出し電極46,47と金属系ロウ材54,58により接合される基体40,50とを備えた圧電デバイスであって、圧電素子20は、励振電極42,43と引出し電極46,47とをつなぐ連結電極48,49を有しており、この連結電極48,49の表面には、金属系ロウ材54,58と濡れ性の悪い材料60が、励振電極42,43と引出し電極46,47とを隔てるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、所望の発振周波数を得ると共に組み立て工程を簡略化して生産性を向上させることができる圧電デバイス並びにその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧電デバイスは、矩形状の容器体の内部空間に圧電振動素子が搭載されており、該容器体の側壁頂部には該容器体の開口部を覆う矩形状の蓋体が配置されており、該蓋体と該側壁頂部に設けた導体パターンとを固着し、該容器体内の圧電振動素子を気密封止している圧電振動子において、前記容器体が低温焼成基板にて形成し、前記容器体に形成されている圧電振動素子を搭載する為の搭載パッドが低抵抗金属であることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 表面実装型圧電振動子の半田付けにおいて、容易に再度半田付けができるようにすること。
【解決手段】 CrとNiの合金、即ちNiCrで外部電極を形成する。更に、NiCrの表面には、酸化防止のための酸化防止膜をAuの膜で形成する。このため、外部電極の構成は、ガラスの表面にNiCrの層が形成され、更に、その上にAuの層が形成されている。なお、NiCr、Auはスパッタリング(スパッタ法)により形成し、応力の少ない薄膜とした。このような構成の外部電極において、Auの層は最初の半田付けにより半田中に拡散してしまうが、NiCr中のCrは、半田へのNiの拡散スピードを抑えるため、Niは外部端子中に残る。Niは半田と合金を構成する金属であるので、この水晶振動子を取り外して再度半田付けすることが可能である。 (もっと読む)


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