【課題】電流が規定値を維持する増幅装置、送信機、及び増幅装置制御方法を提供する。
【解決手段】電力増幅装置１００は、ＲＦ増幅用ＧａＮデバイス１１８と、モニタ用ＧａＮデバイス１０６と、Ｉdq検出回路１１２と、ゲートバイアス制御（ＧＢＣ）回路１１９とを有する。ＲＦ増幅用ＧａＮデバイス１１８は、入力信号を増幅して出力する。モニタ用ＧａＮデバイス１０６は、ＲＦ増幅用ＧａＮデバイス１１８の入出力信号をモニタするための増幅デバイスである。Ｉdq検出回路１１２は、ＲＦ増幅用ＧａＮデバイス１１８に入力される入力信号から分岐してモニタ用ＧａＮデバイス１０６に入力される入力信号に対応し、モニタ用ＧａＮデバイス１０６が出力する出力信号を、検出する。ゲートバイアス制御回路１１９は、Ｉdq検出回路１１２により検出された出力信号に応じて、ＲＦ増幅用ＧａＮデバイス１１８に印加するゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】低アイドル電流であっても利得の線形性が良い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】本高周波電力増幅器は、ベースｂ１に入力される高周波信号を増幅してコレクタｃ１から出力する高周波信号増幅用ＨＢＴ１０３と、一端が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０３のエミッタｅ１に接続され、他端が接地されたインダクタ１０４と、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０３のベースｂ１へバイアス電流を供給する直流電流供給用ＨＢＴ１１１と、一端が直流電流供給用ＨＢＴ１１１のエミッタｅ１に接続され、他端が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０３のベースｂ１に接続されたバイアス回路分離用インダクタ１０８と、直流電流供給用ＨＢＴ１１１のベースｂ２に基準電圧を印加する基準電圧回路１２０と、一端が直流電流供給用ＨＢＴ１１１のエミッタｂ２に接続され、他端が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０３のエミッタｅ１に接続されたバイアス回路分離用キャパシタ１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅トランジスタを流れる電流が制御電圧変動の影響を受けないようにする。
【解決手段】高周波電力増幅器５０には、バイアス回路１、増幅部２、及び高周波分離部３、端子Ｐｒｆｉｎ、端子Ｐｒｆｏｕｔ、端子Ｐｖｃｃ、端子Ｐｖｃｏｎ、及び端子Ｐｖｄｃが設けられる。バイアス回路１は、制御電圧Ｖｃｏｎと高電位側電源電圧Ｖｄｃが供給され、バイアス電流を生成し、ＮＰＮトランジスタＱ１乃至５、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２が設けられる。高周波分離部３は、バイアス回路１から出力されるバイアス電流が入力され、バイアス電流を増幅部２の高周波増幅トランジスタであるＮＰＮトランジスタＱｒｆのベースに供給する。バイアス回路１は、ＮＰＮトランジスタＱｒｆを流れる電流に対して制御電圧変動の影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの動作状態において電流の増加が起こった場合のバイアスのずれを軽減させる。
【解決手段】ＦＥＴのゲート電圧に従ってドレイン電流検出用抵抗器と並列に接続されたトランジスタのベース電位を制御する。 （もっと読む）

【課題】抵抗ばらつきに対しても安定した電流を供給可能な定電流源を提供すること。
【解決手段】増幅回路１０１に定電流を供給する定電流源１０３は、トランジスタＱ４、トランジスタＱ５、トランジスタＱ４のエミッタ抵抗Ｒ３、トランジスタＱ５のエミッタ抵抗Ｒ４、トランジスタＱ４とトランジスタＱ５の各ベース間のダイオードＤ３、トランジスタＱ４のベースとダイオードＤ３の接続点に接続されたダイオードＤ２、トランジスタＱ４のコレクタにゲートが接続され、増幅回路にソースが接続されたＭＯＳ Ｍ１、トランジスタＱ５のコレクタにゲートが接続され、増幅回路にソースが接続されたＭＯＳ Ｍ２、トランジスタＱ５のコレクタにゲートとソースが接続されたＭＯＳ Ｍ３、トランジスタＱ４のコレクタにゲートが接続され、トランジスタＱ５のコレクタにソースが接続されたＭＯＳ Ｍ４、及びトランジスタＱ４のコレクタにゲートとソースが接続されたＭＯＳ Ｍ５を備える。 （もっと読む）

【課題】低い外部基準電圧で動作する電力増幅器において、低温動作における歪特性の劣化を抑制するバイアス回路を提供する。
【解決手段】電圧駆動バイアス回路（Ｔｒｂ１〜Ｔｒｂ６を含む回路）と、電流駆動バイアス回路（Ｒｂｂ９を含む回路）とを並列に設けた併用バイアス回路において、第１増幅用トランジスタＴｒ２ａと第４の抵抗Ｒｂ２２との間に、第５の抵抗ＲＬ１を含むリニアライザＬ１を接続した構成とする。上記構成により、外部基準電圧が２．４〜２．５Ｖの低電圧であっても、低温から高温までほぼ一定のアイドル電流を保ちながら増幅動作が可能となり、且つ、低温動作における歪特性の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】GaAs-HBT電力増幅器において基準電圧Vrefを低くした際に、アイドル電流が流れなくなることを防止する。
【解決手段】GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。この構成により、リファレンス電圧入力端子（Vrefb）により印加される電圧がTrb4の動作する電圧より低いアイドル状態で、Vrefbから抵抗Rbb9を介してTr2のベース端子に電流を供給することができる。これにより、基準電圧VrefをHBTの障壁電圧の２倍未満まで低下させても、低温から高温までほぼ一定のアイドル電流を保ちながら、所望の増幅動作を可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ベースバンドＩＣ側のソフトウェア処理を必要とせずに自動的に送信開始時のプリチャージレベルの設定を行ない、ユーザすなわちセットメーカの負担を軽減することができる高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール）を提供する。
【解決手段】 出力電力の検出信号と出力電力のレベルを指示する信号とに基づいて高周波電力増幅回路（２１０）にバイアスを与えて出力電力を制御する回路に、出力電力のレベルを指示する信号Ｖrampに応じて、出力電力があるレベル以下の範囲での出力電力検出回路（２２０）の検出感度を補償するような信号を出力する感度補償回路（２３２）を設ける。そして、この感度補償回路の出力を出力電力検出回路の検出出力に加算した信号に基づいて出力電力を制御するようにした。 （もっと読む）