国際特許分類[C04B37/02]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物 (33,771) | 石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;天然石の処理 (33,771) | 焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合 (600) | 金属物品との (259)
国際特許分類[C04B37/02]に分類される特許
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熱的に高負荷可能な複合構造部材の製造方法
【課題】 複雑な接合部材構造及び壁面の薄い金属構成素子の部材でも銅−クロム−ジルコニウム合金をその良好な機械的特性を硬化状態で破壊されることなく十分に使用することができる、熱的に高負荷可能な複合構造部材を提供する。
【解決手段】 金属部材を接合表面に銅又は銅合金から成る層を有するグラファイト部材にHIPプロセスにより接合する。
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セラミックス回路基板
【課題】繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】カーボン粉末と、Ti,Zr,HfおよびNbから選択される少なくとも1種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層5を介してセラミックス基板2に金属回路板3を接合して成ることを特徴とする。また銀−銅系ろう材層5におけるカーボン粉末の含有量が0.1〜5.0重量%である。さらに銀−銅系ろう材層5における活性金属の含有量は0.5〜10重量%の範囲とする。また銀−銅系ろう材層5に、さらにIn,Zn,CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を含有させるとよい。
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セラミックス電子回路基板の製造方法
セラミックス電子回路基板の製造方法
【目的】 金属溶湯を直接セラミックス基板上に凝固させることにより金属とセラミックスとの複合体を形成し、これを用いて耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス電子回路基板を製造する方法の提供。
【構成】 板状のセラミックス部材2を、ヒーター4で加熱された金属溶湯1を保持しているるつぼ7の一方の壁に連結した入口側ダイス6Aに導入し、この中を水平に通過させて金属溶湯1中に導入し、さらに該溶湯中を通過させてるつぼ7の他方の壁に連結された出口側ダイス6B中に導入しこれらを通過させる間にセラミックス部材の両面に溶湯から凝固した金属5を平板状に接合させる。該接合金属5の表面を研磨して均質化した後、所定パターンのレジスト膜を形成し、エッチングにより所定の回路パターンを形成した後めっき処理してセラミックス電子回路基板を得る。
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導体ペースト
【目的】 半田付けが容易で、しかも半田付け後のエージングによるセラミック基板との接合強度の劣化の小さい電形を形成するための導体ペーストを提供する。
【構成】 銀とパラジウムを含む複合導電粉末とガラス粉末及び酸化ビスマス粉末をビヒクルに分散混練した導体ペーストであって、固形分中にガラス粉末が2〜9重量%含有され、ガラス粉末10重量部当り酸化ビスマスを5〜45重量部、コージェライト粉末を2〜5重量部及びアルミナ粉末を1〜3重量部含有する。
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金属板とセラミツクス基板とからなる接合体
【目的】 製造時及び使用時に繰返し発生する熱により、従来セラミックス基板にしばしば生じていた、クラックがほとんど生じることがない、金属板とセラミックス基板とからなる接合体を得ることを目的とする。
【構成】 少くとも、セラミックス基板の片面に、回路パタ−ンを有する金属板とセラミックス基板とからなる接合体において、前記回路パタ−ンを構成する個々の回路線が縁取加工処理されていることを特徴とする金属板とセラミックス基板とからなる接合体。
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酸化物系超電導バルクと金属の接合方法
【目的】酸化物系超電導バルク−金属の良好な接合を実現し、低接触抵抗で通電時の発熱量の小さい接合方法を得ることを目的とする。
【構成】成形、焼結処理後の酸化物系超電導バルクの表面の付着物およびに非超電導相部を除去する手段、付着物およびに非超電導相部を除去した酸化物系超電導バルクの表面に金属厚膜を形成する手段、充分焼きなました薄肉金属テープを金属厚膜上に巻き付けた後、冷間静水圧プレスにより圧力を加えた後に熱処理する。
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超伝導デバイス及びその製造方法
金属マトリックス複合材料(MMC)から形成される成形体をセラミック成形体に固定する方法
本発明は、金属マトリックス複合材料(MMC)から形成される成形体(1)、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体(1)をセラミック成形体(2)、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、MMC成形体(1)または銅成形体(1)に隣接するセラミック成形体(2)の表面に第1金属(4)が被覆され、これによりセラミック成形体(2)をMMC成形体または銅成形体(1)に載置する。更に2つの成形体(1、2)をMMC成形体(1)のマトリックス金属または銅成形体(1)の銅またはセラミック成形体(1)の表面に被覆された第1金属(4)から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 (もっと読む)
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