【課題】 複数の増幅手段を接地電位と直流電源との間に接続していても、電源の省電力化を図る
【解決手段】 高周波信号を順に増幅するように増幅器６、８、集積増幅回路１２の入出力が接続され、集積増幅回路１２の出力信号をエミッタ共通接続のダブルエミッタトランジスタ２０がベース電極に受けて増幅し、コレクタ電極から出力し、エミッタ電極２０ｅ１、２０ｅ２が接地電位点に接続されている。エミッタ電極２０ｅ１と接地電位点との間に、増幅器６及び集積増幅回路１２の電源端子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが、直列に接続され、エミッタ電極２０ｅ２と接地電位点との間に、増幅器８の２つの電源端子Ｅ、Ｆが接続されている。 （もっと読む）

【課題】電力増幅を行う増幅回路のレイアウト面積を低減させながら、トランジスタの熱暴走などを防止し、動作を安定化させる。
【解決手段】パワー段増幅回路４では、ユニットセル８₁〜８_Nに、ベースバラスト抵抗Ｒｂ₁〜Ｒｂ_Nに付加するバイアス回路となるトランジスタＱ２₁〜Ｑ２_Nをそれぞれ設けた構成とする。この場合、コントロール電源電圧Ｖｒｅｇとトランジスタのエミッタ電圧Ｖｅ３１の間の電位差は、ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅと抵抗Ｒｂ₁の電圧降下に加えて、トランジスタＱ２₁のベース−エミッタ間電圧Ｖｅｂ３１の３つにより支えられ、ベース電流Ｉｂ１の増大に伴って、ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ３１も大きくなり、熱暴走の開始を遅らせることができ、熱暴走の開始電流Ｉｃｒｉｔを増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望とするゲインを容易に設定可能としつつ、出力信号の品質劣化を防止することが可能なゲイン調整回路を提供する。
【解決手段】フロントモニタ素子１０は、光信号を受光するフォトダイオード１１と、フォトダイオード１１から電流信号を増幅する電流増幅回路１２と、電流増幅回路１２の増幅の基準となる第１バイアス電流を供給する第１バイアス電流源回路１３と、接続端子ＣＮに接続され、可変抵抗ＶＲによって調整される第２バイアス電流を供給する第２バイアス電流源回路１４とを備え、電流増幅回路１２は、第１バイアス電流と第２バイアス電流との比で増幅率が決定する双方向電流増幅回路である。 （もっと読む）

【課題】増幅器としての高周波特性を損ねることなく、バイポーラトランジスタの過電流による熱的な粗密を緩和することができ、半導体素子の破壊を小規模な回路構成で防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のＨＢＴを並列接続した高出力トランジスタの各ベースごとにバイアス電流の印加を制御し、また、エミッタ数が、ベースの数ｎに対して２の（ｎ−１）乗倍で増大するマルチエミッタ素子を使うことにより、２進数により表せる値で各ベースごとのバイアス電流の印加を制御し、また、非常に大きな構造を有する方向性結合器の代わりに、高出力トランジスタのエミッタをマルチエミッタ構造にし、そのエミッタの一つの電流をモニタする。 （もっと読む）