陰イオンプラズマの存在下でマイクロエレクトロニクス素子のウエハの少なくとも相互接続層の部分をレーザーアブレーションすることでマイクロエレクトロニクス素子のウエハをダイシングする装置及び方法であって、陰イオンプラズマはレーザーアブレーションから発生する破片と反応して反応ガスを発生させる。
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本装置（５０）は、居住可能な建造物の表面を加工する。本装置（５０）は、相互作用領域にレーザ光を供給するように適合させたレーザの基本ユニット（３００）を含み、レーザ光が、建造物から材料を取り除く。レーザの基本ユニット（３００）は、レーザ発生器（３１０）と、レーザ発生器（３１０）に連結されたレーザヘッド（１２００）とを含んでいる。レーザヘッド（２００）は、相互作用領域から材料を取り除くように適合され、それにより、建造物内における活動への破壊性を減少させ得る。本装置（５０）は、建造物に取り外し可能に連結され、レーザヘッド（１２００）に取り外し可能に連結されるように適合させた固定用メカニズム（１１１０）をさらに含んでいる。本装置（５０）は、レーザの基本ユニット（３００）に電気的に接続された制御器（５００）をさらに含んでいる。制御器（５００）は、使用者の入力に応答して、レーザの基本ユニット（３００）に制御信号を送信するように適合されている。
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【目的】 レーザアブレーション加工法とこの加工法を用いた多層配線構造体の製造方法に関し、レーザアブレーション加工による煤の発生を抑制する。
【構成】 レーザ光２２を照射することにより有機物材料膜１３を局部的に分解除去するレーザアブレーション加工法において、この被加工有機物材料膜１３の表面近傍を大気から遮断し、この遮断された領域内を水素ガス雰囲気にして被加工有機物材料１３が分解して生じるプラズマを冷却することによって煤が生成されるのを抑制する。この際、被加工有機物材料の表面近傍を大気から遮断する構造物の少なくとも一部を、透明基板上に誘電体多層膜ミラーを選択的に形成した誘電体ミラーマスク１６によって構成する。また、このレーザアブレーション加工法によって多層配線構造体の層間絶縁膜に層間接続用ビア穴を形成する。 （もっと読む）