本発明は、一般式（Ｉ）で表されるホスホニウムボレート化合物（以下、化合物（Ｉ））に関し、Ａ）工業的規模で安全に高い収率で、簡便な反応操作による新しい製造方法、Ｂ）取り扱いの容易な新規化合物及び、Ｃ）新規な触媒用途を提供することを目的とする。
一般式（Ｉ）：（Ｒ^１）（Ｒ^２）（Ｒ^３）ＰＨ・ＢＡｒ_４ （Ｉ）
［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３、Ａｒは明細書中の記載と同一である。］
Ａ）ホスフィンと、ａ）ＨＣｌ又はｂ）Ｈ_２ＳＯ_４とを反応させてａ）塩酸塩又はｂ）硫酸塩を生成させ、次いでこの塩とテトラアリールボレート化合物とを反応させることを特徴とする。
Ｂ）Ｒ^１として第２，３級アルキル基等を有し、空気中でも特段の注意を要することなく容易に取り扱いができることを特徴とする。
Ｃ）Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｎ及びＣ−Ｏ結合形成反応に用いる遷移金属錯体触媒において、不安定なホスフィン化合物の代わりに化合物（Ｉ）を使用し、同等の効果を発揮することを特徴とする。 （もっと読む）

式（Ｉ）の化合物または二量体チルホスチン、生理的に許容できるその塩またはプロドラッグの有効量により細胞を処理することを含んでなる細胞内のダイナミン依存のエンドサイトーシスを阻害する方法を開示する。記載されている方法に有用である化合物もまた提供される。細胞のダイナミン依存エンドサイトーシスの阻害は、てんかんおよび神経学的疾患および病態の治療に提供できる。 （もっと読む）

【課題】３−アリール−２−シアノ−３−ヒドロキシ−アクリル酸誘導体
【解決手段】式


（式中、Ｒ₁は水素原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、炭素原子数１乃至２０の
アルコキシ基、ＣＦ₃、炭素原子数６乃至１０のアリール基を表すか、又は式


で表される基を表し、
Ｒ₂は水素原子又は炭素原子数１乃至２０のアルキル基を表す。）
で表される３−アリール−２−シアノ−３−ヒドロキシ−アクリル酸誘導体が開示されている。
該化合物は表面処理用の抗菌活性物質として用いられる。 （もっと読む）