【課題】 本発明の目的は、大気及び光に対して安定であり、有機トランジスタ素子における半導体層として用いることでｎ型半導体特性を示すテトラジン誘導体を提供することにある。
【解決手段】
一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は各々独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。但し、Ｒ^１〜Ｒ^５は同時に水素原子とはなり得ない。）で示されるテトラジン誘導体を製造し、これを半導体層とする有機トランジスタ素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】レッドクス触媒として高反応活性であり、安定性にも優れる、多核金属錯体変性物を提供する。
【解決手段】［１］（ａ）分子内に、５〜１５個の配位原子を有する大環状配位子を１つ以上と、複数の金属原子とを、有する多核金属錯体を、加熱処理等の変性処理より、処理前後の重量減少率が５重量％以上９０重量％以下まで変性し、変性後の炭素含有率が５重量％以上である多核金属錯体変性物。
［２］上記（ａ）と同様の多核金属錯体と、特定の有機化合物又はカーボン担体を混合した混合物を加熱処理等の変性処理より、処理前後の重量減少率が５重量％以上９０重量％以下まで変性し、変性後の炭素含有率が５重量％以上である多核金属錯体変性物。
［３］上記［１］又は［２］を含むレドックス触媒。 （もっと読む）