【課題】十分な機械強度を有するとともに高い耐熱性を有する、セラミック体と金属体との接合体を提供する。
【解決手段】窒化珪素質セラミック体２と、Ｎｉを主成分とする金属体４と、前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体との間に配置されて前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体とを接合している接合部６とを備えるセラミック体と金属体との接合体であって、前記接合部は、前記窒化珪素質セラミック体に接している、主成分としてＣｒを含むとともにＮを含む第１接合層１２と、該第１接合層と前記金属体との間に配置されて前記第１接合層と接している、Ｃｒ、Ｎ、およびＴｉを含む第２接合層１４とを有し、該第２接合層に比べて前記第１接合層の方が、Ｃｒの含有割合が高いことを特徴とするセラミック体と金属体との接合体。 （もっと読む）

【課題】
平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍ以下の金属酸化物，金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子前駆体と、有機物からなる還元剤とを含み、前記金属粒子前駆体の含有量が接合用材料中における全質量部において５０質量部を超えて９９質量部以下である接合用材料を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のＮｉ又はＣｕ電極と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０１とＣｕまたはＮｉ電極がＡｇ，Ｃｕ又はＡｕで構成された接合層１０５を介して接続され、前記接合層１０５と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置１０１を特徴とする。平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍの金属酸化物粒子と、有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、還元雰囲気中において接合を行うことでＮｉ又はＣｕ電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 （もっと読む）